中國北京2021年5月25日—— Rambus Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：RMBS）作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和IP核供應(yīng)商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全。今天宣布推出Rambus HBM2E內(nèi)存接口子系統(tǒng),，該子系統(tǒng)包括一個完全集成的PHY和控制器,，在三星先進(jìn)的14 / 11nm FinFET工藝上經(jīng)過硅驗證,。 通過利用30多年的信號完整性專業(yè)知識,，Rambus解決方案的運(yùn)行速度高達(dá)3.2 Gbps，可提供410 GB / s的帶寬,。 這種性能滿足了TB級帶寬加速器的需求,，此類加速器針對性能要求最為嚴(yán)苛的AI / ML訓(xùn)練和高性能計算（HPC）應(yīng)用。

三星電子設(shè)計平臺開發(fā)副總裁Jongshin Shin說：“我們與Rambus的合作將業(yè)界領(lǐng)先的內(nèi)存接口設(shè)計專業(yè)知識與三星最尖端的工藝和封裝技術(shù)結(jié)合在一起,。AI和HPC系統(tǒng)的設(shè)計人員可以使用HBM2E內(nèi)存實現(xiàn)平臺設(shè)計,，利用三星先進(jìn)的14 / 11nm工藝，以達(dá)到無與倫比的性能水平,?！?br/>

完全集成的，可投入生產(chǎn)的Rambus HBM2E內(nèi)存子系統(tǒng)以3.2 Gbps的速度運(yùn)行,，為設(shè)計人員在平臺實現(xiàn)上提供了很大的裕量空間,。 Rambus和三星合作，通過利用三星的14/11nm工藝和先進(jìn)的封裝技術(shù)對HBM2E PHY和內(nèi)存控制器IP核進(jìn)行硅驗證,。

Rambus IP部門總經(jīng)理Matt Jones表示：“由于硅片的運(yùn)行速度高達(dá)3.2 Gbps,，客戶可以為自己的設(shè)計留出足夠的余地來實現(xiàn)HBM2E存儲器子系統(tǒng)?？蛻魧⑹芤嬗谖覀兊娜嬷С?，其中包括2.5D封裝和中介層參考設(shè)計提供，有助于確?？蛻粢淮蔚轿怀晒崿F(xiàn),。”

Rambus HBM2E內(nèi)存接口（PHY和控制器）的優(yōu)點：

· 通過單個HBM2E DRAM 3D器件實現(xiàn)每引腳3.2 Gbps的速度,，提供410 GB / s的系統(tǒng)帶寬

· 硅HBM2E PHY和控制器完全集成并經(jīng)過驗證,，可降低ASIC設(shè)計的復(fù)雜性并加快上市時間

· 作為IP授權(quán)的一部分，提供包含2.5D封裝和中介層參考設(shè)計

· 提供Rambus系統(tǒng)和SI / PI專家的技術(shù)支持,，幫助ASIC設(shè)計人員確保設(shè)備和系統(tǒng)的最大信號與電源完整性

· 具有特色的LabStation?開發(fā)環(huán)境,，可協(xié)助客戶回片后快速點亮系統(tǒng),校正和偵錯

· 支持高性能應(yīng)用程序，包括最先進(jìn)的AI / ML訓(xùn)練和高性能計算（HPC）系統(tǒng)