中國(guó)上海,，2021年3月16日電——中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中微公司”,，上交所股票代碼：688012）在SEMICON China 2021期間正式發(fā)布了新一代電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備Primo Twin-Star?，用于IC器件前道和后道制程導(dǎo)電/電介質(zhì)膜的刻蝕應(yīng)用,。

中微公司雙反應(yīng)臺(tái)電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備Primo Twin-Star^?

基于中微公司業(yè)已成熟的單臺(tái)反應(yīng)器的電感耦合等離子體（ICP）刻蝕技術(shù)和雙臺(tái)反應(yīng)器的Primo平臺(tái),，Primo Twin-Star?為電介質(zhì)前道/后道制程,、多晶硅刻蝕、DTI和BSI刻蝕等提供了高性價(jià)比的刻蝕解決方案,。它的創(chuàng)新設(shè)計(jì)包括：Primo Twin-Star?使用了雙反應(yīng)臺(tái)腔體設(shè)計(jì)和低電容耦合3D線圈設(shè)計(jì),，創(chuàng)新的反應(yīng)腔設(shè)計(jì)可最大程度減弱非中心對(duì)稱(chēng)抽氣口效應(yīng)，通過(guò)采用多區(qū)溫控靜電吸盤(pán)（ESC）增強(qiáng)了對(duì)關(guān)鍵尺寸均勻性和重復(fù)性的控制,。

憑借這些優(yōu)異的性能和其他特性,，與其他同類(lèi)設(shè)備相比，Primo Twin-Star? 以更小的占地面積,、更低的生產(chǎn)成本和更高的輸出效率,，進(jìn)行ICP適用的邏輯和存儲(chǔ)芯片的介質(zhì)和導(dǎo)體的各種刻蝕應(yīng)用，并用于功率器件和CMOS圖像傳感器（CIS）的刻蝕應(yīng)用,。由于Primo Twin-Star?反應(yīng)器在很多方面采取了和單臺(tái)機(jī)Primo nanova?相同或相似的設(shè)計(jì),，在眾多的刻蝕應(yīng)用中，Primo Twin-Star?顯示了和單臺(tái)反應(yīng)器相同的刻蝕結(jié)果,。這就給客戶提供了高質(zhì)量,、高輸出和低成本的解決方案。

中微公司的Primo Twin-Star?刻蝕設(shè)備已收到來(lái)自國(guó)內(nèi)領(lǐng)先客戶的訂單,。目前,，首臺(tái)Primo Twin-Star?設(shè)備已交付客戶投入生產(chǎn)，良率穩(wěn)定,。公司還在進(jìn)行用于不同刻蝕應(yīng)用的多項(xiàng)評(píng)估,。Primo Twin-Star?設(shè)備優(yōu)化了中微公司電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備產(chǎn)品線。

“現(xiàn)在的制造商對(duì)于生產(chǎn)成本日益敏感,，我們的目標(biāo)是為客戶提供技術(shù)創(chuàng)新,、高生產(chǎn)率和高性價(jià)比的ICP刻蝕解決方案?！敝形⒐炯瘓F(tuán)副總裁兼等離子體刻蝕產(chǎn)品事業(yè)總部總經(jīng)理倪圖強(qiáng)博士說(shuō)道,，“Primo Twin-Star?設(shè)備已在各類(lèi)前道/后道制程、用于功率器件和CIS應(yīng)用的深溝槽隔離刻蝕（DTI）中表現(xiàn)出卓越的性能,。通過(guò)提供兼具這些優(yōu)異性能和高性價(jià)比的解決方案,，我們不僅幫助客戶解決了技術(shù)難題，同時(shí)最大程度地提升了其投資效益,?！?/p>