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意法半導(dǎo)體發(fā)布MasterGaN參考設(shè)計(jì)并演示250W無(wú)散熱器諧振變換器

2021-05-18
來(lái)源:意法半導(dǎo)體

中國(guó),,2021年5月18日——意法半導(dǎo)體發(fā)布了MasterGaN的首個(gè)參考設(shè)計(jì),展示了新款高集成度器件如何提高功率密度,、能效,,簡(jiǎn)化產(chǎn)品設(shè)計(jì),縮短上市時(shí)間,。 

ST新聞稿2021年5月18日——意法半導(dǎo)體發(fā)布MasterGaN參考設(shè)計(jì)并演示250W無(wú)散熱器諧振<a class=

EVLMG1-250WLLC 參考設(shè)計(jì)是一個(gè)250W諧振變換器,,電路板尺寸是100mm x 60mm,最高組件高度是35mm,。功率芯片是集成了一個(gè)STDRIVE半橋柵極驅(qū)動(dòng)器以及兩顆650V常關(guān)的GaN晶體管的MasterGaN1,。其具有匹配的時(shí)序參數(shù),導(dǎo)通電阻(Rds(on)) 150mΩ,最大額定電流10A,,邏輯輸入兼容3.3V至15V信號(hào),。

MasterGaN1適用于最高400W的AC/DC電源、DC/DC變換器和DC/AC逆變器應(yīng)用中的高效軟開(kāi)關(guān)拓?fù)?,包括諧振變換器,、有源鉗位反激或正激變換器,以及無(wú)橋圖騰柱PFC(功率因數(shù)校正),。

利用GaN功率晶體管的高能效,,參考設(shè)計(jì)一次側(cè)采用無(wú)散熱器設(shè)計(jì)。此外,,GaN晶體管的開(kāi)關(guān)性能出色,,工作頻率高于普通硅基MOSFET解決方案,因此可以使用較小的電磁元件和電容,,實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和更低的物料清單成本,。

EVLMG1-250WLLC是一個(gè)標(biāo)稱400V輸入的電源參考設(shè)計(jì),提供一個(gè)24V/10A輸出端口,,最高能效超過(guò)94%,。得益于MasterGaN內(nèi)部集成的安全功能,變換器輸出有短路和過(guò)流保護(hù)功能,。還具有欠壓保護(hù)和輸入電壓監(jiān)測(cè)功能,,電壓檢測(cè)功能可在多個(gè)DC/DC變換器中實(shí)現(xiàn)上電排序,防止電動(dòng)機(jī)低壓起動(dòng),。

意法半導(dǎo)體的MasterGaN系列產(chǎn)品由引腳兼容的集成半橋產(chǎn)品組成,,包括對(duì)稱和非對(duì)稱配置,采用9mm x 9mm的薄型GQFN封裝,。封裝內(nèi)部電路額定電壓最高650V,,高低壓焊盤(pán)之間的爬電距離超過(guò)2mm。MasterGaN模塊適用于各種額定功率,,工程師略做硬件修改,,即可擴(kuò)展升級(jí)系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

EVLMG1-250WLLC 現(xiàn)在可從st.com和代理商處購(gòu)買(mǎi),。




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