近日,,英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)將EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET模塊升級為新型氮化鋁(AIN) 陶瓷,。該器件采用半橋配置,, EasyDUAL 1B封裝的導(dǎo)通電阻(R DS(on))為11 mΩ,,EasyDUAL 2B封裝的導(dǎo)通電阻(R DS(on))為6 mΩ,。升級為高性能AIN后,,該1200 V器件適合用于高功率密度應(yīng)用,,包括太陽能系統(tǒng),、不間斷電源、輔助逆變器,、儲能系統(tǒng)和電動汽車充電樁等,。
EasyDUAL模塊FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70采用具有優(yōu)良的柵極氧化層可靠性最新CoolSiC MOSFET技術(shù)。由于DCB材料的熱導(dǎo)率更高,,結(jié)到散熱器的熱阻(R thJH)最多可以降低40%,。在CoolSiC Easy模塊中,該新型AIN陶瓷可幫助提高輸出功率或降低結(jié)溫,,進而可以延長系統(tǒng)壽命,。
供貨情況
EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70現(xiàn)在即可訂購。
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