文獻標識碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.211423
中文引用格式: 沈婧,薛海衛(wèi),,陳玉蓉,,等. 面向SoC的SRAM讀出電路加固設(shè)計[J].電子技術(shù)應(yīng)用,2021,,47(10):38-41,,47.
英文引用格式: Shen Jing,Xue Haiwei,,Chen Yurong,,et al. Design of a radiation hardened read circuit of SRAM in SoC[J]. Application of Electronic Technique,2021,,47(10):38-41,,47.
0 引言
高能帶電粒子在器件的靈敏區(qū)內(nèi)產(chǎn)生大量帶電粒子的現(xiàn)象,,它屬于電離效應(yīng)。當能量足夠大的粒子射入集成電路時,,由于電離效應(yīng)(包括次級粒子的),,產(chǎn)生數(shù)量級多的電離電子-空穴對,引起半導體器件的軟件錯誤,,使邏輯器件和存儲器產(chǎn)生單粒子翻轉(zhuǎn),,CMOS器件產(chǎn)生單粒子閉鎖,甚至出現(xiàn)單粒子永久損傷的現(xiàn)象,,輻射主要包括質(zhì)子,、中子、重離子和α粒子[1-3],。集成度的提高、特征尺寸的降低,、臨界電荷和有效LET閾值下降等會使抗單粒子擾動能力降低,。器件的抗單粒子翻轉(zhuǎn)能力明顯與電路設(shè)計、版圖設(shè)計,、工藝條件等因素有關(guān)[4],。
鎖存器經(jīng)常被用于現(xiàn)在的超大規(guī)模集成電路中,特別是SoC和CPU的流水線結(jié)構(gòu)中[5-6],。數(shù)據(jù)讀出電路的數(shù)據(jù)鎖存也是必不可少的,,因此提高鎖存器的抗單粒子能力意義重大。本文基于雙互鎖(DICE)結(jié)構(gòu)[7-8]和Muller_C單元[9-10],,對SoC片上SRAM的數(shù)據(jù)讀出電路進行了抗輻射加固設(shè)計,,并先后提出了兩種不同結(jié)構(gòu)的讀出電路。
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作者信息:
沈 婧,,薛海衛(wèi),陳玉蓉,,張猛華,,王 蕾
(中國電子科技集團公司第58研究所,江蘇 無錫214035)