據(jù)彭博社報(bào)道，ASML 首席執(zhí)行官Peter Wennink日前表示,，對華出口管制不僅不能停止其技術(shù)進(jìn)步，而且還會損害美國經(jīng)濟(jì)。此前,，華盛頓和北京之間的貿(mào)易緊張局勢導(dǎo)致該荷蘭公司的先進(jìn)芯片設(shè)備在中國的銷售受到限制,。
Wennink在周三的在線行業(yè)活動中說：“我相信，如果您確定存在經(jīng)濟(jì)風(fēng)險(xiǎn),，那么出口管制將不是管理經(jīng)濟(jì)風(fēng)險(xiǎn)的正確方法,，他進(jìn)一步指出，如果您讓中國無法獲得技術(shù),，這也將使非中國經(jīng)濟(jì)體失去大量工作和大量收入,。
Wennink說，由于缺乏外國技術(shù),，中國需要很長時(shí)間才能建造自己的半導(dǎo)體設(shè)備和技術(shù),，但這個(gè)決定帶來的結(jié)果是最終非中國公司將被排除在全球最大的芯片市場之一之外。
據(jù)美國商務(wù)部估計(jì),，如果美國與中國在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上的業(yè)務(wù)被完全切斷,，則會影響美國粵800億至1,000億美元的銷售并造成125,000個(gè)工作崗位的丟失。
ASML是制造尖端芯片所需的先進(jìn)的極紫外光刻設(shè)備的壟斷者,，它是三星電子公司和臺灣半導(dǎo)體制造公司的重要供應(yīng)商,，按照他們的計(jì)劃，他們本來想大舉進(jìn)軍中國,，而北京方面希望建立一個(gè)世界一流的本土芯片產(chǎn)業(yè),，以擺脫國外進(jìn)口的依賴。要達(dá)成這項(xiàng)成就,，將需要ASML的一種EUV機(jī)器,。然而，由于持續(xù)的貿(mào)易緊張局勢,，該公司在讓荷蘭政府續(xù)簽向中國出口該系統(tǒng)的許可證方面面臨困難,。
Wennink在一月份表示，ASML尚未將其最新的EUV機(jī)器運(yùn)往中國,，因?yàn)槿栽趯で蠛商m政府的出口許可證申請,，并補(bǔ)充說荷蘭，歐洲和美國政府之間一直在進(jìn)行談判,。
ASML分享光刻機(jī)最新路線圖,，1.5nm指日可待
在2月舉行的SPIE高級光刻會議上，ASML（ASML.US）展示了有關(guān)其深紫外線（DUV）和極紫外線（EUV）曝光系統(tǒng)的最新信息,。筆者最近采訪了ASML的Mike Lercel,，就這些演示文稿進(jìn)行了深入討論。
深紫外
盡管EUV得到了所有關(guān)注,，但大多數(shù)層仍仍然使用DUV系統(tǒng)曝光,，在可預(yù)見的將來,，這可能仍然適用。
ASML已生產(chǎn)了兩個(gè)DUV平臺,，即用于干式曝光工具的XT平臺和用于浸沒的NXT平臺,。NXT是更快，更復(fù)雜的平臺,。
對于領(lǐng)先的沉浸式技術(shù),，ASML推出了面向ArF浸入（ArFi）的第四代NXT平臺——NXT：2050i。新系統(tǒng)具有新的晶圓處理機(jī)（wafer handler）,，晶圓載物臺（wafer stage）,，標(biāo)線片載物臺（reticle stage），投影透鏡（projection lens）,，激光脈沖展寬器（laser pulse stretcher）和浸沒罩（immersion hood）,。這樣就可以更快地進(jìn)行硅片對硅片的排序，更快的測量,，防護(hù)膜偏斜校正（pellicle deflection ）以及具有改善覆蓋率的改善斑點(diǎn),。新系統(tǒng)的吞吐量為每小時(shí)295個(gè)晶圓（wph）。較長期的計(jì)劃是建立一個(gè)330 wph的系統(tǒng)（見圖1）,。
ASML現(xiàn)在正在采用NXT平臺,，并在第一臺面向ArF Dry的NXT：1470系統(tǒng)上移植干鏡，該系統(tǒng)提供300wph（比NXT：20250i快一點(diǎn),，因?yàn)樗鼪]有沉浸開銷）,。NXT：1470的300 wph吞吐量高于XT：1460K的約200 wph的吞吐量。將來,，NXT：1470的吞吐能力將進(jìn)一步提高到330 wph（見圖1）。還計(jì)劃以330 wph的速度將KrF干鏡移植到NXT平臺上（見圖1）,。
EUV（0.33NA）
隨著三星和臺積電在7nm和5nm邏輯生產(chǎn)以及三星在1z DRAM生產(chǎn)中加大對標(biāo)準(zhǔn)0.33數(shù)值孔徑（NA）系統(tǒng)的使用,，EUV曝光的晶圓數(shù)量正在迅速增長（見圖2）。
NXE：3400C系統(tǒng)自2019年底推出以來一直在發(fā)貨,，而新的NXE：3600D應(yīng)該在今年晚些時(shí)候開始發(fā)貨,。每個(gè)新系統(tǒng)都提供了改進(jìn)的吞吐量和覆蓋。
圖3給出了將在下一部分討論的0.33 NA和High-NA 0.55NA系統(tǒng)的摘要,。
1.第一列列出了從NXE3400B系統(tǒng)（最初的生產(chǎn)系統(tǒng)）開始的過去,，現(xiàn)在和將來的系統(tǒng)。
2.第二列提供每個(gè)系統(tǒng)的引入日期,。值得注意的是,，新的NXE：3600D應(yīng)該在今年晚些時(shí)候以更高的性能交付，而第一批高NA系統(tǒng)應(yīng)該在2022年晚些時(shí)候交付,。
3.第三列給出了系統(tǒng)的數(shù)值孔徑,，其中0.33NA代表當(dāng)前系統(tǒng),，而0.55NA代表正在開發(fā)的高NA系統(tǒng)。
4.接下來的兩列顯示了ASML證明的20mJ / cm 2和30mJ / cm 2劑量的通量,。這些吞吐量基于更典型的DRAM應(yīng)用中每個(gè)硅片的96 field,。
5.發(fā)貨的系統(tǒng)數(shù)量是IC Knowledge對2020年第4季度按類型發(fā)貨的NXE：3400B和NXE：3400C系統(tǒng)數(shù)量的估計(jì)，ASML不提供這個(gè),。
6.下一欄是NXE：3400B當(dāng)前的可用性約85％,，NXE：3400C當(dāng)前的可用性約90％。3400C具有新的模塊化容器,，可減少停機(jī)時(shí)間,。長期ASML的長期目標(biāo)是使其達(dá)到DUV系統(tǒng)典型的95％可用性。
7.最后一欄介紹了有關(guān)系統(tǒng)和用法的一些注釋,。我們認(rèn)為7nm邏輯生產(chǎn)主要在3400B上進(jìn)行,，而5nm在3400C上進(jìn)行。我們預(yù)計(jì)即將在未來一到兩年內(nèi)投入生產(chǎn)的3nm工藝將主要在3600D系統(tǒng)上生產(chǎn),。
密集圖案EUV的關(guān)鍵推動因素是Pellicles的可用性,，現(xiàn)在有可用Pellicles可用。Pellicles的使用會降低生產(chǎn)量,，是否使用Pellicles取決于你所打印的圖案密度,。圖4顯示了EUV Pellicles透射的狀態(tài)。
當(dāng)前在生產(chǎn)中使用了一些Pellicles,。
High-NA EUV（0.55NA）
High-NA現(xiàn)在已經(jīng)從PowerPoint幻燈片發(fā)展到工程設(shè)計(jì),，再到構(gòu)建模塊和框架。預(yù)計(jì)首批High-NA工具（0.55NA）將于2022年下半年交付,。這些EXE：5000系統(tǒng)可能與EXE：5200系統(tǒng)一起用于研發(fā),，原因是EXE：5200系統(tǒng)將于2025/2026年成為第一批High-NA生產(chǎn)系統(tǒng)。（見圖3）,。
當(dāng)前的0.33NA系統(tǒng)一次曝光即可打印到大約30nm的間距?，F(xiàn)在正在進(jìn)行工作以一次曝光來演示28nm以及最終26nm的線條和空間。臺積電目前正在生產(chǎn)的5nm工藝的M0間距為28nm,，我們認(rèn)為這一層在當(dāng)前生產(chǎn)中可能是雙圖案的EUV,，而其余使用EUV的層則是單圖案。對于將于今年晚些時(shí)候開始出現(xiàn)風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)的的臺積電3nm工藝,，我們預(yù)計(jì)將有幾個(gè)EUV雙圖案金屬層,。目前估計(jì)0.55NA系統(tǒng)進(jìn)入生產(chǎn)的時(shí)間大約在2025/2026時(shí)間范圍內(nèi)，我們可能會看到2nm的代工廠和Intel的5nm工藝正在生產(chǎn),，然后再進(jìn)行廣泛的EUV雙重打樣,。055NA EUV可能會首先出現(xiàn)在晶圓廠的生產(chǎn)中。
圖5展示了高NA EUV的技術(shù)價(jià)值,。
與0.33NA EUV相比,，0.55NA EUV的另一個(gè)值是較高的對比度,，這就讓他們可以以低得多的劑量打印出密集的特征，從而提高了通量（圖3是特定劑量的通量,，不考慮降低劑量）,。圖6展示了0.55NA的優(yōu)勢。
還正在進(jìn)行改進(jìn)的EUV掩模吸收層的工作,，以提高對比度和分辨率,，請參見圖7，并要改進(jìn)光刻膠,，請參見圖8,。
當(dāng)前，他們正在制造用于高NA工具的模塊和框架,。
ASML繼續(xù)在其整個(gè)DUV和EUV系統(tǒng)產(chǎn)品組合中提高吞吐量和分辨率,。隨著高NA系統(tǒng)制造的進(jìn)行，通往1.5nm邏輯及更高工藝的道路正在醞釀之中,。