在本月初,，美光公布了截止到12月3日的2021財(cái)年第一季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示,，公司在本季度的收入達(dá)到57.7億美元,，同比增長12％。在凈收入方面則同比增長63.5％到8.03億美元,。據(jù)美光總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在財(cái)報(bào)會上所說：“內(nèi)存和存儲行業(yè)的營收增長速度超過了整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè),，從2000年初的約10％增長到現(xiàn)在的近30％?！?br/>

　　美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana 先生在日前的一場媒體會上也告訴半導(dǎo)體行業(yè)觀察記者,，展望下一個(gè)十年，我們可以看到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的增長將會比全球的GDP增長更快,。尤其是在包括DRAM和NAND Flash在內(nèi)的存儲產(chǎn)業(yè),，這個(gè)成長需求將會更高。這主要得益于類似云,、邊緣智能,、5G基礎(chǔ)設(shè)施、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和智聯(lián)汽車在內(nèi)的新趨勢帶來的推動,。

　　2021年的全球存儲市場預(yù)測

　　“這將給美光創(chuàng)造很多新的機(jī)會”,，Sumit Sadana補(bǔ)充說。

　　廣泛的產(chǎn)品布局

　　眾所周知,，美光是一個(gè)以存儲技術(shù)聞名的企業(yè),，尤其是DRAM產(chǎn)品，更是美光得以傲視存儲市場的重要倚仗。根據(jù)公司最新一季的財(cái)報(bào),，DRAM貢獻(xiàn)了70％左右的營收（約40.56億美元）,，當(dāng)中不但包括了大家廣為熟悉的DDR和LPDDR產(chǎn)品，并推出了類似LPDDR5這些 新產(chǎn)品外,。美光還有HBM2E和GDDR等技術(shù),，其中最近針對AI和GPU對高帶寬需求而推出的GDDR6X更是創(chuàng)下了記錄。

　　2020年9月,，美光與圖形計(jì)算技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者 NVIDIA 合作,，首次在全新的 NVIDIA GeForce RTX 3090 和 GeForce RTX 3080 圖形處理器（GPU）中搭載了GDDR6X。據(jù)美光介紹,，自 2006 年起,，公司的工程師和研究人員已開始探索在內(nèi)存接口應(yīng)用多級信號技術(shù)。在申請了 45 項(xiàng)專利后,，美光率先在內(nèi)存中應(yīng)用 PAM4,，為下一代圖形內(nèi)存樹立了新標(biāo)桿。

　　美光表示,，通過采用 PAM4 多級信號技術(shù),，他們的GDDR6X實(shí)現(xiàn)了更快的數(shù)據(jù)傳輸，輸入/輸出 （I/O） 數(shù)據(jù)速率提升了一倍,。從他們的介紹我們得知,，此前，顯存帶寬最高可達(dá) 64 GB/s,，傳統(tǒng)二進(jìn)制標(biāo)準(zhǔn)依賴兩級信號傳輸編碼為 1s 或 0s 的數(shù)據(jù),，每周期可傳輸一位數(shù)據(jù)。而美光新型的 PAM4 技術(shù)采用四個(gè)不同層級,，同時(shí)向內(nèi)存輸入及輸出兩位數(shù)據(jù),。由此，美光的 GDDR6X 將單顆粒的內(nèi)存帶寬顯著提升至 84 GB/s,，從而使系統(tǒng)帶寬提升為之前無法想象的1 TB/s,。

　　此外，GDDR6X實(shí)現(xiàn)了更低的單任務(wù)能耗 （pJ/bit）,，通過更快的速度和更低的功耗,，滿足游戲和其他高帶寬圖形應(yīng)用等高能耗工作負(fù)載。GDDR6X 還具有調(diào)整功耗高低的功能用戶可調(diào)低性能節(jié)省能耗,。

　　NAND Flash則是美光第二大營收來源,，財(cái)報(bào)顯示，來自這個(gè)業(yè)務(wù)部門的營收在公司總營收中占比27%（約15.74億美元）,。這主要得益于公司在QLC NAND方面布局,。而這又是美光存儲的另一個(gè)“殺手锏”,。

　　熟悉存儲產(chǎn)業(yè)的讀者應(yīng)該知道，NAND Flash有四種架構(gòu),，分別是SLC,，MLC，TLC和QLC,，分別代表一個(gè)存儲單元里里可存放1,、2、3和4位元的數(shù)據(jù),。其中LC儲存單元中儲存的更多的元數(shù)據(jù),，消費(fèi)者可以用更低的 價(jià)格獲得更多的容量！但代價(jià)是降低效能和壽命,，為此當(dāng)前大多數(shù)閃存公司都是選用TLC,。但美光表示，公司先進(jìn)的QLC技術(shù),，克服了SSD成本過高的問題,，保留了強(qiáng)大效能，無論是實(shí)時(shí)分析,，機(jī)器學(xué)習(xí)或人工智能應(yīng)用，QLC NAND都將成為最得力助力,。

　　財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示,，在2020年第二財(cái)季，美光QLC SSD的位出貨量環(huán)比增長60％,，當(dāng)中相當(dāng)一部分消費(fèi)類SSD現(xiàn)在采用QLC技術(shù)發(fā)貨,。由此可以看到美光的QLC NAND Flash技術(shù)在市場上的認(rèn)可度的提升。

　　除了以上兩種產(chǎn)品外,，美光還有3D XPoint的布局,。按照美光所說，他們是市場上唯一同時(shí)擁有DRAM,、NAND Flash和3D Xpoint存儲產(chǎn)品線的企業(yè),。所謂3D XPoint，是一項(xiàng)旨在填補(bǔ)動態(tài)DRAM和 NAND 閃存之間的存儲市場空白的技術(shù),。

　　2019年10月 ,，美光終于推出號稱世界上最快的SSD--美光X100 SSD，這是3D XPoin技術(shù)在非易失性存儲器領(lǐng)域的突破,。按照他們介紹,，這個(gè)產(chǎn)品在當(dāng)時(shí)擁有高性能本地存儲、業(yè)界最高的帶寬,、超低延遲,、應(yīng)用程序加速、小型存儲中的高性能和易于采用等特性。雖然這個(gè)產(chǎn)品的銷售并不盡如人意,，但從多方消息看來,，美光會繼續(xù)在上面進(jìn)行投入，將其拓寬到更多的領(lǐng)域,。

　　在存儲方面,，美光還有Nor Flash等技術(shù)，這些高性能的產(chǎn)品被應(yīng)用到了汽車等多個(gè)領(lǐng)域,，而為了保護(hù)客戶的安全,，美光還提供了業(yè)界領(lǐng)先的安全技術(shù)。如由美光所提供的Authenta技術(shù),，可以讓美光與生態(tài)體系的不同伙伴一起合作,，是的設(shè)備在大規(guī)模部署出去的時(shí)候，都是安全的,，不會受到黑客或者是網(wǎng)絡(luò)安全,、網(wǎng)絡(luò)威脅相關(guān)事情的影響。

　　新存儲技術(shù)亮相

　　能在存儲領(lǐng)域保持多年的領(lǐng)先地位,，深厚的技術(shù)積累和因應(yīng)市場需求推出高性價(jià)比的產(chǎn)品在其中發(fā)揮了重要的作用,，例如最近，美光推出的全新NAND Flash和DRAM技術(shù),，就為他們迎來數(shù)據(jù)爆發(fā)新時(shí)代做好了準(zhǔn)備,。

　　首先看NAND Flash方面。正如很多文章里所說,，為了提升NAND Flash的存儲密度,，在過去多年里，行業(yè)廠商已經(jīng)從2D NAND走向了3D NAND,，并在最近幾年的發(fā)展中,，將3D NAND Flash的層數(shù)和密度進(jìn)一步提升。在2020年11月,，美光宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存,，這又一次刷新了行業(yè)的記錄。

　　據(jù)介紹,，該款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用美光第五代 3D NAND 技術(shù)和第二代替換柵極架構(gòu),，是市場上最先進(jìn)的 NAND 技術(shù)節(jié)點(diǎn)。與美光的上一代大容量 3D NAND 產(chǎn)品相比,，176 層 NAND 將數(shù)據(jù)讀取和寫入延遲縮短了 35% 以上,，極大地提高了應(yīng)用的性能。（對比數(shù)據(jù)基于美光大容量浮動?xùn)艠O 96 層 NAND,。如對比 128 層替換柵極 NAND,，美光 176 層 NAND產(chǎn)品的數(shù)據(jù)讀取和寫入延遲均降低 25% 以上）,。因?yàn)椴捎镁o湊型的設(shè)計(jì)，美光176 層 NAND的 裸片尺寸比市場最接近同類產(chǎn)品縮小近 30%,，是滿足小尺寸應(yīng)用需求的理想解決方案,。

　　美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 則指出：“美光的 176 層 NAND 樹立了閃存行業(yè)的新標(biāo)桿，與最接近的競爭對手同類產(chǎn)品相比,，堆疊層數(shù)多出近 40%,。結(jié)合美光的 CMOS 陣列下 （CMOS-under-array） 架構(gòu)，該項(xiàng)技術(shù)幫助美光繼續(xù)在成本方面保持行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢,?！?/p>

　　與此同時(shí)，同時(shí),，美光還將 NAND 單元技術(shù)從傳統(tǒng)的浮動?xùn)艠O過渡到電荷捕獲,，提高了未來 NAND 的可擴(kuò)展性和性能。除了電荷捕獲技術(shù),，美光還采用了替換柵極架構(gòu),，利用其中的高導(dǎo)電性金屬字線取代硅層，實(shí)現(xiàn)了出類拔萃的 3D NAND 性能,。采用該技術(shù)后,，讓美光將大幅度降低成本，繼續(xù)領(lǐng)跑業(yè)界,。

　　其次再看DRAM方面,，為了進(jìn)一步提升其密度、功耗和性能,，美光領(lǐng)先于業(yè)界推出了 1α DRAM制程技術(shù)。

　　據(jù)介紹,，美光的1α節(jié)點(diǎn)繼續(xù)使用6F2位線設(shè)計(jì),。但公司已經(jīng)實(shí)施了許多創(chuàng)新，以采用最新的制造工藝來縮小其DRAM,。從數(shù)據(jù)來看,，如上圖所示，對比其上一代的 1z DRAM 制程,，美光1α 技術(shù)將內(nèi)存密度提升了 40%,，還能使內(nèi)存解決方案更節(jié)能、更可靠,，并為需要最佳低功耗 DRAM 產(chǎn)品的移動平臺帶來運(yùn)行速度更快的 LPDDR5,。據(jù)美光方面透露，1α 技術(shù)能為移動行業(yè)提供最低功耗的 DRAM 平臺,，實(shí)現(xiàn)了 15% 的節(jié)能,，使 5G 用戶在不犧牲續(xù)航的同時(shí)能在手機(jī)上進(jìn)行更多任務(wù)操作,。

　　美光及貿(mào)易部指出，1α 先進(jìn)內(nèi)存節(jié)點(diǎn)提供 8Gb 至 16Gb 的密度,，將助力美光現(xiàn)有的 DDR4 和 LPDDR4 系列產(chǎn)品延長生命周期,，并能為美光在服務(wù)器、客戶端,、網(wǎng)絡(luò)和嵌入式領(lǐng)域的客戶提供更低功耗,、更可靠的產(chǎn)品及更全面的產(chǎn)品支持，從而降低客戶再次驗(yàn)證的成本,。對于具備較長產(chǎn)品生命周期的汽車嵌入式解決方案,、工業(yè) PC 和邊緣服務(wù)器等應(yīng)用場景而言，美光的1α 制程同樣保證了在整個(gè)系統(tǒng)生命周期內(nèi)更具優(yōu)勢的總體擁有成本,。

　　關(guān)于缺貨,、EUV和其他

　　在存儲產(chǎn)業(yè)，現(xiàn)在的關(guān)注熱點(diǎn)除了缺貨,、漲價(jià)和產(chǎn)能規(guī)劃外,，DRAM產(chǎn)業(yè)對EUV的采用也是另一個(gè)重點(diǎn)。針對這些問題,，美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana 先生在日前的舉辦的媒體會上都做了一一回答,。

　　首先在存儲缺貨問題上，Sumit Sadana 回應(yīng)道,，在疫情一開始的時(shí)候,，美光發(fā)現(xiàn)來自汽車行業(yè)或者是智能手機(jī)行業(yè)的需求是下降的。但是到后來,，他們看到這方面的需求也大幅度復(fù)蘇?，F(xiàn)在，美光看到針對半導(dǎo)體的設(shè)備,，汽車客戶,、PC客戶，還有客戶端設(shè)備的生產(chǎn)客戶,，他們都有非常強(qiáng)勁的需求,。這 也影響到了存儲產(chǎn)品的的供需平衡。

　　“我們的確是在某些DRAM的業(yè)務(wù)方面出現(xiàn)了緊缺的現(xiàn)象,，一些運(yùn)營狀況受到了影響,。比如說在2021年自然年的第一季度，我們已經(jīng)看到某一些DRAM產(chǎn)品的價(jià)格有所上漲,。在整個(gè)2021年自然年,，我們認(rèn)為這個(gè)需求不斷上升的趨勢只會持續(xù)下去，所以供給緊俏的現(xiàn)象也還會持續(xù)下去,，可能還會持續(xù)幾年,，因?yàn)檎麄€(gè)市場就是處在供不應(yīng)求的狀態(tài)”,，Sumit Sadana 告訴記者。

　　他同時(shí)表示,，在NAND技術(shù)方面這部分的情況就不太相同,。他指出，目前市場上的NAND供應(yīng)還是充足的,。不過隨著價(jià)格的浮動,，美光認(rèn)為NAND這方面的產(chǎn)品也會出現(xiàn)價(jià)格彈性，但市場會自行調(diào)節(jié),，NAND的產(chǎn)能也會隨之有所調(diào)整,。縱觀2021年,，美光相信NAND的產(chǎn)能也會穩(wěn)定下來,。

　　在問到美光對于將EUV光刻機(jī)引入到DRAM的規(guī)劃的時(shí)候，Sumit Sadana 強(qiáng)調(diào),，美光一直持續(xù)在評估EUV的技術(shù),，也與生產(chǎn)EUV基臺工具的廠商在合作。但目前還是處在研發(fā)的模式之下,。公司目前對EUV的態(tài)度是評估什么時(shí)候是最佳的時(shí)機(jī)——最具成本效益和經(jīng)濟(jì)效益的節(jié)點(diǎn),，到那時(shí)，美光可以將EUV技術(shù)納入公司的產(chǎn)品組合里面,。

　　但他也指出,，美光一直都能夠引領(lǐng)業(yè)界的技術(shù)，特別是在使用多重曝光浸潤式光刻（multi-patterning immersion lithograph）的部分,，所以我們在DRAM的部分,，在不同的節(jié)點(diǎn)上都可以更有成本效益。

　　“公司在多重曝光浸潤式光刻方面的技術(shù)非常成熟,，所以我們認(rèn)為不需要過早引進(jìn)EUV的技術(shù)”,，Sumit Sadana 強(qiáng)調(diào)。

　　在談到中國存儲公司崛起帶來的潛在影響的時(shí)候,，Sumit Sadana表示，美光對此也保持關(guān)注,。他同時(shí)也指出,，公司在其中要關(guān)注的還不只是競爭對手技術(shù)方面的發(fā)展，還需要去關(guān)注他們的制程技術(shù),，以及是不是能夠大規(guī)模量產(chǎn),？量產(chǎn)的可靠性如何？是不是能夠符合客戶所期待和所要求的品質(zhì)等問題,。

　　而為了更好地應(yīng)對市場對存儲的需求,，美光希望持續(xù)投入資本去發(fā)展公司的存儲產(chǎn)業(yè),。當(dāng)中的一部分資本支出支撐他們搭建更多的晶圓廠空間，更多的無塵室/潔凈室（clean room space）,，因?yàn)槊恳淮碌募夹g(shù)會使用到的工具,、機(jī)臺都越來越多，只有這樣做這才能達(dá)成美光所有的晶圓都是在最好的狀態(tài)下開始生產(chǎn)的目的,。除此之外,，美光一部分的資本支出會用來擴(kuò)充美光內(nèi)部做封測的一些設(shè)施。

　　隨著新興應(yīng)用的蓬勃發(fā)展,，一個(gè)屬于存儲的新時(shí)代正式崛起,。全新的市場競爭格局又給當(dāng)中的供應(yīng)商帶來了前所未有的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。而美光似乎已經(jīng)做好了充分準(zhǔn)備,。