據(jù)重慶日報報道，目前，重慶郵電大學實驗室已成功研發(fā)第三代半導體氮化鎵功率芯片,。
重慶郵電大學光電工程學院副教授黃義透露，“目前，實驗室已成功研發(fā)第三代半導體氮化鎵功率芯片,，這也是重慶市功率半導體,、汽車電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新興方向?！睋?jù)悉,，第三代半導體功率芯片主要應用在汽車電子、消費電源,、數(shù)據(jù)中心等方面,，具備體積小、效率高,、用電量少等特點,。
“這款功率半導體芯片電量能節(jié)省10％以上,，面積是硅芯片的1／5左右，開關速度提升10倍以上,?！秉S義透露，目前該項目已經(jīng)到了試驗性應用階段,，未來有望在各種電源節(jié)能領域和大數(shù)據(jù)中心使用,。
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