tify;">意法半導體(ST) 近日推出世界首個嵌入硅基半橋驅(qū)動芯片和一對氮化鎵(GaN)晶體管的 MasterGaN? 產(chǎn)品平臺,，對于400W以下輕便節(jié)能的消費電子,、工業(yè)充電器以及電源適配器而言,，意法半導體提出的這個集成化方案有助于加快開發(fā)速度。

GaN技術(shù) 使電子設(shè)備能夠處理更大功率，同時設(shè)備本身變得更小,、更輕,、更節(jié)能，這些改進將會改變用于智能手機的超快充電器和 無線充電器 ,、用于PC和游戲機的USB-PD緊湊型適配器，以及太陽能儲電系統(tǒng),、不間斷電源或高端OLED電視機和云服務(wù)器等工業(yè)應(yīng)用,。

在當今的GaN市場上，通常采用分立 功率晶體管 和驅(qū)動IC的方案,，這要求設(shè)計人員必須學習如何讓它們協(xié)同工作,，實現(xiàn)最佳性能。

意法半導體的MasterGaN方案繞過了這一挑戰(zhàn),，縮短了產(chǎn)品上市時間,，并能獲得預期的性能，同時使封裝變得更小,、更簡單,，電路組件更少，系統(tǒng)可靠性更高,。

憑借GaN技術(shù)和意法半導體集成產(chǎn)品的優(yōu)勢,，采用新產(chǎn)品的充電器和適配器比普通硅基解決方案縮減尺寸80%，減重70%,。

意法半導體執(zhí)行副總裁,、模擬產(chǎn)品分部總經(jīng)理Matteo Lo Presti表示：“ST獨有的MasterGaN產(chǎn)品平臺是基于我們的經(jīng)過市場檢驗的專業(yè)知識和設(shè)計能力，整合高壓智能功率BCD工藝與GaN技術(shù)而成,，能夠加快節(jié)省空間,、高能效的環(huán)境友好型產(chǎn)品的開發(fā)?！?/p>

MasterGaN1是意法半導體新產(chǎn)品平臺的首款產(chǎn)品,，集成兩個半橋配置的GaN功率晶體管和高低邊驅(qū)動芯片。

MasterGaN1現(xiàn)已量產(chǎn),，采用9mm x 9mm GQFN封裝,，厚度只有1mm。

意法半導體還提供一個產(chǎn)品評估板,，幫助客戶快速啟動電源產(chǎn)品項目,。

技術(shù)細節(jié):

MasterGaN平臺借用意法半導體的STDRIVE 600V柵極驅(qū)動芯片和GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)。9mm x 9mm GQFN薄型封裝保證高功率密度,，為高壓應(yīng)用設(shè)計,，高低壓焊盤間的爬電距離大于2mm。

該產(chǎn)品系列有多種不同RDS(ON) 的GaN晶體管，并以引腳兼容的半橋產(chǎn)品形式供貨,，方便工程師成功升級現(xiàn)有系統(tǒng),，并盡可能少地更改硬件。

在高端的高能效拓撲結(jié)構(gòu)中,，例如,，帶有源鉗位的反激或正激式變換器、諧振變換器,，無橋圖騰柱PFC(功率因數(shù)校正器),，以及在 AC/DC 和 DC/DC變換器 和DC/AC逆變器中使用的其它軟開關(guān)和硬開關(guān)拓撲，GaN晶體管的低導通損耗和無體二極管恢復兩大特性,，使產(chǎn)品可以提供卓越的能效和更高的整體性能,。

MasterGaN1有兩個時序參數(shù)精確匹配的常關(guān)晶體管，最大額定電流為10A,，導通電阻(RDS(ON)) 為150mΩ,。

邏輯輸入引腳兼容3.3V至15V的信號，還配備全面的保護功能,，包括高低邊UVLO欠壓保護,、互鎖功能、關(guān)閉專用引腳和過熱保護,。