第三代半導(dǎo)體發(fā)展如火如荼,，在碳化硅的領(lǐng)域,，已掌握基板技術(shù)的美日大廠已成三雄鼎立,，國內(nèi)也豪擲巨資想要在半導(dǎo)體領(lǐng)域大翻身,，中國臺灣在碳化硅各個制程都有所著墨和布局,，尤其是在關(guān)鍵的長晶領(lǐng)域,，需要高度關(guān)注,。

　　長晶難度高,，為關(guān)鍵瓶頸

　　目前全球碳化硅由美日廠商寡占，其中的關(guān)鍵因素之一為美日廠掌握基板料源,，而基板的生產(chǎn)中,，又以長晶難度最高，以傳統(tǒng)的硅材來說,，通常費時約3-4天即可以長出約200-300cm的晶棒,，但以目前碳化硅，可能要2個禮拜才能長出不到10公分長度,，在產(chǎn)出上非常受限,。

　　另外,，除了慢之外，碳化硅的長晶過程非常高溫,，以傳統(tǒng)的硅可能溫度在1,500度,，但碳化硅的溫度可能會高達2,500度，所以在長晶的過程中難度更高,，也無法即時觀察晶體的生長狀況,，需要控制的因素也更復(fù)雜，也有可能在2周的長晶過程后,，最后發(fā)現(xiàn)晶棒沒長好而報銷,，造成良率不佳。

　　因此,，碳化硅困難在于要可達商品化,，也就是良率跟產(chǎn)量都要有穩(wěn)定性，這樣下游才有穩(wěn)定的料源,，否則仍難以大量采用。

　　長晶進度持續(xù)進步

　　有關(guān)長晶,，中國臺灣有不少有在著墨長晶制程者,，包括硅晶圓大廠環(huán)球晶在長晶的部分，目前是4吋為自己可長晶,，產(chǎn)品也有小量出貨,，至于6吋產(chǎn)品，環(huán)球晶在2019年時跟美國長晶大廠GTAT簽訂長約購料協(xié)議,，跟GTAT買晶棒來切片/磨片/拋光成基板,，未來公司也是以可以自己長6吋晶棒為目標，預(yù)計2022年上半年可再延伸到磊晶領(lǐng)域,。

　　另一家以長晶切入者為太極旗下子公司盛新材料,，盛新也是主要以長晶為主，但也可以切片,、磨片以及拋光,，擁有16臺長晶爐，其中一臺就是和母公司廣運共同研發(fā)成功的長晶爐,，未來也是朝自制為主,，目前4吋基板已有小量產(chǎn)，驗證已到一階段,，客戶已有給了小量的訂單,。

　　另外也以碳化硅長晶和晶圓加工生產(chǎn)的中砂轉(zhuǎn)投資的穩(wěn)晟，目前已進入上柜輔導(dǎo)的程序但仍未IPO,，也是切入4-6吋的碳化矽晶體,，同時目標開發(fā)大尺吋的碳化矽長晶以及晶圓加工技術(shù),。

　　國際大廠發(fā)展速度有加快，我們需加緊腳步

　　但另一方面,，碳化硅美日領(lǐng)導(dǎo)廠商技術(shù)突破快速,，主要廠商包括CREE、ROHM以及II-VI,，雖然有助于碳化硅更快普及,，但恐怕也讓后進追兵更難趕上，再加上中國也砸下大錢投資,，市場競爭也更火熱,，環(huán)球晶董事長徐秀蘭即表示，碳化硅快速成長,、技術(shù)也提升得很快,，尤其8吋的進度比預(yù)期快，本來她估計6吋占據(jù)市場主流約10年,，但目前看來未來10年6吋仍重要,，但8吋比預(yù)期更快約2年，尤其CREE做得最好最大,、技術(shù)也提升得很快,，拉高進入障礙。

　　環(huán)球晶內(nèi)部也希望快點趕上進度,，所以一直進行增產(chǎn),、送樣以及小量出貨，客戶也在等,，所以目前雖然第三代半導(dǎo)體占總營收不到1%,，但規(guī)劃的資本支出已是公司最大的單位之一。

　　徐秀蘭認為,，臺灣在硅以及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相當強,，現(xiàn)在在原本基礎(chǔ)上延伸至第三代半導(dǎo)體材料，客戶和分銷商重疊性高,，臺灣目前也有很多研究單位在做化合物半導(dǎo)體,，或者研究關(guān)鍵設(shè)備的開發(fā)，今年雖還不夠成熟但明年會更好,，若臺灣加快腳步,，讓整個產(chǎn)業(yè)鏈完整化，將會非常有利,。