賓夕法尼亞,、MALVERN — 2021年1月11日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布,，推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的100 V p溝道TrenchFET? MOSFET---SQJ211ELP,，用以提高汽車應(yīng)用功率密度和能效。Vishay Siliconix SQJ211ELP不僅是業(yè)內(nèi)首款鷗翼引線結(jié)構(gòu)5 mm x 6 mm 緊湊型PowerPAK? SO-8L封裝器件,，而且10 V條件下其導(dǎo)通電阻僅為30 mW,，達(dá)到業(yè)內(nèi)優(yōu)異水平。

日前發(fā)布的新款汽車級MOSFET與最接近的DPAK和D2PAK封裝競品器件相比,，導(dǎo)通電阻分別降低26 %和46 %,，占位面積分別減小50 %和76 %。SQJ211ELP低導(dǎo)通電阻有助于降低導(dǎo)通功耗,，從而節(jié)省能源,，10 V條件下優(yōu)異的柵極電荷僅為45 nC，減少柵極驅(qū)動損耗,。

這款新型MOSFET可在+175°C高溫下工作,，滿足反向極性保護(hù)、電池管理,、高邊負(fù)載開關(guān)和LED照明等汽車應(yīng)用牢固性和可靠性要求,。此外，SQJ211ELP鷗翼引線結(jié)構(gòu)還有助于提高自動光學(xué)檢測（AOI）功能,，消除機(jī)械應(yīng)力,，提高板級可靠性。

器件100 V額定值滿足12 V,、24 V和48 V系統(tǒng)多種常用輸入電壓軌所需安全裕度,。此外，作為p溝道MOSFET,，SQJ211ELP可簡化柵極驅(qū)動設(shè)計,，無需配置n溝道器件所需電荷泵,。 MOSFET采用無鉛（Pb）封裝、無鹵素,、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),，經(jīng)過100 % Rg和UIS測試。

SQJ211ELP現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),，供貨周期為14周。