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富士通與Nantero達成協(xié)議 2018推新NRAM內(nèi)存

2016-09-06

       富士通半導體和三重富士通半導體上周共同宣布宣布,他們已與總部位于美國的Nantero公司達成協(xié)議,,授權該公司的碳納米管內(nèi)存NRAM)技 術,三方公司未來將致力于NRAM內(nèi)存的開發(fā)與生產(chǎn),。據(jù)了解,,借由NRAM技術所生產(chǎn)的內(nèi)存速度將是當前普通內(nèi)存的1,000倍。預計,,借由三方面的合 作,,將在2018年推出借由55納米制程所生產(chǎn)的NRAM內(nèi)存。

  在納米技術研究領域,,碳納米管(CNT)是一種很獨特的材料,,直徑只有 人類頭發(fā)的五萬分之一,能導熱導電,,硬度是鋼鐵的50倍,。在儲存領域,碳納米管通過矽基沉底也能達到0與1變化,。因此,,也可以用來當做儲存芯片使用,而且 因為其特性為非揮發(fā)性,,所以就算斷電也不會清除儲存在上面的資訊,。

  而由于碳納米管有著特別的特性,因此相較于當前的普通內(nèi)存,,NRAM芯片的具有非常強大的優(yōu)勢,。除了讀寫速度是普通閃存的1,000倍(Nanteo官網(wǎng)上表示是1,000倍)之外,同時可提供功耗更低,,更具可靠性與耐用性的內(nèi)存,,而且生產(chǎn)成本更低。

   富士通半導體系統(tǒng)內(nèi)存副總裁松宮正人表示,,借由Nantero公司的碳納米管技術而生產(chǎn)的非揮發(fā)性儲存內(nèi)存是業(yè)界的一個超越了傳統(tǒng)技術的顯著進步,。而富 士通半導體自90年代以來,,一直是在設計和生產(chǎn)非揮發(fā)性內(nèi)存FRAM(鐵電隨機存取內(nèi)存)的少數(shù)廠商之一,。因此,富士通半導體具有整合FRAM設計和生產(chǎn) 的能力,。如今再與Nantero公司達成協(xié)議之后,,未來將就由過去設計與生產(chǎn)FRAM的能力,用于開發(fā)NRAM內(nèi)存,,以滿足市場的需求,。

   Nantero董事長兼CEO Greg Schmergel指出,Nantero已經(jīng)在碳納米管的內(nèi)存儲存技術上研究了十多年,,具備生產(chǎn)NRAM內(nèi)存的先進技術,。而本次與富士通半導體與三重富士 通半導體兩家公司的合作,由于兩家公司都是全球生產(chǎn)儲存設備中最成功的企業(yè)之一,。借由其在研發(fā)與生產(chǎn)FRAM的經(jīng)驗,,未來可以在NRAM內(nèi)存的合作上產(chǎn)生 更大的效益,,建立更緊密的關系。

  不過,,對于此合作案,,有業(yè)界人士指出,Nantero公司自從2006年就說要開始生產(chǎn)碳納米管內(nèi)存 了,。但是,,到現(xiàn)在一直沒什么特別的進展。未來,,即便是跟富士通半導體達成了合做協(xié)議,,量產(chǎn)的NRAM芯片容量還是不夠大,只適合一些嵌入式設備使用,。所 以,,未來是不是能夠改變整個內(nèi)存的生態(tài),還有待進一步的觀察,。

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