11 月24 日，臺(tái)灣叱咤全球的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)再進(jìn)入一個(gè)新的里程碑,！那就是晶圓代工龍頭臺(tái)積電位在南科的3 納米廠正式舉行上梁典禮,。根據(jù)外媒《彭博社》的報(bào)導(dǎo)指出，臺(tái)積電的3 納米制程預(yù)計(jì)將在2022 年的下半年正式量產(chǎn)。臺(tái)積電董事長劉德音也表示,，3 納米廠廠房基地面積約為35 公頃，無塵室面積將超過16 萬平方公尺,，大約是22 座標(biāo)準(zhǔn)足球場大小,。而屆時(shí)當(dāng)3 納米進(jìn)入量產(chǎn)時(shí)，當(dāng)年產(chǎn)能預(yù)估將超過每年60 萬片12 吋晶圓,，這也將使得臺(tái)積電繼續(xù)保持技術(shù)領(lǐng)先地位,。

　　根據(jù)市場研究及調(diào)查機(jī)構(gòu)《IC INSIGHTS》的最新研究數(shù)據(jù)顯示，2020 年全球前15 大半導(dǎo)體廠當(dāng)中,，臺(tái)積電的年?duì)I收可望達(dá)454.2 億美元,，將僅次南韓三星（Samsung）及處理器龍頭英特爾（Intel），居全球第3 大半導(dǎo)體廠,。不過,，相較于三星有記憶體及晶圓制造，英特爾以銷售處理器及其他芯片為主的商業(yè)模式,，臺(tái)積電則是其中唯一的純晶圓代工廠,。

　　另外，根據(jù)TrendForce 旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院的調(diào)研結(jié)果顯示,，2020 年第3 季臺(tái)積電在全球晶圓代工市場的市占率高達(dá)53.9%,，也就是在前10 名的晶圓代工企業(yè)當(dāng)中，其他9 名的總和都沒有臺(tái)積電一家多,。而這今日的臺(tái)灣之光,，掌握全球半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的重要關(guān)鍵，當(dāng)時(shí)是如何建立,？這就得從1974 年在臺(tái)北的一場會(huì)議中談起,。

　　推動(dòng)經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型促成兩大龍頭

　　1974 年，當(dāng)時(shí)的行政院秘書長費(fèi)驊,，會(huì)同包括經(jīng)濟(jì)部長孫運(yùn)璿,、交通部長高玉樹、電信總局局長方賢齊,、工研院院長王兆振與電信研究所所長康寶煌等政府官員,，再加上美國無線電公司（ RCA）研究主任潘文淵聚在一起討論如何促進(jìn)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型，希望能從原本的紡織業(yè)轉(zhuǎn)而發(fā)展電子業(yè),。討論結(jié)果最后決定,，藉由政府的主導(dǎo)來發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)，由經(jīng)濟(jì)部在工研院底下設(shè)立「電子工業(yè)研究發(fā)展中心」,，也就是后來的工研院電子所,，以電子表使用的芯片為基礎(chǔ)，預(yù)計(jì)自美國引進(jìn)集成電路技術(shù),。

　　潘文淵邀集海外華人組成「電子技術(shù)顧問委員會(huì)」（TAC）,，為工研院擬定技術(shù)合作邀請函,，詢問30 多家美國半導(dǎo)體廠商技術(shù)移轉(zhuǎn)的意愿，最后選定RCA,。當(dāng)時(shí)RCA 已經(jīng)在臺(tái)灣設(shè)廠生產(chǎn)電子產(chǎn)品,，而且愿意代訓(xùn)人才，并負(fù)有更新技術(shù)之義務(wù),，以及買回所生產(chǎn)出的芯片,，因而雀屏中選。當(dāng)時(shí)工研院選派楊丁元,、史欽泰,、章青駒等多人赴美國RCA 工廠培訓(xùn)，回臺(tái)灣在電子所設(shè)立集成電路示范工廠,，后來這些人均成為臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵人物,。

　　而電子示范工廠生產(chǎn)的首批電子表電路CD4007 A 的良率為55.7%，但4 個(gè)月后便超過RCA 估計(jì)的最高良率80%,。此后甚至超越美國的平均良率83%,，而達(dá)到88%，連RCA 都自嘆不如,。后來,，RCA 甚至一度請求工研院將示范工廠或是技術(shù)賣回RCA，但為工研院拒絕,，之后開啟了臺(tái)灣集成電路產(chǎn)業(yè)的輝煌世代,。

　　不過，產(chǎn)品大受歡迎的情況下,，卻產(chǎn)生了另一個(gè)問題,，那就示范工廠越來越商業(yè)化，需要擴(kuò)廠的資金需求也越來越高,，而這與工研院身為研究機(jī)構(gòu),，準(zhǔn)備專心第二期集成電路研究計(jì)畫產(chǎn)生沖突，因此決定將示范工廠切割出去,，這也就是在1980 年成立衍生公司聯(lián)華電子（聯(lián)電）的由來,。

　　至于，后來臺(tái)積電的成立,，則是工研院電子所「超大型集成電路計(jì)畫」的產(chǎn)物,，之后成為繼聯(lián)電后的第2 家衍生公司。如同聯(lián)電一般,，1987 年成立臺(tái)積電之際,，時(shí)任行政院長俞國華希望民間持股能夠至少有51%，以便確保臺(tái)積電成為民營公司，但是同樣因?yàn)榕_(tái)灣企業(yè)家缺乏信心而募資不順,，最后只得尋求外資合作,，之后由行政院開發(fā)基金投資48.3%、荷蘭飛利浦公司投資27.5%,，本地民間資本僅占24.2%,。

　　英特爾也幫了一把

　　臺(tái)積電創(chuàng)立后，1988 年董事長張忠謀做了一個(gè)關(guān)鍵的決定,，那就是透過私人情誼將老朋友Andy Grove（前英特爾創(chuàng)辦人暨執(zhí)行長）請到臺(tái)灣對臺(tái)積電展開認(rèn)證，并爭取為英特爾代工產(chǎn)品,。當(dāng)時(shí),，拿到英特爾的認(rèn)證對于臺(tái)積電來說至關(guān)重要，因?yàn)槟玫绞澜缂?jí)的認(rèn)證就是對其生產(chǎn)能力最好的背書,，同時(shí)也為公司建立起了規(guī)章制度上的國際化標(biāo)準(zhǔn),。

　　在順利通過英特爾的認(rèn)證之后，等于為其所擁有的晶圓代工模式打開生意的大門,，使得成立不久的臺(tái)積電逐漸步上穩(wěn)健的經(jīng)營軌道,，并在1994 年9 月5 日正式在臺(tái)灣證券交易所上市，股票代碼為2330.TW,。之后的1997 年10 月8 日,，臺(tái)積電海外存托憑證又在紐約證券交易所上市，股票代碼為TSM.N,。

　　而隨著臺(tái)積電后來在晶圓代工領(lǐng)域驚人的成功,，尤其是在營業(yè)額屢創(chuàng)新高之際，依舊維持將近50% 的毛利率,，臺(tái)灣及世界各地的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司因此大幅增加,，加速了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進(jìn)步。之后,，許多企業(yè)爭相模仿,，首先是新加坡的特許半導(dǎo)體（Chartered Semiconductor）也以純晶圓代工模式與臺(tái)積電競爭，此外,，南韓三星,、日本的富士重工、川崎鋼鐵,、神戶鋼鐵與山葉以及美國的英特爾等公司,，也在自身業(yè)務(wù)外投入晶圓代工產(chǎn)業(yè)。

　　面對晶圓代工市場的百花齊放,，此時(shí)的臺(tái)積電仍依照自己既定的步伐邁進(jìn),。1999 年，臺(tái)積電領(lǐng)先業(yè)界推出可商業(yè)量產(chǎn)的0.18 微米銅制程制造服務(wù)。2001 年,，臺(tái)積電推出業(yè)界第一套參考設(shè)計(jì)流程（Reference DesignFlow）,，協(xié)助開發(fā)0.25 微米及0.18 微米的客戶降低設(shè)計(jì)障礙，以達(dá)到快速量產(chǎn)之目標(biāo),。2005 年,，領(lǐng)先業(yè)界成功試產(chǎn)65 納米制程芯片。同年6 月,，張忠謀辭去臺(tái)積電執(zhí)行職務(wù),，將棒子移交給其一手培養(yǎng)起來的接班人蔡力行，自己則僅擔(dān)任董事長的職務(wù),。

　　世代交替幾經(jīng)波折

　　不過,，世代輪替后的臺(tái)積電并沒有因此而一帆風(fēng)順。首先是2008 年全球金融海嘯沖擊,，使得2009 年?duì)I收較2008 年下滑了11.2%,，而且還因?yàn)閯谫Y爭議事件鬧的滿城風(fēng)雨。再加上當(dāng)時(shí)臺(tái)積電正在積極開發(fā)的40 納米制程遇上瓶頸,，這些因素都讓公司營運(yùn)面臨虧損的危機(jī),。

　　2009 年6 月，在卸任4 年之后,，張忠謀以78 歲高齡,，重新回鍋擔(dān)任臺(tái)積電執(zhí)行長職務(wù)，透過一系列的危機(jī)處理,，使臺(tái)積電的營運(yùn)重回正軌,。而其中之一的關(guān)鍵，就是繼40 納米制程之后的28 納米制程,，臺(tái)積電決定采用與英特爾相同的Gate-last 架構(gòu),，放棄IBM 的Gate-First 架構(gòu)，使得當(dāng)時(shí)同樣在開發(fā)28 納米制程的競爭對手聯(lián)電,、三星,、格羅方德都還持續(xù)在研發(fā)卡關(guān)的時(shí)刻，臺(tái)積電能在2011 年正式量產(chǎn)28 納米制程,。

　　28 納米制程搶先成關(guān)鍵

　　有人稱28 納米制程為幫助臺(tái)積電后來全面脫胎換骨的關(guān)鍵,，現(xiàn)在看來一點(diǎn)都不為過。原因在于當(dāng)其他競爭對手都還持續(xù)在與28 納米制程技術(shù)奮斗之際,，臺(tái)積電率先推出28 納米制程芯片,，使得制程技術(shù)和臺(tái)積電落差無法縮小落差的情況下，只能在65 及40 納米的技術(shù)節(jié)點(diǎn)上彼此削價(jià)競爭,。使得當(dāng)初以高階芯片為主的IC 設(shè)計(jì)公司在選擇代工廠之際,，可說除了臺(tái)積電以外,，就沒有第二選擇，也因此使得臺(tái)積電在28 納米節(jié)點(diǎn)上的優(yōu)勢維持了數(shù)年之久,，而該制程亦可說是歷年來對臺(tái)積電營收貢獻(xiàn)最大的制程之一,，這也使得臺(tái)積電之后進(jìn)一步拉大與其他競爭對手差距，成為持續(xù)穩(wěn)坐晶圓代工龍頭的最大助力,。

　　2013 年,，臺(tái)積電挾28 納米制程的技術(shù)與市場優(yōu)勢，推出半節(jié)點(diǎn)升級(jí)的20 納米制程,，只是,，20 納米為28 納米制程所改良而來，在芯片面積微縮及功耗提升有限的情況下,，較知名的除了蘋果的A8 處理器外,，正式采用的客戶并不多，未能延續(xù)臺(tái)積電在28 納米制程上的優(yōu)勢,，使得這時(shí)的臺(tái)積電開始將期望放在下一個(gè)全節(jié)點(diǎn)提升的16納米制程發(fā)展上。

　　被迫與三星分單反突顯優(yōu)勢

　　2014 年,，臺(tái)積電推出在20 納米制程基礎(chǔ)上加入FinFET 技術(shù)而成16 納米制程,，并且取得使用于搭載于蘋果iPhone 6s 和iPhone 6s+ 智慧型手機(jī)上A9 處理器的部分訂單。當(dāng)時(shí),，臺(tái)積電的競爭對手南韓三星,，因?yàn)樵?8 納米制程上始終無法突破臺(tái)積電的優(yōu)勢之后，就將發(fā)展目標(biāo)進(jìn)一步跳過20 納米制程,，放置到更先進(jìn)的14 納米制程上,，并且找來前臺(tái)積電負(fù)責(zé)研發(fā)的梁孟松進(jìn)行技術(shù)指點(diǎn)，之后領(lǐng)先臺(tái)積電的16 納米制程,，率先推出14 納米制程,，后來還與先前持續(xù)在制程上領(lǐng)先臺(tái)積電共享蘋果A9 處理器訂單。

　　當(dāng)時(shí),，蘋果采取了使用雙供應(yīng)商的策略,，同樣的芯片設(shè)計(jì)分別由三星電子和臺(tái)積電完成晶圓代工。三星生產(chǎn)的芯片代號(hào)為APL0898,，使用14 納米制程制造,，面積為96 平方公厘；而臺(tái)積電生產(chǎn)的芯片代號(hào)為APL1022,，使用了16 納米制程制造,，面積為104.5 平方公厘。雖然略有區(qū)別,，但是蘋果宣稱性能并無顯著區(qū)別,。

　　之后,，2015 年10 月，市場卻傳出,，根據(jù)測試程式的結(jié)果,，搭載三星代工芯片的iPhone 續(xù)航能力，較搭載臺(tái)積電代工芯片的iPhone 更低的情況,，一系列報(bào)導(dǎo)引起了消費(fèi)者熱議,。雖然，這消息為蘋果及三星所否認(rèn),。但是自A9 系列處理器之后,，蘋果自A10 系列處理器開始，直到近期最新的A14 系列處理器,，蘋果就再也沒有讓三星進(jìn)行代工,，可以想像這次事件影響的巨大。

　　制程優(yōu)勢一路領(lǐng)先

　　雖然臺(tái)積電與三星在16 及14 納米制程上仍在激烈競爭,，但當(dāng)時(shí)的臺(tái)積電已經(jīng)開始著手新一代10 納米制程的開發(fā),，而這其中還加入臺(tái)積電后來關(guān)鍵的致勝武器──InFO 扇出型晶圓級(jí)封裝技術(shù)，并在2016 年正式推出,。事實(shí)上,，扇出型晶圓級(jí)封裝技術(shù)早在2010 年就已經(jīng)被英特爾研發(fā)出來，最初用在英特爾的行動(dòng)解決方案上,，但可惜的是,，英特爾并未堅(jiān)持下去，反而臺(tái)積電接手該技術(shù)的研發(fā),，并推出完全版的InFO 封裝技術(shù),。而該封裝技術(shù)的最大好處就是降低成本、加快芯片制造周期,，在制程良率達(dá)到最佳水平時(shí)效率尤其明顯,。

　　隨著10 納米制程之后，臺(tái)積電緊接著迎接個(gè)位數(shù)納米制程的來臨,。臺(tái)積電的第1 代7 納米制程于2017 年4 月開始開始大規(guī)模投產(chǎn),，相較于上一代的10 納米FinFET 制程技術(shù)，臺(tái)積電的7 納米制程技術(shù)在邏輯閘密度提高1.6 倍,，運(yùn)算速度增快約20%,，功耗降低約40%。至于,，第二代的7 納米（N7+）制程技術(shù),，在采用了及紫外光曝光技術(shù)（EUV） 之后，則于2018 年8 月開始試產(chǎn),。

　　而臺(tái)積電也曾表示,，自2020 年7 月份終于生產(chǎn)出了第10 億個(gè)7 納米制程芯片之后,，換句話說，7 納米制程自投產(chǎn)開始,，到生產(chǎn)出第10 億個(gè)芯片僅花費(fèi)27 個(gè)月的時(shí)間,，在平均每個(gè)月生產(chǎn)出3,700 萬片7 納米芯片的情況下，使得該制程較過去的其他制程都要更快達(dá)到其量產(chǎn)規(guī)模,。另外,，目前采用7 納米制程的客戶有數(shù)十家，其所生產(chǎn)的產(chǎn)品搭載在100 多種的產(chǎn)品上,，而如果將這10 億個(gè)內(nèi)含數(shù)十億個(gè)電機(jī)體的7 納米芯片鋪平,，則足以覆蓋13 個(gè)紐約曼哈頓。

　　緊接著7 納米制程的發(fā)展,，2020 年臺(tái)積電的5 納米制程也進(jìn)入正式的量產(chǎn)階段,。而根據(jù)臺(tái)積電公布的資料顯示，5 納米制程將會(huì)是臺(tái)積電的再一個(gè)重要制程節(jié)點(diǎn),，其中將分為N5,、N5P 兩個(gè)版本。N5 相較于前一個(gè)節(jié)點(diǎn)的N7 的7 納米制程性能要再提升15%,、功耗降低30%,。而更先進(jìn)的N5P 則將在N5 的基礎(chǔ)上再將性能提升7%、功耗降低15%,，而N5P 制程技術(shù)則預(yù)計(jì)于2021 年正式量產(chǎn)。

　　回顧歷程,，臺(tái)積電在1987 年成立時(shí)由1 座6 吋廠開始,，如今已經(jīng)發(fā)展成擁有4 座12 吋超大晶圓廠、4 座8 吋晶圓廠和1 座6 吋晶圓廠,，并擁有一家百分之百持有之海外子公司──臺(tái)積電（南京）有限公司之12 吋晶圓廠,，及2 家百分之百持有之海外子公司──WaferTech 美國子公司、臺(tái)積電（中國）有限公司之8 吋晶圓廠,，再加上4 座后段封測廠的跨國性大型半導(dǎo)體公司,。

　　截至2019 年為止，臺(tái)積電也提供最廣泛的先進(jìn)制程,、特殊制程及先進(jìn)封裝等272 種制程技術(shù),，為499 個(gè)客戶生產(chǎn)1 萬761 種不同產(chǎn)品。而2020 年前3 季也繳出,，收達(dá)新臺(tái)幣9,777.22 億元,，較2019 年同期增加29.9%，毛利率52.8%,，較2019 年同期增加8.5 個(gè)百分點(diǎn),，稅后純益3,751.19 億元,，較2019 年同期增加63.6%，每股EPS 為14.47 元的亮麗成績,。緊接著,，隨著南科3 納米廠的逐步完工，預(yù)計(jì)臺(tái)積電未來還將持續(xù)發(fā)展,，其將能為者個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來什么樣的改變,，也讓大家持續(xù)期待。