談到新一代非易失內(nèi)存（NVRAM）/存儲級內(nèi)存（SCM），ReRAM（憶阻器）、PCM（相變內(nèi)存）,、MRAM（磁性內(nèi)存）這些新技術(shù)，我就想起5年前寫的《從技術(shù)到應(yīng)用：揭開3D XPoint Memory迷霧》,。其中提到后來的Intel Optane（傲騰）應(yīng)該屬于PCM,。

　　ReRAM到現(xiàn)在還沒動靜。MRAM（包括增強的STT-MRAM）密度始終沒上去,，成本自然也下不來,，這幾年企業(yè)存儲中的應(yīng)用，我只看到IBM在SSD中用128MB MRAM替代了DRAM,。

　　至于NRAM我之前幾乎沒怎么關(guān)注過,，這次趁機補補課。

　　Nantero研發(fā)的NRAM使用了碳納米管（CNTs）技術(shù),，讀/寫延時號稱只有5ns,，并且屬于非易失性存儲介質(zhì)。

　　如上圖,，這里列出的NRAM每tile單元為64Kb,，通過水平矩陣加上多層達到256Ktiles、16Gb的密度（應(yīng)該是Die）,。如此水平用來替代基于DRAM顆粒的NVDIMM看上去比較合適,。

　　我查了之前的一些宣傳，NRAM的性能應(yīng)該與DRAM接近,，壽命遠高于NAND和NOR閃存（按道理至少是3D XPoint的水平,？），據(jù)說成本在量產(chǎn)后為DRAM的一半,，但目前工藝應(yīng)該只達到28nm,。

　　PPT上的容量何時能做到？

　　按照這個路線圖（如果能實現(xiàn)的話）,，14nm NRAM的密度能達到28nm的8倍,，同時引入8-die堆疊；如果到了7nm工藝密度還能再提高4倍,，達到單個Die 256-512Gb的水平,；加上16-die堆疊應(yīng)該就是512GB-1TB的芯片密度，只是不知何時能達到,？

　　問題是,，如今成熟的DRAM工藝還在10nm之上，而除了富士通之外,，我還沒看到哪家DRAM制造商宣傳過自己在做NRAM,。而富士通顯然已經(jīng)不算半導(dǎo)體存儲一線大廠（20多年前我在中關(guān)村還曾接觸過Fujitsu內(nèi)存條）。

　　Memory Class Storage（內(nèi)存級存儲）這樣的叫法看著有點怪，可能是因為NRAM在容量上畫的這個餅太大吧：）單die密度如果真的達到512Gb,，每條NRAM DIMM內(nèi)存條就可以做到16TB,，不過Nantero這次的ppt自始至終沒有提價格和時間點。

　　至少NRAM的成本低于3D XPoint是不太可能了,，至于性能下面倒是有一點描述,。

　　性能和功耗優(yōu)勢

　　由于不需要像SDRAM那樣耗電刷新等，在相同時鐘頻率下NRAM還能提高15%的吞吐帶寬,。Nantero估計認為DDR5是個爆發(fā)點,，但也沒有說當前NRAM能跑到的確切頻率,。

　　按照72-bit（ECC）DDR4內(nèi)存模組來做對比,，NRAM不像DRAM在讀寫刷新和自我刷新時有那么大功耗，因此可以簡化電源設(shè)計和散熱,。

　　NRAM的應(yīng)用和商業(yè)模式

　　我試著做了下面這個對比表,，如有不足歡迎大家拍磚。

　　如果NRAM真是一顆可以賺錢的大樹,，Nantero還要去搞HBM,、LPDDR等各種NVRAM嗎？

　　從技術(shù)角度,，如果NRAM真的能達到接近DRAM的性能和密度,，即使價格沒有便宜一半，直接替代主內(nèi)存帶來的好處倒是也不少,。甚至不需要像Optane Persistent Memory持久內(nèi)存那樣的Memory Mode了,。

　　以3D XPoint Memory為代表，基于存儲級內(nèi)存的NVRAM密度已經(jīng)超過DRAM,，未來可望達到8倍乃至更高,。只是不知NRAM能否真的成為這個市場的攪局者？