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華為公開(kāi)“半導(dǎo)體器件”相關(guān)專(zhuān)利

2021-07-08
來(lái)源:OFweek電子工程網(wǎng)
關(guān)鍵詞: 華為 半導(dǎo)體 器件 模塊

近日,,據(jù)天眼查顯示華為技術(shù)有限公司公開(kāi)“半導(dǎo)體器件及相關(guān)模塊,、電路,、制備方法”專(zhuān)利,公開(kāi)號(hào)CN113054010A,,申請(qǐng)日期為2021年2月,。

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專(zhuān)利摘要顯示,本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件及相關(guān)模塊,、電路,、制備方法,該器件包括:N型漂移層,、P型基極層,、N型發(fā)射極層、柵極,、場(chǎng)截止層和P型集電極層等,,其中,場(chǎng)截止層包括依次層疊于N型漂移層的表面的第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū),,第一摻雜區(qū)的雜質(zhì)的粒子半徑小于第二摻雜區(qū)的雜質(zhì)的粒子半徑,,第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)的摻雜濃度均高于N型漂移層的摻雜濃度。上述半導(dǎo)體器件,,可以有效降低IGBT的集電極與發(fā)射極之間的漏電流,。

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據(jù)悉,IGBT技術(shù)多用于功率半導(dǎo)體,,對(duì)于華為而言,,在其汽車(chē)研發(fā)和光伏逆變器等產(chǎn)品上要用IGBT技術(shù)。有業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,,在功率器件中,,進(jìn)行多次外延,在襯底的基礎(chǔ)上增加不同摻雜元素和不同厚度的外延層,,用于改善極間漏電流,。





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