2021年4月19日,，美國(guó)北卡羅萊納州達(dá)勒姆訊 –– 全球碳化硅技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)科銳Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布,，推出多款碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）器件：Wolfspeed CMPA901A020S,、CMPA9396025S,、CMPA801B030 系列,。本次推出的器件采用MMIC技術(shù)，具備研發(fā)部署大型雷達(dá)系統(tǒng)所需的小型化,、高效率,、高可靠性、以及優(yōu)異的功率密度等特點(diǎn),，可有效應(yīng)對(duì)大型雷達(dá)所面臨的挑戰(zhàn),。

X-波段（8 GHz 到 12 GHz）雷達(dá)是適用于商業(yè)導(dǎo)航的一個(gè)關(guān)鍵設(shè)備。除航空外,，X-波段還廣泛部署于包括海上船舶交通管制,、氣象監(jiān)測(cè)、機(jī)場(chǎng)附近的鳥類活動(dòng)監(jiān)測(cè)以及防冰凍遙感等領(lǐng)域,。  

隨著X-波段有源電子掃描陣列（AESA）系統(tǒng)領(lǐng)域愈來(lái)愈受到研發(fā)的青睞,，該系統(tǒng)主要運(yùn)用于大型機(jī)載平臺(tái)上，同時(shí)在陸地和海事細(xì)分市場(chǎng)也有采用,。AESA 系統(tǒng)使用有源陣列,，每個(gè)陣列擁有數(shù)百甚至數(shù)千根天線。每一根天線均有其各自的相位和增益控制。天線元件的間距通常為半波長(zhǎng),，以減少近場(chǎng)中的暴露,。AESA 雷達(dá)同時(shí)也常常需要在寬范圍的高頻率內(nèi)擴(kuò)散信號(hào)。這樣的頻率捷變可以讓雷達(dá)快速地搜索扇形區(qū)中的目標(biāo),，同時(shí)保持隱蔽,，并帶來(lái)更出色的抗干擾能力。這些要求為工程師們帶來(lái)了一定挑戰(zhàn)：每個(gè)天線元件必須足夠小型和輕量,，同時(shí)要讓整體系統(tǒng)尺寸和重量在空中和海上使用時(shí)可控,。

賦能技術(shù)：GaN

GaN能夠幫助雷達(dá)設(shè)計(jì)者克服功率、散熱,、重量和尺寸,、以及成本效益等諸多挑戰(zhàn)，其具備寬的能帶隙,，擁有極高的臨界擊穿電場(chǎng),；具備出色的高溫可靠性、出眾的高供電電壓下的魯棒性,，以及優(yōu)異的功率密度,。將碳化硅（SiC）作為 GaN 的襯底，能實(shí)現(xiàn)較低的熱膨脹,、較低的晶格失配,，以及出色的熱導(dǎo)率，進(jìn)而充分發(fā)揮 GaN 的特性,。

高性能關(guān)鍵

單片微波集成電路（MMIC）能將多個(gè)元件的完整功能模塊制造在單個(gè)設(shè)備中,，進(jìn)而提高電路密度。MMIC采用方形扁平無(wú)引腳（QFN）封裝,，能夠帶來(lái)進(jìn)一步降低成本和減小尺寸的優(yōu)勢(shì),。由于 QFN 封裝采用短鍵合引線，有助于降低引線電感,，其暴露在外的銅裸芯片焊盤提供出色的熱學(xué)性能,。

本次科銳推出的器件就是基于上述技術(shù)：

Wolfspeed的CMPA901A020S 器件采用 6 × 6 mm QFN 封裝，是一款 20W 的GaN-on-SiC高功率放大器,，能夠在 9 GHz 至 10 GHz 頻率范圍內(nèi)工作,，適用于海洋氣象雷達(dá)這樣的脈沖雷達(dá)應(yīng)用。該放大器擁有三級(jí)增益,，能夠提供大于 30 dB 的大信號(hào)增益和大于 50% 的效率,，能夠滿足更低的系統(tǒng)直流功率要求，并為簡(jiǎn)化系統(tǒng)熱管理解決方案提供支持,。

另一款GaN MMIC 是CMPA9396025S ,，其能夠集成諸多技術(shù),，帶來(lái)尺寸、重量,、功率和成本（SWaP-C）改進(jìn)的最大化,。該三級(jí)器件針對(duì) 9.3-GHz 至 9.6-GHz 工作而設(shè)計(jì)，采用 6 × 6 mm QFN 封裝,，在 100-μs 脈沖寬度,、占空比為 10% 條件下的功率為 25 W。

MMIC 放大器中的CMPA801B030 系列在 7.9-GHz 到 11-GHz 頻率范圍內(nèi)工作,，能夠支持在 X-波段中實(shí)現(xiàn)更寬的帶寬和更高的功率,。其輸出典型值高達(dá) 40 W，大信號(hào)增益大于 20 dB,，功率附加效率達(dá) 40%,。該產(chǎn)品系列采用 7 × 7 mm 的塑料二次注塑成型 QFN，同樣提供裸芯片和 10 引腳金屬 / 陶瓷安裝凸緣 flanged 封裝,，從而帶來(lái)更出眾的電氣性能和熱學(xué)性能,。