《電子技術(shù)應(yīng)用》
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化合物半導(dǎo)體三強(qiáng)擴(kuò)充產(chǎn)能是為何

2020-12-18
來(lái)源:Ai芯天下

    前言:

    化合物半導(dǎo)體材料成顯學(xué),,市場(chǎng)看好未來(lái)第三代半導(dǎo)體材料的各項(xiàng)優(yōu)勢(shì),,但礙于成本仍貴,,量產(chǎn)具有難度,。

    為了加快技術(shù)上以及生產(chǎn)上的突破,,單打獨(dú)斗困難,,各方人馬進(jìn)入團(tuán)戰(zhàn)階段,,愈早把良率提升,、成本降低,、進(jìn)入量產(chǎn),愈快能享受這塊未來(lái)看好的市場(chǎng)大餅,。

    作者 | 方文

    擴(kuò)大產(chǎn)能的背后要素

    在中美貿(mào)易戰(zhàn)火持續(xù)延燒的情況下,,其實(shí)不少射頻元件設(shè)計(jì)商客戶都希望穩(wěn)懋能分散產(chǎn)能風(fēng)險(xiǎn),因此投資臺(tái)灣成了首選,。

    而且既可避開(kāi)貿(mào)易戰(zhàn)風(fēng)險(xiǎn),,又能就近獲得穩(wěn)懋的各種服務(wù)與支援,。

    著眼于未來(lái)幾年5G網(wǎng)絡(luò)逐漸成熟,5G手機(jī)滲透率逐年上升,,將進(jìn)一步帶動(dòng)5G PA的需求提升,。

    隨著全球智能手機(jī)業(yè)者繼臉部等生物識(shí)別技術(shù)之后,進(jìn)一步接入3D傳感技術(shù)于AR應(yīng)用上,,發(fā)展前景可期,,也讓穩(wěn)懋對(duì)于未來(lái)化合物半導(dǎo)體代工需求持續(xù)抱持樂(lè)觀期待。

    5G設(shè)備的需求讓化合物半導(dǎo)體應(yīng)用猛增

    5G對(duì)于設(shè)備性能和功率效率提出了更高的要求,,特別是在基站端,,基站數(shù)量和單個(gè)基站成本雙雙上漲,這將會(huì)帶來(lái)市場(chǎng)空間的巨大增長(zhǎng),。

    2021年全球5G宏基站PA和濾波器市場(chǎng)將達(dá)到243.1億元人民幣,,年均復(fù)合增長(zhǎng)率CAGR為162.31%;

    2021年全球4G和5G小基站射頻器件市場(chǎng)將達(dá)到21.54億元人民幣,,CAGR為140.61%,。

    由于基站越來(lái)越多地用到了新技術(shù),這對(duì)相應(yīng)產(chǎn)業(yè)鏈提出了更多需求,。預(yù)計(jì)到2022年,,4G/ 5G基礎(chǔ)用的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到16億美元。

    其中,,MIMO PA的年復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)到135%,,射頻前端模塊的年復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)到 119%。

    基站用PA,、RF市場(chǎng)空間巨大,,但其性能和功率效率問(wèn)題亟待解決。在這樣的背景下,,新工藝技術(shù)替代傳統(tǒng)工藝早已被提上了議事日程,。

    蘋(píng)果擴(kuò)大自研范圍與穩(wěn)懋?dāng)U大合作

    進(jìn)入5G、甚至6G時(shí)代,,射頻元件因肩負(fù)無(wú)線通訊品質(zhì)的重責(zé)大任,,且攸關(guān)用戶體驗(yàn),因此蘋(píng)果才會(huì)想要取回主導(dǎo)權(quán),。

    蘋(píng)果將自行設(shè)計(jì)射頻射頻組件,,不再依賴博通、Qorvo等供貨,,而是設(shè)計(jì)完成后,,交由砷化鎵半導(dǎo)體巨頭穩(wěn)懋代工,這有點(diǎn)類似于M1,、A系列處理器在蘋(píng)果設(shè)計(jì)后,,交給臺(tái)積電代工的模式,。

    穩(wěn)懋目前在全球功率放大器市占高達(dá)七成,市面上幾乎射頻元件設(shè)計(jì)商都是穩(wěn)懋的客戶,,而穩(wěn)懋目前月產(chǎn)能4.1萬(wàn)片,,也遙遙領(lǐng)先業(yè)界競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,遂成為蘋(píng)果積極合作的主要對(duì)象,。

    穩(wěn)懋在5G手機(jī)導(dǎo)入初期就已取得高于市場(chǎng)平均的市場(chǎng)占有率表現(xiàn),,可以理解為是非蘋(píng)手機(jī)的5GPA主要都來(lái)自穩(wěn)懋,顯示穩(wěn)懋在5G手機(jī)PA的代工龍頭的穩(wěn)固地位已經(jīng)創(chuàng)建,。

    穩(wěn)懋今年無(wú)預(yù)警宣布大手筆斥資850億元新臺(tái)幣擴(kuò)產(chǎn),,產(chǎn)能全數(shù)開(kāi)出后,月產(chǎn)能更可達(dá)到目前的三倍多,,直接從4.1萬(wàn)片擴(kuò)增到了14萬(wàn)至15萬(wàn)片,。

    穩(wěn)懋正在全球5G發(fā)展的浪頭上,據(jù)需占領(lǐng)全球砷化鎵市場(chǎng),,穩(wěn)懋因而宣布斥資850億元在高雄南科園區(qū)大擴(kuò)產(chǎn),,借此加速邁向下一個(gè)黃金成長(zhǎng)期。

    此外,,穩(wěn)懋半導(dǎo)體已經(jīng)加入SpaceX星鏈計(jì)劃的供應(yīng)商團(tuán)隊(duì),,穩(wěn)懋將會(huì)為星鏈計(jì)劃提供功率放大器。穩(wěn)懋半導(dǎo)體將會(huì)隨著星鏈計(jì)劃的推進(jìn)持續(xù)受益,,得到更好的發(fā)展,。

    GCS聯(lián)合投產(chǎn)瞄準(zhǔn)高端射頻前端應(yīng)用

    GCS高端化合物半導(dǎo)體制造項(xiàng)目由美國(guó)GCS公司、武岳峰資本,、臺(tái)灣晶元光電股份有限公司,、無(wú)錫卓勝微電子等投資,總投資100億元,。

    GCS高端化合物半導(dǎo)體制造項(xiàng)目預(yù)計(jì)今年年底投產(chǎn),目前項(xiàng)目一期正在對(duì)晶品光電(常州)有限公司的現(xiàn)有空置廠房4000平方米場(chǎng)地進(jìn)行裝修改造,,預(yù)計(jì)今年底能夠投產(chǎn),。

    項(xiàng)目通過(guò)建設(shè)化合物半導(dǎo)體及微機(jī)電系統(tǒng)生產(chǎn)線,用于高端射頻前端應(yīng)用及光電子應(yīng)用的半導(dǎo)體制造,。

    宏捷科明年擴(kuò)產(chǎn)增幅最大

    宏捷科今年以來(lái)由于臺(tái)灣地區(qū)IC設(shè)計(jì)客戶Wi-Fi6產(chǎn)品拉貨需求強(qiáng)勁,,以及大陸地區(qū)IC設(shè)計(jì)客戶轉(zhuǎn)單效應(yīng)持續(xù)發(fā)揮。

    因而增加4G PA委外予宏捷科代工,,甚至連5G PA也有部分開(kāi)始轉(zhuǎn)單,,使?fàn)I收占比再度明顯回升,帶動(dòng)宏捷科今年前11個(gè)月?tīng)I(yíng)收31.96億元,、年增65%,。

    宏捷科因應(yīng)美系射頻元件客戶轉(zhuǎn)單持續(xù),、切入美系及中系5GPA客戶、Wi-Fi6需求持續(xù),,明年1月新廠將新增5千片月產(chǎn)能,,預(yù)計(jì)開(kāi)出后即可填滿,并計(jì)劃再啟動(dòng)擴(kuò)產(chǎn),。

    整體明年新廠合計(jì)將開(kāi)出1.2萬(wàn)片月產(chǎn)能,,將較目前約1萬(wàn)片月產(chǎn)能高一倍以上;宏捷科原本規(guī)畫(huà)明年擴(kuò)產(chǎn)5千片月產(chǎn)能,,如今擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃提前,、規(guī)模提升,顯示接單需求增加,。

    穩(wěn)懋在今年3月加碼砷化鎵代工二哥宏捷科,,并持股1.06%,成為后者前十大股東,。

    硅芯片大廠環(huán)球晶與宏捷科的策略私募入股,,集成上下游產(chǎn)業(yè)鏈的能力完成互補(bǔ),加快開(kāi)發(fā)腳步以及瓶頸,,打團(tuán)戰(zhàn)比單打獨(dú)斗,,更快可獲取市場(chǎng)。

    中美晶宣布斥資34.965億新臺(tái)幣參與臺(tái)灣砷化鎵代工廠宏捷科私募案,,將持有宏捷科22.53%股權(quán)成為大股東,。

    

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    看準(zhǔn)氮化鎵代工是下一個(gè)重要征程

    今年以來(lái),氮化鎵器件不僅隨著5G建設(shè)的快速發(fā)展而大規(guī)模出貨,,而且在手機(jī)充電器領(lǐng)域也獲得了OPPO,、小米、華為等眾多手機(jī)品牌的青睞,,市場(chǎng)應(yīng)用正在加速擴(kuò)張,。

    在晶圓代工產(chǎn)能方面,臺(tái)灣砷化鎵晶圓代工龍頭穩(wěn)懋已開(kāi)始提供6英寸GaN-on-SiC晶圓代工服務(wù),,應(yīng)用瞄準(zhǔn)高功率PA及天線,;

    而美國(guó)砷化鎵晶圓代工廠商環(huán)宇也擁有4英寸GaN-on-SiC高功率PA產(chǎn)能,且6英寸GaN-on-SiC晶圓代工技術(shù)已通過(guò)認(rèn)證,。

    國(guó)內(nèi)方面,,三安集成已經(jīng)推出了氮化鎵E-HEMT工藝的晶圓代工;海威華芯也開(kāi)始提供6英寸GaN-on-SiC晶圓代工服務(wù),,應(yīng)用以射頻工藝為主,,功率GAN器件代工也在研發(fā)中。

    

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    結(jié)尾:

    未來(lái)氮化鎵等化合物半導(dǎo)體材料元件不管是應(yīng)用于車用充電樁、消費(fèi)3C產(chǎn)品快充的功率元件,、或是射頻,、基地臺(tái)用微波通訊元件,應(yīng)用量能沖刺可期,。

    化合物半導(dǎo)體代工市場(chǎng)也將隨之增長(zhǎng),,包括臺(tái)積電、漢磊,、世界先進(jìn)等晶圓代工廠以及穩(wěn)懋,、宏捷科、環(huán)宇,、三安集成,、海威華芯等砷化鎵代工廠也將開(kāi)啟新的征程。

    

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