TSMC計劃自2021年起三年內(nèi)投資1,000 億美元（約人民幣6,500億元）；三星電子計劃在2030年之前投資約16.5兆日元（約人民幣9,735億元）,，且僅用于Foundry領域，此外剛剛獲釋的李在镕副會長還聲稱要投資約240兆韓元（約人民幣13,570億元，但是并未披露用于半導體方向的投資額）,。美國英特爾計劃投資240 億美元（約人民幣1,560億元），此外還計劃未來十年內(nèi)在歐洲投資約10兆日元（約人民幣5,900億元）,。
對于以上這些企業(yè)的投資而言,，都得到了各國政府的支援，甚至資金補助,。中國這邊不用說太多,。美國為了強化本國的半導體生產(chǎn)實力，計劃投資520億美元（約人民幣3,380億元）,。而歐洲計劃在未來十年內(nèi)投資約17兆日元（約人民幣10,030億元）,。韓國提出了“K半導體戰(zhàn)略”，即如果企業(yè)在十年內(nèi)投資約50兆日元（約人民幣29,500億元）,，便可享受政府的稅收優(yōu)惠政策,。
據(jù)2021年8月28日的日本經(jīng)濟新聞報道，今年（2021年）十家主要半導體廠家的合計設備投資額超過了12兆日元（約人民幣7,080億元）,。此外,，半導體行業(yè)組織SEMI的調(diào)查顯示，在2021年一一2022年間,，新開工運營的半導體廠房達到29處（僅包含可以確認到的廠家,，出自近期的日本經(jīng)濟新聞）。
對于以上這些“異?！钡脑O備投資現(xiàn)象和工廠的混亂情況而言,，筆者認為它們就像電影《漢姆林衣色斑駁的吹笛手（英文名：The Pied Piper of Hamelin）》中跟著笛聲跳舞的老鼠（如下圖1）。此外,，這些跟著笛聲跳舞的老鼠的前方是懸崖絕壁,，“跳崖”后的結(jié)局就是半導體價格的大幅度下跌,，接著就是半導體陷入大蕭條。
圖1 ：全球半導體擴產(chǎn)狂想曲,。
?。▓D片出自：eetimes.jp）
半導體已經(jīng)開始大幅度擴產(chǎn)！
雖然主要的半導體廠家計劃投資12兆日元（約人民幣7,080億元）,、已經(jīng)開始建設29處工廠,，但是要實現(xiàn)量產(chǎn)最快要到2022年的下半年，正常情況下需要到2023年,。
但是,，這些都預示著半導體的擴產(chǎn)在全球范圍內(nèi)正如火如荼地進行。下圖2是每個季度的全球半導體出貨金額,、出貨數(shù)量的推移表,。在2018年（即存儲半導體泡沫破裂時）第三季度（Q3），半導體出貨金額達到了2,658億美元（約人民幣17,277億元）,，出貨數(shù)量達到了1,249億個,。
圖2：每季度全球半導體出貨金額和出貨數(shù)量（一一2021年第二季度），筆者根據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)制作了此圖,。（圖片出自：eetimes.jp）
后來,，半導體出貨金額和出貨數(shù)量因存儲半導體危機而下滑，原本處于恢復中的行情,，又因新冠疫情再次下滑,，在2020年第二季度以后迅速恢復。此外,，2021年第二季度的出貨金額為2,894億美元（約人民幣18,811億元）,，出貨數(shù)量達到1,336億個，分別刷新了季度最高值,。照此下去,，未來應該會繼續(xù)保持增長勢頭。
下面我們看看各種半導體在每個季度的出貨金額（下圖3）,。2021年第二季度,，邏輯半導體出貨金額達到363億美元（約人民幣2,359.5億元），Mos Micro（包括處理器和微控制器）為189億美元（約人民幣1,228.5億元）,，模擬半導體為178億美元（約人民幣1,157億元）,，各類半導體的出貨金額都刷新了季度最高值。
圖3 ：各類半導體在每個季度的出貨金額（一一2021年第二季度）,，筆者根據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)制作了此圖,。（圖片出自：eetimes.jp）
另一方面，僅有Mos Memory（包括DRAM和NAND型閃存，以下簡稱為“NAND”）的出貨金額沒有超過2018年第三季度的最高峰值（441億美元,，約人民幣2,866.5億元）,。但是，在2020年第二季度一一2021年年第二季度期間,，出貨金額的“急劇增長”讓人不免心生“恐懼”,！之所以這樣說，是因為此處的“急劇增長”絕不亞于2016年一一2021年第三季度的存儲半導體泡沫時的增長趨勢,。
話雖如此,，存儲半導體的出貨金額應該不會無限度地一直增長下去。供給肯定會在未來某個時刻超過需求,，迫使出貨金額下滑,。屆時存儲半導體價格將會下幅度下滑，接下來到來的就是存儲半導體的大蕭條,！
那么，帶動存儲半導體市場迅速增長的“主角”是DRAM,，還是NAND,，還是二者？筆者就此展開論述,。
DRAM的出貨金額和出貨數(shù)量
下圖4是DRAM在每個季度的出貨金額和出貨數(shù)量的推移,。從圖4可以明顯地看出，圖3的存儲半導體市場的爆發(fā)式增長是起因于DRAM的,。也就是說,，在2020年第四季度一一2021年第二季度期間，DRAM的出貨金額呈近乎直線式地增長,。此處與上圖3中存儲半導體出貨金額的趨勢極其相似,。
圖4：DRAM在每個季度的出貨金額和出貨數(shù)量的推移表（一一2021年第二季度），筆者根據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)制作了此圖,。（圖片出自：eetimes.jp）
那么,，為什么DRAM的出貨金額急劇增長呢？從DRAM的出貨數(shù)量來看,，可以看出2010年一一2018年期間的出貨數(shù)量基本保持在40億個左右,，但在2019年第三季度前后出現(xiàn)急劇增長，2021年第二季度達到歷史最高值一一55.3億個,。
筆者認為原因如下：在2012年以后,，真正意義上的DRAM廠家其實僅有三星電子（Samsung）、SK海力士（SK hynix）,、鎂光科技（Micron Technology）三家企業(yè),，三家企業(yè)在“在暗地里達成一致意見，并調(diào)整生產(chǎn)”,，致使出貨數(shù)量保持為一定數(shù)量,。然而,，2019年下半年以后，DRAM的“主戰(zhàn)場”從智能手機轉(zhuǎn)為服務器,，導致以上三家公司的放棄了之前達成的一致意見,，再次開始了競爭。結(jié)果,，每家公司的出貨數(shù)量都出現(xiàn)了增長,，這最終導致全球DRAM出貨數(shù)量迅速增長！
此外,，不僅有以上三家DRAM廠家的競爭,，還有新冠疫情的影響，筆者將在下面的文章中通過分析DRAM的價格進行明示,。
NAND的出貨金額和出貨數(shù)量
下面我們來看看NAND在每個季度的出貨金額和出貨數(shù)量（下圖5）,。2000年以后，NAND的出貨數(shù)量幾乎呈直線上升,，然而在2016年以后,，停止了增長！原因在于NAND從2D轉(zhuǎn)為3D,。在2D的情況下,，在使存儲單元（Memory Cell ）實現(xiàn)微縮化的同時，也縮小了芯片尺寸,。結(jié)果,，隨著微縮化發(fā)展，從單片晶圓上獲取的NAND數(shù)量也出現(xiàn)了增長,！
圖5：NAND在每個季度的出貨金額和出貨數(shù)量的推移表（一一2021年第二季度）,，筆者根據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)制作了此圖。（圖片出自：eetimes.jp）
然而,，自2016年起,，NAND就開始實現(xiàn)3D化。由于3D NAND的容量較大,，因此開始縱向堆疊存儲單元（Memory Cell）,。因此，就3D NAND而言,，基本上芯片尺寸沒有變化,。所以，在3D NAND發(fā)展的2016年,，出貨數(shù)量基本持平,，沒有什么變化。
NAND的出貨數(shù)量在2018年（存儲半導體泡沫之時）第三季度達到了30億個，在2019年第一季度跌落為22億個,。后來,，在2019年的第四季度恢復至30億個，但是又因新冠疫情在2020年的第二季度下滑至約26億個,。不過,，后來又呈現(xiàn)出逐漸恢復的趨勢，在2021年第二季度達到了歷史最高值,，即約33億個,。
話雖如此，與DRAM的出貨數(shù)量的變化（新冠疫情之前約為40億個,，疫情之后約為55億個,，甚至更多）相比，NAND在新冠疫情之前的出貨數(shù)量約為30億個,，疫情之后約為33億個,，NAND數(shù)量的變化程度不及DRAM明顯。因此,，可以斷言,，存儲半導體市場發(fā)生直線增長的“罪根禍首”不是NAND，而是DRAM,。
DRAM的即期價格（Spot Price）推移
分析至此，我們了解到,，在2020年第四季度一一2021年第二季度期間,，存儲半導體市場急劇擴大的主要原因在于DRAM出貨數(shù)量的增長。那么,，DRAM價格對于存儲半導體市場的造成了多大的影響,？下面就DRAM的即期價格（Spot Price）和大宗交易價格（Contract Price）展開論述和分析。
首先,，下圖6是2020年12月31日一一2021年9月17日期間各類DRAM的即期價格,，此處的“DDR”為“Double Data Rate（雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器）”的縮寫，用以表示DRAM的規(guī)格,，DDR3為DDR2的兩倍,，DDR4為DDR3的兩倍。
圖6：各類DRAM的即期價格（2020年12月31日一一2021年9月17日）,，筆者根據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)制作了此圖,。（圖片出自：eetimes.jp）
從上圖6可以看出，與DDR3相比,，DDR4 DRAM的價格較高,，同樣的DDR4情況下，價格也按照16G、8G,、4G的順序從高到低依次推移,。DDR3 也是同樣，集成度高的產(chǎn)品價格相對較高,。
下面我們把2020年12月31日的DRAM價格定為單位“1”,，再看下各類DRAM的價格推移（下圖7）。2021年3月一一4月期間,，兩類DDR3＿2Gb的DRAM價格高達單位“1”的2.4一一2.5倍,。其次價格較高的是兩類DDR3＿4G，價格高達單位“1”的1.9一一2倍以上,，兩類DDR4＿4G的價格高達單位“1”的1.8一一1.9倍,。
圖7：把2020年12月31日的DRAM價格定為單位“1”后，各類DRAM的即期價格（一一2021年9月17日）,，筆者根據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)制作了此圖,。（圖片出自：eetimes.jp）
另一方面，集成度最高的16G產(chǎn)品在3月份達到了單位“1”的1.2倍左右,，兩類DDR4＿8G的產(chǎn)品的價格是單位“1”的1.4一一1.5倍左右,。總之,，就DRAM的即期價格而言,，即使是數(shù)據(jù)傳輸速率（bps）較低、集成度不高的傳統(tǒng)（Legacy ）DRAM的價格也呈現(xiàn)較高趨勢,。這種趨勢在DRAM的大宗交易價格推移中也可以見證,。
DRAM的大宗交易價格（Contract Price）推移
下圖8是2020年9月一一2021年8月期間各類DRAM的大宗交易價格（Contract Price）推移表，與即期價格一樣,，價格按照DDR2,、DDR3、DDR4的順序依次增高,，同樣DDR的情況下,，集成度高的產(chǎn)品價格較高。
圖8：各類DRAM的大宗交易價格（2020年9月一一2021年8月）,，筆者根據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)制作了此圖,。（圖片出自：eetimes.jp）
接下來，我們把2020年12月的大宗交易價格定為單位“1”,，再來看看各類DRAM的價格推移（下圖9）,，從下圖9 我們可以看出價格從高到低的順序為：DDR3＿2G、DDR2＿512M,、DDR2＿1G,、DDR3＿1G,。然而，集成度最高的DRAM一一兩類DDR4＿8G的價格上漲的程度卻是最低的,。
圖9：2020年12月的DRAM大宗交易價格定為單位“1”后,，各類DRAM的大宗交易價格（一一2021年8月），筆者根據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)制作了此圖,。（圖片出自：eetimes.jp）
即,，不管是即期價格還是大宗交易價格，傳統(tǒng)DRAM的價格都呈現(xiàn)高漲趨勢,，且集成度高的DRAM價格上漲程度并不明顯,。那么，為什么會發(fā)生以上情況呢,？
新冠疫情與DRAM價格的關系
價格上漲相對較明顯的傳統(tǒng)DRAM的主要用途為家用電器等產(chǎn)品,。由于新冠疫情的影響，很多人不得不“宅在家中（Stay At Home）”,。結(jié)果,，人們?yōu)榱耸孢m地度過宅在家中的生活，就網(wǎng)購了不少家用電器產(chǎn)品,。而這些家用電器并不需要數(shù)據(jù)傳輸速率（bps）較高,、集成度較高的DRAM。因此,，不怎么在市場流動的傳統(tǒng)DRAM的價格反而出現(xiàn)了上漲趨勢,。
下面的內(nèi)容進一步證實以上推論。首先,，再看下圖7,，價格高漲的傳統(tǒng)DRAM的即期價格自7月份開始下滑，此時新冠疫苗開始在全球范圍內(nèi)推廣,，且很多城市解封,。因此,，“宅經(jīng)濟”帶來的需求出現(xiàn)了下滑,。但是，傳統(tǒng)DRAM的大宗交易價格依舊呈現(xiàn)高漲趨勢,，那么筆者的推論是否正確呢,？還需要再次驗證！
此外,，下圖10是按照集成度來分的各月DRAM出貨數(shù)量,。幾乎每3 一一4年，DRAM就會進行一次更新?lián)Q代,，現(xiàn)在主流的DRAM為4G以上的8G和16G,。2G的即期價格和大宗交易價格在2013年達到最高,，1G在2010年達到最高，512M在2008年達到最高,，因此,，出現(xiàn)市場上的DRAM的絕對數(shù)量是很少的，數(shù)量本身就很少的DRAM卻因為新冠疫情而成為必需品,，因此價格上漲了兩倍甚至更多,。
圖10：按照集成度來分的各月DRAM出貨數(shù)量（1991年1月一一2021年6月），筆者根據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)制作了此圖,。（圖片出自：eetimes.jp）
DRAM價格高漲對DRAM出貨金額的影響
下面我們再看下圖4中的2020年第四季度一一2021年第一季度期間DRAM出貨金額大幅度上漲的情況,，此處出貨金額大幅度增長的主要原因在于DRAM出貨數(shù)量的增長。
那么,，DRAM價格的上漲到底帶來了多大的影響呢,？從上圖10 的各集成度的DRAM出貨數(shù)量圖來看，可以看出,，如今生產(chǎn)的產(chǎn)品幾乎都為4G,、8G、16G,。從上圖9可以看出,，集成度較高的DRAM（如8G）的大宗交易價格幾乎上升了1.44倍。
下面我們計算一下,，為什么在2020年第四季度一一2021年第二季度期間,，DRAM的出貨金額出現(xiàn)了急劇增長。（下圖11）
圖11：2020年第四季度一一2021年第二季度期間,，DRAM出貨金額增長的主要原因,。（圖片出自：eetimes.jp）
DRAM的出貨金額從149.86億美元（約人民幣974.09億元）增至235.30億美元（約人民幣1,529.45億元）（1.57倍）。
DRAM的出貨數(shù)量從48.88億個增至55.29億個（1.13倍）,。
主流的DDR4＿8G的大宗交易價格從1.85美元（約人民幣12.02元）增至4.1美元（約人民幣26.65元）（1.44倍）,。
（出貨數(shù)量1.13）*（價格上升1.44）=1.62,。
如上所述,，DRAM出貨金額的增長比例（即1.57倍）幾乎與以上計算值（1.62，出貨數(shù)量的1.13*主流DRAM價格的1.44）一致,。因此,，可以說，上圖4中DRAM出貨金額的增長,，與出貨數(shù)量的增加和價格的上漲兩個方面有關系,。此外，原以為出貨數(shù)量增長的產(chǎn)品的影響會相對較大,，其實,，價格上漲的產(chǎn)品的影響反而更大,。
NAND的即期價格推移
下面我們也順便分析一下NAND的即期價格和大宗交易價格（筆者事先聲明，很難分析其原因）,。首先我們看一下下圖12,，即2020年12月31日一一2021年9月17日期間的各類NAND的即期價格推移。此處,，SLC為“Single Level Cell（一個存儲單元內(nèi)可寫入1bit）”的縮寫,，MLC為“Multi Level Cell（一個存儲單元內(nèi)可寫入2bit）”的縮寫，TLC為“Triple Level Cell（一個存儲單元內(nèi)可寫入3 bit）”的縮寫,。此外,，所謂的3D TLC指的是3D NAND，不帶3D的NAND都是2D NAND,。
圖12：各類NAND的即期交易價格（2020年12月31日一一2021年9月17日）,，筆者根據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)制作了此圖。（圖片出自：eetimes.jp）
我們再看下上圖12,，3D TLC 1T（1 TB,，Terabyte，太字節(jié)）的價格最貴,，SLC 1G和SLC 2G的價格最低,，其他產(chǎn)品不呈現(xiàn)規(guī)律性。
與DRAM一樣,，我們把2020年12月31日的價格看做單位“1”后各類NAND的價格推移如下圖13所示,。要解釋下圖13，是十分困難的,。首先,，從整體來看，與DRAM的即期交易價格一樣,，NAND也沒有價格增長達兩倍的現(xiàn)象,。價格上漲最明顯的SLC＿2G也不過僅上漲了1.2 一一1.27倍。
圖13：把2020年12月31日的NAND價格看做單位“1”后,，各類NAND的即期交易價格（一一2021年9月17日）,，筆者根據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)制作了此圖。（圖片出自：eetimes.jp）
此外,，從上圖13 還可以看出,，MLC＿128G和MLC＿256G的價格幾乎呈直線上漲,，此外,，SLC＿16G的價格在八月下旬突然出現(xiàn)高漲。另一方面,，SLC_8G在4月中旬以來,，低于單位“1”,，為0.93，且一直持續(xù)低迷,。
那么,，為什么NAND會出現(xiàn)以上趨勢呢？無法很清晰地解釋其理由,，比方說,，SLC＿2G和SLC＿1G的價格呈現(xiàn)上漲趨勢。SLC類產(chǎn)品集成度較低,，可用于車載方向（雖然要求的可靠性較高,，但集成度要求較低，筆者想不出其他方向用途,，不過,，此處也并非是有力例證）。
NAND大宗交易價格的推移
下面我們看下2020年12月一一2021年8月期間的各類NAND的大宗交易價格推移（下圖14）,。其中,，價格最高的為SLC＿32G，其次為SLC＿16G,，然后為MLC＿128G,。此處可以看出，NAND的價格高低與集成度并不成正比,。
圖14：各類NAND的大宗交易價格（2020年12月一一2021年8月）,，筆者根據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)制作了此圖。（圖片出自：eetimes.jp）
集成度同樣為32G,，MLC的價格為3美金左右（約人民幣19.5元）,，SLC的價格是MLC的四倍多，為12.55美元（約人民幣81.56元）,，即,，汽車、高性能計算機等對可靠性要求較嚴格的產(chǎn)品一般采用的是SLC,，而不是MLC,。
NAND廠家也在研發(fā)TLC的下一代產(chǎn)品：Quad Level Cell（4 Bit Cell）和 Penta Level Cell（5 Bit Cell），然而,，這些Multi-bit-cell產(chǎn)品似乎并不是適用于所有的終端產(chǎn)品,。
我們把2020年12月的大宗交易價格定為單位“1”后，再來看看各類NAND的價格推移（下圖15）,，在2021年3月一一4月期間幾乎所有的NAND的價格都上漲至1.06一一1.11倍,，6月至7月再次上漲至1.5一一1.18倍。
圖15：把2020年12月的大宗交易價格定為單位“1”后,，各類NAND的大宗交易價格（一一2021年8月）,，筆者根據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)制作了此圖,。（圖片出自：eetimes.jp）
此外，在2021年8月,，價格上漲程度從高到低依次為：MLC＿32G,、MLC＿128G、MLC＿64G,、SLC＿1G（此時,，筆者覺得頭腦一片混亂）！的確,，SLC_1G的即期價格的上升程度較明顯（參考上圖13 ）,，截止到8月中旬，即期交易價格上漲最明顯的SLC＿2G的大宗交易價格幾乎沒有上漲（請對比上圖13和圖15）,。
此處我們匯總一下,，就NAND而言，無論是即期價格還是大宗交易價格的變化程度都不及DRAM,。此外,，存儲單元（Memory Cell）的大小、集成度與NAND的價格之間似乎不存在正相關關系,。另外,，從下圖16可以看出，當下主流生產(chǎn)的256G NAND正在被512G以上高集成度產(chǎn)品取代,。
圖16：各集成度的NAND的每月出貨數(shù)量（1991年1月一一2021年6月）,，筆者根據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)制作了此圖。（圖片出自：eetimes.jp）
存儲半導體市場的急劇增長會持續(xù)到何時,？
從各個季度的各類半導體的出貨金額（上圖3）來看,，2020年第四季度一一2021年第二季度期間，存儲半導體市場急劇增長,，上文中筆者已經(jīng)論述了出現(xiàn)急劇增長的主要原因在DRAM,，不在NAND。此外,，DRAM的季度最高出貨數(shù)量超過了55億個,，且作為主力的8G的大宗交易價格上漲了1.44倍，因此,，DRAM的出貨金額增長了1.57倍,，增至235.3億美元（約人民幣1,529.45億元）。
此外,，我們還了解到傳統(tǒng)DRAM的即期價格和大宗交易價格都增長了兩倍多,。由于傳統(tǒng)DRAM的絕對數(shù)量較少，因此當“宅經(jīng)濟”帶動各類家電產(chǎn)品需求增長時，傳統(tǒng)DRAM價格出現(xiàn)了高漲,。
DRAM市場（或者說存儲半導體市場）的急劇增長會持續(xù)到什么時候呢？這要看MPU（微處理器,，Micro Processor Unit）的情況（下圖17）,，2016年英特爾的10納米工藝啟動失敗。后來,，英特爾雖然又繼續(xù)為14納米“續(xù)命”,，為了提高MPU的性能，增加核（Core）數(shù),，因此芯片面積增大,，導致從單顆晶圓上獲得的芯片數(shù)量減少。
圖17：MPU,、DRAM,、NAND在每個季度的出貨數(shù)量，筆者根據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)制作了此圖,。（圖片出自：eetimes.jp）
從上圖17可以看出,，2016年第三季度全球MPU出貨數(shù)量為1.36億個，2019年第一季度下滑了4,800萬個,，下滑至8,800萬個,。由于全球MPU供給不足，以計算機和服務器為終端用途而生產(chǎn)的DRAM和NAND“充斥”著整個市場,，最終導致DRAM和NAND價格暴跌,，最終導致全球半導體的不景氣。
2021年第二季度MPU出貨數(shù)量為1.2億個,。雖然還不及2016年第三季度的峰值,，但出貨數(shù)量在逐步增長。也可能是英特爾的10納米量產(chǎn)已經(jīng)有了眉目,。也有可能是為AMD代工的TSMC的MPU產(chǎn)量出現(xiàn)了增長,！
如今，MPU的出貨數(shù)量在穩(wěn)步增長,，存儲半導體的價格應該不會出現(xiàn)大幅度下滑,。但是，當英特爾在美國亞利桑那州的新半導體工廠實現(xiàn)量產(chǎn)時（2024年）,，MPU有可能會出現(xiàn)供給過剩,。
此時，我們再回過頭來看看圖1,，筆者真心希望各國,、各半導體廠家都不要成為電影《漢姆林衣色斑駁的吹笛手（英文名：The Pied Piper of Hamelin）》中跟著笛聲跳舞的老鼠；希望各家半導體廠商都認真地進行市場營銷，冷靜且有計劃地生產(chǎn)半導體,，真心希望不要進行無意義的競爭,！