近日，在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)行業(yè)擁有四十多年經(jīng)驗(yàn)的Tom Coughlin發(fā)表了一份名為《ChangXin Memory Technologies: China's Rising DRAM Manufacturer》的報(bào)告,。在報(bào)告中他指出,，中國(guó)作為一個(gè)電子產(chǎn)品制造和消費(fèi)大國(guó)，每年卻進(jìn)口了大部分的芯片,。

　　以DRAM為例，數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)顯示，DRAM內(nèi)存芯片占2020年中國(guó)集成電路市場(chǎng)的19%,，但中國(guó)廠商在當(dāng)中的份額小到甚至可以忽略不計(jì)，包括三星,、SK海力士和美光在內(nèi)的三大廠商總共生產(chǎn)了全球大約86%的DRAM晶圓,，貢獻(xiàn)了全球DRAM產(chǎn)業(yè)95%的營(yíng)收。

　　據(jù)報(bào)告所說(shuō),，中國(guó)的DRAM主要是來(lái)自長(zhǎng)鑫存儲(chǔ),。自2016年啟動(dòng)以來(lái)，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)項(xiàng)目就受到海內(nèi)外各界的高度關(guān)注,。報(bào)告進(jìn)一步指出,，在2020年，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已經(jīng)向一些國(guó)內(nèi)品牌出售了其LPDDR4和DDR4內(nèi)存模組,。

　　他同時(shí)在報(bào)告中強(qiáng)調(diào),，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)雖然取得了一些進(jìn)步，但預(yù)估都不會(huì)對(duì)全球DRAM格局造成任何影響,。

　　融資與技術(shù)并進(jìn)

　　據(jù)報(bào)告披露,，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)最初是在合肥產(chǎn)業(yè)投資資金和兆易創(chuàng)新的少量戰(zhàn)略投資支持下于2016年啟動(dòng)。其中,，合肥產(chǎn)業(yè)投資資金是由合肥當(dāng)?shù)仄髽I(yè)組建的一個(gè)投資基金,，兆易創(chuàng)新則是中國(guó)領(lǐng)先的NOR Flash和MCU供應(yīng)商。值得一提的是,，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)董事長(zhǎng)朱一明也是兆易創(chuàng)新的創(chuàng)始人,。

　　自成立以來(lái)，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)就一直專注于DRAM技術(shù)研發(fā),，公司的員工也發(fā)展到4000多名,，并開始陸續(xù)在市場(chǎng)上出貨。而從去年年底開始,，有關(guān)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)融資的消息一直在市場(chǎng)上醞釀,，但我們沒看到任何官方的公告,。從這個(gè)報(bào)告我們可以看到，2020年12月,，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)完成了第二輪,，約合23.9億美元的融資，而后其股權(quán)信息變更如下,。從這些主要股東構(gòu)成來(lái)看,，可以看到長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的主要股東都是來(lái)自民間的一些資本。

　　正如報(bào)告所說(shuō),，現(xiàn)在DRAM產(chǎn)業(yè)微縮的困難既成事實(shí),，為保持在產(chǎn)品密度上的競(jìng)爭(zhēng)力，需要投入更密集的研發(fā)和制造資金,。而長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)現(xiàn)在每年的資本支出約為20億美元,。這些支出除了自研之外，公司還從奇夢(mèng)達(dá)和Rambus等公司處獲得了相關(guān)的IP授權(quán),。

　　報(bào)告指出,，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在中國(guó)大陸擁有超過(guò)3000項(xiàng)專利，并從幾家國(guó)際公司獲得了超過(guò)30000項(xiàng)專利的授權(quán),。在全球范圍內(nèi),，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)也有幾百項(xiàng)專利。最近長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在美國(guó)的專利申請(qǐng)中也表現(xiàn)得非?；钴S。

　　“他們還從大型專利組合中購(gòu)買了國(guó)際專利（最顯著的是他們?cè)?019年購(gòu)買了奇夢(mèng)達(dá)DRAM專利）,。長(zhǎng)鑫還將繼續(xù)從多個(gè)來(lái)源授權(quán)技術(shù)和專利,，并維持知識(shí)產(chǎn)權(quán)授權(quán)的年度預(yù)算。2019年,，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)和Rambus公開宣布其已獲得Rambus DRAM專利組合的許可,。”報(bào)告強(qiáng)調(diào),。

　　得益于這些廣泛的技術(shù)布局,，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的DRAM已經(jīng)被用于中國(guó)本土消費(fèi)的電子產(chǎn)品上，用途包括用于個(gè)人電腦的DDR4內(nèi)存和用于手機(jī)的LPDDR4內(nèi)存模塊,。

　　根據(jù)Digitimes的報(bào)道,，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的這些DRAM都是在19nm工藝上打造的。而從專業(yè)分析機(jī)構(gòu)Techinsights的拆解中我們可以看到,，長(zhǎng)鑫產(chǎn)品的性能與三星,、美光和SK hynix當(dāng)前主流的15nm以下工藝DRAM相當(dāng)。

　　按照?qǐng)?bào)告的說(shuō)法,，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的下一代產(chǎn)品預(yù)計(jì)在2022年到來(lái),，屆時(shí)這些產(chǎn)品將具備17nm到18nm的特性尺寸,，仍落后于市場(chǎng)上主要的DRAM競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，后者屆時(shí)將發(fā)展到15nm以下的光刻節(jié)點(diǎn),。以美光為例,，美國(guó)存儲(chǔ)大廠早前宣布，其基于 1α工藝DRAM打造的8Gb和16Gb的DDR4和LPDDR4 開始出貨,，SK海力士和三星基于EUV工藝打造的新DRAM也在路上,。

　　來(lái)到長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)方面，按照?qǐng)?bào)告的說(shuō)法：“長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)比美光目前的DRAM產(chǎn)品落后幾代光刻技術(shù),。因此,，該公司短期內(nèi)不太可能需要EUV技術(shù)，如果他們追隨美光在更多幾代光刻產(chǎn)品中使用多圖案技術(shù)的話,，那將更是如此,。”

　　與國(guó)外差距依然明顯

　　在前面的介紹中我們已經(jīng)講到,，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)目前已經(jīng)在出貨,。

　　據(jù)報(bào)告披露，2020年,，長(zhǎng)鑫每月交付的DRAM晶圓約占全球DRAM晶圓總量的2.9%,，這一切都是基于公司所擁有的65000平方米的潔凈室所生產(chǎn)的。對(duì)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)本身來(lái)說(shuō),，這樣的進(jìn)步是很明顯的,，但與三星的36%晶圓產(chǎn)能市場(chǎng)份額，SK海力士和美光分別25%的份額相比,，DRAM新兵的差距還是很明顯,。

　　從報(bào)告中我們可以看到，基于當(dāng)前的晶圓產(chǎn)能統(tǒng)計(jì),，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM出貨約占全球總產(chǎn)量的1.4%,，進(jìn)一步拉大了他們與三大DRAM巨頭（三星、SK海力士和美光）的差距,。之所以會(huì)造成這個(gè)結(jié)果,，這與長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)每片晶圓的DRAM總產(chǎn)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于主要DRAM生產(chǎn)商有關(guān)。

　　據(jù)報(bào)告,，相對(duì)于這些主要供應(yīng)商,，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)晶圓的內(nèi)存產(chǎn)能大約為46%，和三大巨頭相去甚遠(yuǎn),。但報(bào)告也強(qiáng)調(diào),，這些數(shù)據(jù)是基于長(zhǎng)鑫當(dāng)前工藝，按照當(dāng)前產(chǎn)能換算的,，如果長(zhǎng)鑫工藝升級(jí),，同時(shí)投資擴(kuò)產(chǎn),，他們的這個(gè)比例將會(huì)進(jìn)一步提升。

　　據(jù)報(bào)道,，到 2020 年底,，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的實(shí)際產(chǎn)能為每月40,000片，高于2020年初的每月20000片,。該公司預(yù)計(jì)在2022年內(nèi),，其產(chǎn)能將超越每月40,000片，他們還計(jì)劃在2022年中后期,，將公司每月晶圓產(chǎn)能翻倍到每月8萬(wàn)片,，進(jìn)一步拉近他們與臺(tái)灣南亞的月晶圓產(chǎn)能差距。預(yù)計(jì)到2023年,，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)將提供相當(dāng)于南亞目前的晶圓產(chǎn)能,。但報(bào)告也強(qiáng)調(diào)，在長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)產(chǎn)能增加后,，他們也僅能滿足中國(guó)國(guó)內(nèi)7%的DRAM需求,。換而言之，還有93%的空缺需要國(guó)外的廠商補(bǔ)上,。

　　此外,，雖然長(zhǎng)鑫一直在投入并增加產(chǎn)能，但DRAM巨頭同樣沒有停下腳步,。

　　報(bào)告顯示,，南亞最近宣布將投資107億美元建立一個(gè)新的10nm級(jí)DRAM晶圓廠。南亞預(yù)計(jì),，該晶圓廠將于2024年開始商用,，第一階段的月產(chǎn)能為1.5萬(wàn)片；三星在2020年也投資了數(shù)十億美元用于擴(kuò)充存儲(chǔ)產(chǎn)能,；SK海力士表示，該公司已在韓國(guó)耗資超過(guò)30億美元完成了一個(gè)新的DRAM生產(chǎn)基地建設(shè),，他們?cè)谥袊?guó)工廠也增加了DRAM產(chǎn)能,；根據(jù)報(bào)告，美光預(yù)估也將在2021年投入量產(chǎn)1z 或1α技術(shù),，進(jìn)一步擴(kuò)大先進(jìn)技術(shù)的量產(chǎn)規(guī)模,。

　　也就是說(shuō)，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的產(chǎn)能擴(kuò)張不會(huì)明顯影響這些更大公司的市場(chǎng)份額,，公司短期內(nèi)并不會(huì)改變當(dāng)前的DRAM格局,。

　　報(bào)告還指出，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)專注于發(fā)展自己的技術(shù)和知識(shí)產(chǎn)權(quán),，同時(shí)也許可他人創(chuàng)造的相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán),。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)還加入了JEDEC,，參與到內(nèi)存模塊的DDR和LPDDR標(biāo)準(zhǔn)制定。和全球DRAM產(chǎn)業(yè)同行攜手并進(jìn),。

　　針對(duì)市場(chǎng)上的一些涉軍傳言,，報(bào)告從融資來(lái)源上解析說(shuō)，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)只有一部分資金來(lái)自政府資金,，由此可以判斷長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)是一家國(guó)內(nèi)公司,，專注于滿足國(guó)內(nèi)消費(fèi)電子存儲(chǔ)器市場(chǎng)的需求，在可預(yù)見的未來(lái)也將以DRAM為主,。作者特別在報(bào)告中強(qiáng)調(diào),，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)內(nèi)存產(chǎn)品的最終用途完全是民用應(yīng)用。

　　“長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的產(chǎn)品最早也不太可能在2025年之前在中國(guó)以外的地區(qū)使用,，而且長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的DRAM技術(shù)似乎將繼續(xù)落后于三大DRAM生產(chǎn)商的產(chǎn)品,。此外，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) DRAM尚未在數(shù)據(jù)中心商業(yè)化,，在可預(yù)見的未來(lái),，他們還是很難滿足該市場(chǎng)對(duì)產(chǎn)品高質(zhì)量和可靠性的要求?！眻?bào)告強(qiáng)調(diào),。“就算是在中國(guó)市場(chǎng),，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)想要獲得相當(dāng)?shù)姆蓊~,，還是需要不少的時(shí)間”，報(bào)告補(bǔ)充說(shuō),。