前言：臻驅(qū)科技（上海）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“臻驅(qū)科技”）是一家以研發(fā),、生產(chǎn)和銷(xiāo)售新能源車(chē)動(dòng)力總成及其功率半導(dǎo)體模塊為核心業(yè)務(wù)的高科技公司。2019年底,，臻驅(qū)科技與日本羅姆半導(dǎo)體公司成立了聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,，并簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，合作內(nèi)容包含了基于某些客戶的需求,，進(jìn)行基于羅姆碳化硅芯片的功率半導(dǎo)體模塊,，及對(duì)應(yīng)電機(jī)控制器的開(kāi)發(fā)。本文即介紹臻驅(qū)對(duì)碳化硅功率模塊的開(kāi)發(fā),、測(cè)試及系統(tǒng)評(píng)估,。

　　Introduction

　　碳化硅功率半導(dǎo)體近年來(lái)在能源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中正在成為一個(gè)熱門(mén)的話題：由于材料屬性，使得它具有比硅基半導(dǎo)體器件更高的最大結(jié)溫,、更小的損耗,，以及更小的材料熱阻系數(shù)等。

　　因此,，很多人宣稱(chēng),，當(dāng)碳化硅功率器件應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換后，變頻器系統(tǒng)將有更高的功率密度,、更小的體積,、更高的允許工作溫度，以及更低的損耗,，從而給應(yīng)用系統(tǒng)帶來(lái)更大優(yōu)勢(shì),。

　　臻驅(qū)科技計(jì)劃將碳化硅芯片封裝至功率模塊，并應(yīng)用于新能源車(chē)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“電控”）,，用于取代其現(xiàn)有的硅基IGBT功率模塊（峰值功率約為150 kW）。

　　進(jìn)行開(kāi)發(fā)之前,，應(yīng)用者需要進(jìn)行評(píng)估,，哪些碳化硅的特性能給主驅(qū)應(yīng)用帶來(lái)最大的價(jià)值。例如,，對(duì)于此類(lèi)DC-AC的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),，碳化硅技術(shù)的導(dǎo)入對(duì)于電控體積的減小并沒(méi)有顯著的作用，因?yàn)殡娍氐捏w積主要取決于其各子部件的封裝技術(shù)而功率模塊只占其中很小的百分比,；另一些人宣稱(chēng)可以利用碳化硅更高工作結(jié)溫的優(yōu)勢(shì),，少安裝芯片數(shù)量并使其工作在高溫,，從而降低成本。也許,，此特性適用于如地下鉆探等環(huán)境溫度很高的應(yīng)用,，但對(duì)于新能源車(chē)而言，是否有必要將結(jié)溫推高而犧牲效率（注：碳化硅在高溫下的損耗會(huì)顯著增加）,，以及是否因?yàn)楣?jié)省了芯片數(shù)量就能節(jié)省系統(tǒng)成本,，是需要被質(zhì)疑的。

　　在臻驅(qū)看來(lái),，碳化硅技術(shù)應(yīng)用于主驅(qū)電控的主要系統(tǒng)優(yōu)勢(shì),，是在于效率的提升，以及峰值輸出功率的增加,。前者可以提升續(xù)航里程或減少電池安裝數(shù)量,，后者可以給整車(chē)帶來(lái)更大的百公里加速度。臻驅(qū)第一款開(kāi)發(fā)的是750V的碳化硅模塊,，針對(duì)A級(jí)及以上的乘用車(chē)型,；第二款是1200V碳化硅模塊，應(yīng)用于800V系統(tǒng)的乘用車(chē)或商用車(chē),。在臻驅(qū)開(kāi)發(fā)的碳化硅模塊中,，臻驅(qū)采用的是羅姆最新的第四代750V及1200V芯片，以1200V芯片為例,，其綜合性能較上一代產(chǎn)品有顯著提升,，見(jiàn)表1。

　　本文介紹了該項(xiàng)目的研發(fā)過(guò)程：包含系統(tǒng)性能評(píng)估（top-down flow）,，用于選擇芯片并聯(lián)數(shù)量,；碳化硅模塊的本體設(shè)計(jì)，包括封裝形式,、電磁,、熱、結(jié)構(gòu),、可制造性等,；模塊性能測(cè)試，對(duì)標(biāo)某知名IGBT功率模塊,；根據(jù)模塊的標(biāo)定結(jié)果迭代系統(tǒng)性能評(píng)估,，包括最大輸出功率、高效區(qū)并輔以臺(tái)架實(shí)測(cè)結(jié)果,，并展開(kāi)其對(duì)續(xù)航里程影響的分析,。基于以上結(jié)果，本文最后將總結(jié)一下關(guān)于碳化硅模塊應(yīng)用于主驅(qū)設(shè)計(jì)的方法論,。

　　系統(tǒng)分析

　　根據(jù)羅姆提供的第四代SiC芯片規(guī)格書(shū),，作者將其相關(guān)參數(shù)導(dǎo)入至臻驅(qū)的系統(tǒng)分析工具--ScanTool中。ScanTool是一種時(shí)域-頻域混合的穩(wěn)態(tài)仿真工具,，主要用于電力電子系統(tǒng)的前期方案設(shè)計(jì),，可用于計(jì)算系統(tǒng)在不同軟硬件配置下的功率、效率,、輸出波形失真,、母線電容的電壓紋波及電流應(yīng)力等。ScanTool的計(jì)算原理是將時(shí)域激勵(lì)波形轉(zhuǎn)成頻域的頻譜,，同時(shí)將負(fù)載用頻域矩陣的形式表述,，兩者相乘從而獲得頻域的響應(yīng)，再對(duì)該頻域響應(yīng)逆變換成時(shí)域波形,。通過(guò)此種方式,，該工具的輸出波形具有極高的穩(wěn)態(tài)精度，同時(shí)又避免了一般的時(shí)域仿真工具從初始狀態(tài)到最終穩(wěn)態(tài)的等待時(shí)間,，使其仿真時(shí)間可以從每個(gè)仿真數(shù)十分鐘縮減至1-2秒,。因此ScanTool特別適合動(dòng)輒需要仿真成百上千種軟硬件設(shè)計(jì)組合的高自由度的電力電子系統(tǒng)的前期設(shè)計(jì)。一個(gè)圖像化的原理介紹見(jiàn)圖1,。

　　一般而言,，當(dāng)人們?cè)O(shè)計(jì)一款基于IGBT芯片的功率模塊時(shí)，芯片的種類(lèi)及并聯(lián)數(shù)量的選擇依據(jù)大多為芯片的結(jié)溫（或者說(shuō)是最大結(jié)溫時(shí)能輸出的峰值功率）,。此項(xiàng)目采用碳化硅芯片,，單個(gè)面積小、適合多芯片并聯(lián),，但其價(jià)格較IGBT高出不少,。另一方面，碳化硅屬于單極性器件,，因此碳化硅芯片的并聯(lián)數(shù)量越多,，其總導(dǎo)通損耗越低，并可因此提高電控的效率,。所以,，選擇芯片并聯(lián)數(shù)量時(shí)，除了最高結(jié)溫限制了最大輸出功率,，還必須考慮它對(duì)于系統(tǒng)層面的優(yōu)勢(shì)--如之前所提到過(guò)的,，即必須考慮綜合的效率提升，尤其是如在NEDC,、WLTC、CLTC等循環(huán)路況下的續(xù)航里程的提升，并結(jié)合財(cái)務(wù)回報(bào)模型進(jìn)行綜合分析,。一種簡(jiǎn)化的財(cái)務(wù)模型可以包含使用碳化硅的模塊（較IGBT模塊）導(dǎo)致的成本差異,、電池安裝成本減少，以及后續(xù)的充電使用成本減少,。前兩者為初始投資支出（CAPEX）,，后者為運(yùn)營(yíng)支出（OPEX），最終可以折算出獲得財(cái)務(wù)回報(bào)的時(shí)間點(diǎn),。根據(jù)車(chē)型與用戶使用頻次,，該盈虧平衡點(diǎn)可以在1-4年之間。由于該系統(tǒng)層面測(cè)算模型涉及到很多變量的假設(shè),，本文不再贅述,。

　　經(jīng)過(guò)一系列的系統(tǒng)分析，我們驗(yàn)證了芯片并聯(lián)數(shù)量過(guò)多,，不會(huì)對(duì)續(xù)航里程進(jìn)一步提升有過(guò)多幫助,，而只能提升該車(chē)的最大加速度；芯片數(shù)量過(guò)少,，貌似模塊成本降低,，但也可能失去效率/經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢(shì)--尤其是考慮碳化硅芯片的正溫度系數(shù)后。

　　基于此結(jié)果,，作者對(duì)選擇的芯片數(shù)量依據(jù)財(cái)務(wù)模型進(jìn)行了優(yōu)化,，既能避免無(wú)謂的多安裝的芯片而導(dǎo)致的成本增加，也避免了芯片并聯(lián)數(shù)量過(guò)少而導(dǎo)致的經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢(shì)不再,。同時(shí),，臻驅(qū)碳化硅模塊也引入了平臺(tái)化設(shè)計(jì)的理念，即當(dāng)客戶對(duì)于整車(chē)加速性有更高要求的時(shí)候（例如對(duì)于部分高端車(chē)型）,，模塊內(nèi)部可以根據(jù)客戶需求而并聯(lián)更多的芯片,，從而提高最大瞬時(shí)輸出功率，給整車(chē)用戶提供更大的推背體驗(yàn),。

　　模塊本體設(shè)計(jì)

　　當(dāng)芯片選型與并聯(lián)數(shù)量確定后,，我們進(jìn)入功率半導(dǎo)體模塊的本體設(shè)計(jì)階段，它一般包含電磁,、熱,、結(jié)構(gòu)與可制造性等內(nèi)容。需要注意的是,，碳化硅的開(kāi)關(guān)速度比硅基的IGBT高很多,，所以，一些在IGBT模塊中通常并不嚴(yán)苛的指標(biāo),，會(huì)在碳化硅模塊的設(shè)計(jì)中變得十分關(guān)鍵,。這些指標(biāo)包括了各并聯(lián)碳化硅芯片之間的開(kāi)關(guān)時(shí)刻同步性、芯片的瞬態(tài)電流電壓應(yīng)力的均衡性、功率鏈路對(duì)于門(mén)極的干擾等,。其中,，前兩個(gè)指標(biāo)體現(xiàn)在模塊外特性上，它們會(huì)決定該模塊的極限電壓與電流輸出能力,；功率鏈路對(duì)門(mén)極的干擾,，是器件在開(kāi)通關(guān)斷的瞬間，將電磁能量通過(guò)空間耦合到控制鏈路上,，其造成的后果可能是導(dǎo)致門(mén)極瞬態(tài)電壓應(yīng)力過(guò)大導(dǎo)致門(mén)極老化加快,、壽命減少，嚴(yán)重的可導(dǎo)致功率的誤觸發(fā),，造成模塊及系統(tǒng)的損壞,。

　　此外，在臻驅(qū)之前的碳化硅功率模塊的設(shè)計(jì)項(xiàng)目中,，發(fā)現(xiàn)碳化硅模塊中較為明顯的振蕩現(xiàn)象,，它是由功率模塊的漏感與碳化硅芯片的結(jié)電容構(gòu)成的LC諧振，通常其頻率在數(shù)十兆赫茲,。該振蕩會(huì)影響到電控系統(tǒng)的電磁兼容表現(xiàn),，并降低碳化硅模塊的效率優(yōu)勢(shì)，甚至在某些極限工況下,，此諧振會(huì)進(jìn)一步惡化,，使電壓電流幅值超越器件的安全工作區(qū)域（SOA）。為了解決這個(gè)問(wèn)題,，臻驅(qū)開(kāi)發(fā)了一系列設(shè)計(jì)輔助工具,，并基于此優(yōu)化了模塊本體設(shè)計(jì)，最終將該問(wèn)題基本解決,。圖2是兩個(gè)輸出波形的對(duì)比,。可以看出,，在相同的工況下,，優(yōu)化后的模塊設(shè)計(jì)不再有明顯的振蕩現(xiàn)象。

　　最終,，臻驅(qū)設(shè)計(jì)的碳化硅功率模塊經(jīng)過(guò)多次迭代,，將模塊內(nèi)部多芯片之間的瞬態(tài)應(yīng)力不平衡度降低到了10%以下。根據(jù)團(tuán)隊(duì)內(nèi)部進(jìn)行的競(jìng)品對(duì)標(biāo)評(píng)估,，認(rèn)為僅此性能就已經(jīng)做到了業(yè)內(nèi)的頂尖水平,。同時(shí)，功率鏈路對(duì)于門(mén)極的電壓毛刺干擾也大大減??；模塊開(kāi)關(guān)時(shí)刻的高頻振蕩問(wèn)題也得到了較好的解決,。

　　碳化硅模塊性能對(duì)標(biāo)測(cè)試

　　功率模塊的測(cè)試包含性能與可靠性測(cè)試，而性能測(cè)試可以分為用于導(dǎo)通損耗評(píng)估的靜態(tài)測(cè)試與用于開(kāi)關(guān)損耗評(píng)估的動(dòng)態(tài)測(cè)試,。后者通常的實(shí)現(xiàn)方法是一種稱(chēng)為“雙脈沖測(cè)試”的方法,，它需要對(duì)于被測(cè)器件施加不同的電壓、電流,、器件溫度，甚至不同的門(mén)極驅(qū)動(dòng)電阻,，以進(jìn)行全面測(cè)試評(píng)估,。一個(gè)完整的測(cè)試DoE表格（Design of Experiment）可包含數(shù)千個(gè)工作點(diǎn)?？紤]到接著還需要進(jìn)行大量的測(cè)試數(shù)據(jù)的后處理工作,，功率器件的動(dòng)態(tài)測(cè)試顯然是一個(gè)費(fèi)時(shí)費(fèi)力的任務(wù)。因此,，很多情況下,，用戶不得不選擇降低測(cè)試點(diǎn)密度，即刪減DoE表格的長(zhǎng)度來(lái)縮短測(cè)試時(shí)間,。

　　臻驅(qū)科技開(kāi)發(fā)出了一套高精度,、高測(cè)試速度的功率模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試標(biāo)定平臺(tái)，它基本可以做到“一鍵”完成數(shù)千個(gè)工作點(diǎn)的全自動(dòng)測(cè)試,，并自動(dòng)化后做數(shù)據(jù)的后處理,，并半自動(dòng)地生成標(biāo)準(zhǔn)化的模塊測(cè)試報(bào)告。使用者所需要做的,，只是對(duì)測(cè)試前期硬件進(jìn)行配置,、生成科學(xué)的DoE表格，以及對(duì)最終的測(cè)試報(bào)告添加主觀評(píng)估的內(nèi)容,。對(duì)一個(gè)有3000多個(gè)測(cè)試點(diǎn)的模塊標(biāo)定任務(wù),，相較于一般的手動(dòng)/半手動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)，該自動(dòng)化標(biāo)定平臺(tái)可以將工作從2個(gè)月壓縮到2天,，且包含了數(shù)據(jù)后處理及報(bào)告生成,。圖3介紹了該測(cè)試平臺(tái)的核心功能。

　　本項(xiàng)目中,，動(dòng)態(tài)性能的參考對(duì)象為一知名的IGBT功率模塊,。測(cè)試結(jié)果顯示，臻驅(qū)開(kāi)發(fā)的碳化硅功率模塊在動(dòng)態(tài)性能上全面超越了參考的IGBT功率模塊,，這包括了開(kāi)通損耗,、關(guān)斷損耗及體二極管的反向恢復(fù)損耗。同時(shí),，碳化硅模塊在極端溫度下也沒(méi)有出現(xiàn)明顯的振蕩,。

　　碳化硅電控的效率對(duì)標(biāo)測(cè)試

　　接著,，基于碳化硅功率模塊及其配套的門(mén)極驅(qū)動(dòng)被裝入了電機(jī)控制器，并匹配一永磁電機(jī)進(jìn)行效率圖的標(biāo)定,，其結(jié)果用于與基于IGBT功率模塊的電控的對(duì)標(biāo),。電控及驅(qū)動(dòng)電機(jī)測(cè)試系統(tǒng)見(jiàn)圖4。

　　IGBT電控與碳化硅電控的實(shí)測(cè)效率圖與關(guān)鍵參數(shù)對(duì)比分別見(jiàn)圖5與表2,?？梢钥吹剑捎昧颂蓟韫β誓K的電控?zé)o論是在最高效率,、最低效率,，還是高效區(qū)都有了顯著的提升。尤其是在低扭矩的輕載情況下,，碳化硅的效率優(yōu)勢(shì)極為明顯,。這主要是得益于單極性功率器件在輕載時(shí)的導(dǎo)通損耗低，及全區(qū)域的開(kāi)關(guān)損耗低的特性,。

　　碳化硅電控的效率仿真驗(yàn)證

　　此外,，我們也將雙脈沖測(cè)試的數(shù)據(jù)導(dǎo)入了系統(tǒng)評(píng)估工具ScanTool，對(duì)效率圖進(jìn)行了仿真計(jì)算,。需要指出的是,，由于碳化硅器件有較明顯的正溫度系數(shù)特性（即損耗隨著溫度升高而增加），ScanTool中設(shè)置了溫度迭代功能,，即根據(jù)前一次仿真結(jié)果的器件結(jié)溫計(jì)算該器件在此結(jié)溫下的損耗,，再進(jìn)行結(jié)溫復(fù)算，直至前后兩次計(jì)算結(jié)果的溫度偏差小于1度,?？梢韵胂蟮氖牵?dāng)芯片并聯(lián)數(shù)量過(guò)少的時(shí)候,，由于結(jié)溫升高會(huì)引起器件的損耗增加,；反之，芯片并聯(lián)數(shù)量較多時(shí),，單個(gè)器件的損耗較低,，使其工作結(jié)溫也較低，在此較低的結(jié)溫下,，碳化硅芯片的損耗將進(jìn)一步減少,。可見(jiàn),，具備溫度-損耗的迭代功能的ScanTool是保證建模精度的一個(gè)關(guān)鍵,。

　　仿真的結(jié)果顯示在圖6及表3。對(duì)照?qǐng)D5和表2的實(shí)測(cè)結(jié)果,，我們可以看到,，分析工具與實(shí)測(cè)結(jié)果是十分吻合的,。兩者之間的剩余差異主要體現(xiàn)在低速區(qū)，在這個(gè)區(qū)域內(nèi)的電控輸出功率很低,，因此電控內(nèi)的殘余損耗顯得明顯,，如銅排與母線電容上的損耗等。此外,，脈寬調(diào)制的方案,、測(cè)試設(shè)備的精度也是可能的原因，但這些較小的差異不影響接下去的系統(tǒng)級(jí)續(xù)航里程分析,。

　　碳化硅電控的最大輸出能力分析

　　碳化硅模塊內(nèi)部的芯片并聯(lián)數(shù)量越多,，其電控的輸出能力越大。在這項(xiàng)分析中,，我們假設(shè)碳化硅與IGBT允許工作在相同的最高結(jié)溫下即150℃。ScanTool的仿真結(jié)果顯示,，當(dāng)模塊采用6芯片并聯(lián)時(shí),，最大輸出功率增加12.4%；當(dāng)采用8芯片并聯(lián)時(shí),，功率增加31%,。

　　在實(shí)驗(yàn)中，由于動(dòng)力總成臺(tái)架的能力限制,，我們使用了電感作為負(fù)載來(lái)測(cè)試最大輸出能力,。相較于采用真實(shí)電機(jī)負(fù)載，這個(gè)妥協(xié)的方案用于評(píng)估碳化硅模塊測(cè)試是可以接受的,，原因是碳化硅芯片雙向?qū)ǖ奶攸c(diǎn)使得其損耗對(duì)于負(fù)載的功率因數(shù)的大小并不敏感,。

　　圖9展示了碳化硅電控輸出達(dá)到了600 Arms，且已達(dá)到了測(cè)試設(shè)備的最大能力,。需要指出的是,，在電控應(yīng)用場(chǎng)景中，我們保持了10kHz的開(kāi)關(guān)頻率,，而此時(shí)碳化硅模塊的開(kāi)關(guān)損耗的百分比仍是較低的（約20%）,。因此，通過(guò)升級(jí)軟件的控制頻率和驅(qū)動(dòng)電路的功率能力,，可以顯著提升電控的開(kāi)關(guān)頻率而不導(dǎo)致明顯的功率降額,。在高開(kāi)關(guān)頻率下，負(fù)載的基波頻率也可以顯著提升,，即將電控用于如高速空壓機(jī),、航天等應(yīng)用場(chǎng)景。

　　碳化硅電控帶來(lái)的系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)評(píng)估

　　此處的系統(tǒng)評(píng)估指的主要是整車(chē)層面的續(xù)航里程,。為此,，臻驅(qū)科技已開(kāi)發(fā)了一套整車(chē)基于指定路譜的計(jì)算工具：使用者選定一款車(chē)型,，并指定路況模板后，該工具將輸出對(duì)應(yīng)于動(dòng)力總成（電機(jī)+電控）的扭矩與轉(zhuǎn)速指令,，并根據(jù)ScanTool計(jì)算或?qū)嶋H標(biāo)定得出的碳化硅電控及電機(jī)的效率圖,，計(jì)算出整車(chē)的續(xù)航里程。

　　此處我們選擇了一款低風(fēng)阻的轎車(chē)車(chē)型,，并匹配如圖5所示的IGBT/SiC電控及其對(duì)應(yīng)驅(qū)動(dòng)電機(jī)實(shí)測(cè)效率,，置于CLTC-P（China Light-duty Vehicle Test Cycle - passenger car, 中國(guó)輕型汽車(chē)行駛工況-乘用車(chē)）路譜下進(jìn)行仿真分析，整車(chē)系統(tǒng)能耗對(duì)比見(jiàn)圖11,。較原來(lái)搭載的IGBT電控方案,，搭載了臻驅(qū)碳化硅電控的整車(chē)能耗降低4.4%，即搭載相同電池容量情況下,，續(xù)航里程可增加4.4%,！這個(gè)令人振奮的結(jié)果，證明了碳化硅技術(shù)在新能源車(chē)主驅(qū)應(yīng)用中的顯著優(yōu)勢(shì),。用戶可根據(jù)此結(jié)果,，進(jìn)一步進(jìn)行整車(chē)經(jīng)濟(jì)性方面的分析。

　　項(xiàng)目總結(jié)

　　本文介紹了臻驅(qū)科技對(duì)于碳化硅功率模塊及電控的開(kāi)發(fā),、測(cè)試及系統(tǒng)評(píng)估,。實(shí)測(cè)結(jié)果證明，該碳化硅功率模塊工作穩(wěn)定,，并相較于IGBT模塊在損耗方面有明顯降低,；所對(duì)應(yīng)的碳化硅電控，相較于IGBT電控,，無(wú)論在最大輸出功率還是續(xù)航里程上都有顯著的優(yōu)勢(shì),。此項(xiàng)目也側(cè)面證明了，碳化硅技術(shù)應(yīng)用于新能源車(chē)的主驅(qū)是大勢(shì)所趨,。

　　本文所開(kāi)發(fā)的碳化硅功率模塊與某主流IGBT功率模塊在功率端子部分兼容,，而門(mén)極位置經(jīng)過(guò)了優(yōu)化改動(dòng)，其目的是優(yōu)化模塊內(nèi)部的電氣性能,。本文所開(kāi)發(fā)的碳化硅電控與IGBT電控的功能完全兼容而性能優(yōu)勢(shì)明顯,，并可在臻驅(qū)科技現(xiàn)有的電控自動(dòng)化產(chǎn)線上實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。

　　臻驅(qū)科技自主研發(fā)了一套自動(dòng)化產(chǎn)線（見(jiàn)圖12）,，其規(guī)劃產(chǎn)能為每年15萬(wàn)臺(tái),，組裝線自動(dòng)化率約85%，測(cè)試線自動(dòng)化率為100%,。工廠通過(guò)了TUEV（德國(guó)技術(shù)監(jiān)督協(xié)會(huì)的）的IATF16949質(zhì)量體系認(rèn)證,。

　　臨近尾聲，作者對(duì)碳化硅電控的心得討論如下：

　　1.碳化硅用于電控的主要優(yōu)勢(shì)在于效率,，而更高效率帶來(lái)的經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢(shì)在于電池安裝成本及充電成本的降低,；

　　2.碳化硅模塊設(shè)計(jì)時(shí),，其芯片并聯(lián)數(shù)量需要一定過(guò)設(shè)計(jì)以實(shí)現(xiàn)最佳經(jīng)濟(jì)性；更多的芯片并聯(lián)會(huì)降低經(jīng)濟(jì)性,，但可幫助整車(chē)實(shí)現(xiàn)更大的加速度,；

　　3.碳化硅模塊本體設(shè)計(jì)難點(diǎn)在于電磁部分，需要開(kāi)發(fā)出精確的建模和設(shè)計(jì)輔助工具,；

　　4.碳化硅技術(shù)用于小風(fēng)阻車(chē)型時(shí)續(xù)航里程可增加4%以上,。

　　總體而言，碳化硅電控適用于續(xù)航里程長(zhǎng),、風(fēng)阻小的高端車(chē)型,，并對(duì)整車(chē)使用頻次較高的用戶有更高經(jīng)濟(jì)價(jià)值。

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