元旦節(jié)假日期間，國外知名博主在推特上透露了華為最新研發(fā)芯片的進展,。這名叫Teme（特米）的博主表示,，華為下一代旗艦芯片“麒麟9010”將采用3nm工藝打造,。

（截圖源自推特）

不過元旦假期結(jié)束，該名博主卻更改了自己的說法，也許是一開始搞錯了,，該博主表示：目前有兩款處理器正在研發(fā)中,，其中麒麟9010將采用5nm ＋工藝，而麒麟9020則會采用3nm工藝,。

（截圖源自推特）

按照之前華為受美國禁令顯示的回應來看,，華為在接下來的兩年里，5nm工藝都會是其手機產(chǎn)品的主力芯片,。而根據(jù)臺積電和三星透露的3nm研發(fā)進展,，最快也要2022年才能落地。

縱觀各方3nm進展,，誰能替華為代工,？

此前華為曾宣布要在新材料和終端制造方面突破技術瓶頸，同時還表示將會對華為海思繼續(xù)投資,，未來將會有一個更為強大的海思歸來,，攻克難題，無非是時間問題,、工藝問題以及成本問題,。

結(jié)合華為旗下哈勃投資一直以來對數(shù)家國內(nèi)半導體的投資動態(tài)來看，全面進入芯片半導體領域或許不是一句空話,。

眾所周知,，華為因美國禁令限制，臺積電已經(jīng)無法再繼續(xù)為其供應5nm芯片,。但并不意味著華為會放棄更先進芯片的研發(fā)設計,，只要晶圓代工廠擁有相應的工藝制程技術，那么華為依然可以設計研發(fā)出來進行流片測試,，萬一以后禁令解除了,，也不至于落后一程。

提到3nm工藝,，放眼望去，目前全球只有三星和臺積電透露過相關信息,。由于FinFET晶體管一度被認為只能延續(xù)到5nm節(jié)點,，因此三星計劃在3nm工藝研發(fā)上轉(zhuǎn)換賽道，采用GAA環(huán)繞柵極晶體管技術,?；谌碌腉AA晶體管結(jié)構，三星通過使用納米片設備制造出了MBCFET（Multi－Bridge－Channel FET,，多橋－通道場效應管）,，該技術可以顯著增強晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術。

此外,，MBCFET技術還能兼容現(xiàn)有的FinFET制造工藝的技術及設備,，從而加速工藝開發(fā)及生產(chǎn)。

具體來說,，與現(xiàn)在的7nm工藝相比,，3nm工藝可將核心面積減少45％，功耗降低50％,，性能提升35％,。

（圖片源自OFweek維科網(wǎng)）

毫無疑問，這是三星在3nm節(jié)點上的一次“豪賭”,?；蛟S是為了扭轉(zhuǎn)此前5nm工藝落后的局面，大規(guī)模上馬GAA技術的手段明顯是較為激進的,，而這到底能否幫助三星追上臺積電,，我們拭目以待。

另一方,， 臺積電所透露的3nm工藝進展看起來更加穩(wěn)當,，臺積電沒有像三星那樣選擇GAA晶體管技術，而是延續(xù)采納FinFET晶體管技術進行開發(fā),。其3nm工藝與5nm工藝相比,，相同功耗下性能提升約10～15％，相同性能下功耗減少約25～30％,，前者邏輯區(qū)域密度提升1．7倍,，但SRAM密度僅提升20％，模擬電路部分密度提升約10％,，因此芯片層面上可能僅縮小26％左右,。

在生產(chǎn)方面，臺積電的3nm晶圓廠坐落在臺灣南科園區(qū),，占地28公頃,，位置緊鄰臺積電的5nm工廠。據(jù)悉,，臺積電3nm項目投資超過6000億新臺幣,，約為194億美元或者1347億人民幣，2020年開始建廠,，2021年完成設備安裝,，計劃3nm芯片在2021 年進入風險性試產(chǎn)，2022 年下半年實現(xiàn)量產(chǎn),。

美國禁令之下,，華為3nm能否誕生很難說

先進芯片的研發(fā)說到底只是證明企業(yè)是否有這個實力,，那到底能不能生產(chǎn)上市或許就要看“命”了。華為要在臺積電和三星之間二選一無疑是個大難題,，臺積電已經(jīng)被明確禁止替華為代工先進制程,，三星又怎會敢在這個風口浪尖上出頭呢？

很明顯,，特朗普時代我們看到的是美國不遺余力地打壓華為,，從最早的元器件管控到一步步列入“實體清單”，到最后直接切斷臺積電與其之間的合作關系,，華為的5G實力深深地動搖了美國的科技霸權地位,。

當前正值美國大選交替之際，很多人將希望寄托于拜登上臺后對華寬松的政策,。但實際上,，是否打壓華為并不只是特朗普或拜登一個人的想法，而是整個美國科技霸權受到威脅時的慣用做法,。真正想要半導體產(chǎn)業(yè)不受制于人,，不被外國“卡脖子”，倒不如積極重視以前發(fā)展不足的地方,，重新投入資源發(fā)展,。