EPC推出了40 V,、1.3 m?的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (eGaN?FET),,器件型號(hào)為EPC2067,專為設(shè)計(jì)人員而設(shè),。EPC2067比MOSFET更小,、更高效,、更可靠,,適用于高性能且空間受限的應(yīng)用,。
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)是增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率晶體管和集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)者。新推的EPC2067(典型值為 1.3 mΩ,、40 V)擴(kuò)大了可選的低壓器件,,可立即供貨。
EPC2067非常適合需要高功率密度的應(yīng)用,,包括48 V-54 V輸入服務(wù)器,。較低的柵極電荷和零反向恢復(fù)損耗可實(shí)現(xiàn)1 MHz及更高頻率的高頻操作、高效并在9.3 mm2 的微小占位面積內(nèi),,實(shí)現(xiàn)高功率密度,。
EPC公司首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow 表示:“EPC2067器件專為從40 V-60 V轉(zhuǎn)至12 V的LLC DC/DC轉(zhuǎn)換器的次級(jí)側(cè)而設(shè)計(jì)。與上一代40 V的GaN FET相比,,這款40 V器件具有更高的性能和成本效益,從而讓設(shè)計(jì)師可以在更低的成本下,實(shí)現(xiàn)更高的效率和功率密度”,。
開發(fā)板
EPC90138開發(fā)板的最大器件電壓為40 V,、最大輸出電流為40 A,配備板載柵極驅(qū)動(dòng)器的半橋器件,,采用了EPC2067 eGaN FET,。這款 2“x 2”(50.8 mm x 50.8 mm) 的電路板專為實(shí)現(xiàn)最佳開關(guān)性能而設(shè)計(jì),并包含所有關(guān)鍵元件,,讓工程師易于評(píng)估EPC2067器件,。
一個(gè)1,000顆的卷盤的EPC2067的單價(jià)為2.69美元。