據(jù)重慶日報(bào)報(bào)道,，目前，重慶郵電大學(xué)實(shí)驗(yàn)室已成功研發(fā)第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率芯片,。

　　重慶郵電大學(xué)光電工程學(xué)院副教授黃義透露,，目前，實(shí)驗(yàn)室已成功研發(fā)第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率芯片,，這也是重慶市功率半導(dǎo)體,、汽車電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新興方向。

　　據(jù)悉,，第三代半導(dǎo)體功率芯片主要應(yīng)用在汽車電子,、消費(fèi)電源、數(shù)據(jù)中心等方面,，具備體積小,、效率高,、用電量少等特點(diǎn),。

　　據(jù)黃義介紹，這款功率半導(dǎo)體芯片電量能節(jié)省10%以上,，面積是硅芯片的1/5左右,，開關(guān)速度提升10倍以上。目前該項(xiàng)目已經(jīng)到了試驗(yàn)性應(yīng)用階段,，未來有望在各種電源節(jié)能領(lǐng)域和大數(shù)據(jù)中心使用,。

　　值得一提的是，由重慶郵電規(guī)劃的“重慶集成電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新孵化中心”已經(jīng)入駐西部（重慶）科學(xué)城。

　　該中心將著力建設(shè)我市集成電路公共設(shè)計(jì),、測試分析,、半導(dǎo)體工藝等為一體集成電路中試平臺，提供低成本,、高效率的集成電路公共服務(wù)與專業(yè)技術(shù)支持,；同時(shí)孵化一批人工智能芯片、公共安全專用芯片,、化合物半導(dǎo)體芯片等方向的高端科技成果及高科技企業(yè),。