2021年11月3日,，2020年度國家科學(xué)技術(shù)獎獎勵大會在北京人民大會堂隆重舉行,。

據(jù)悉，本次技術(shù)獎共評選出264個項目,，包括46項國家自然科學(xué)獎項目,、61項國家技術(shù)發(fā)明獎項目、157項國家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎項目,，包括半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈多個項目,，如“高壓智能功率驅(qū)動芯片設(shè)計及制備的關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用”項目、“固態(tài)存儲控制器芯片關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化”項目,、“高密度高可靠電子封裝關(guān)鍵技術(shù)及成套工藝”項目,、以及“超高純鋁鈦銅鉭金屬濺射靶材制備技術(shù)及應(yīng)用”項目等。

“高密度高可靠電子封裝關(guān)鍵技術(shù)及成套工藝”項目

“高密度高可靠電子封裝關(guān)鍵技術(shù)及成套工藝”項目榮獲國家科技進(jìn)步一等獎,。該項目由華中科技大學(xué),，華進(jìn)半導(dǎo)體，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所，長電科技,，通富微電,，華天科技，蘇州旭創(chuàng),，中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所,，香港應(yīng)用科技研究院有限公司，武漢大學(xué)等聯(lián)合參與完成,。

據(jù)悉,，針對高密度芯片封裝翹曲和異質(zhì)界面開裂導(dǎo)致的低成品率，項目團(tuán)隊提出了芯片-封裝結(jié)構(gòu)及工藝多場多尺度協(xié)同設(shè)計方法和系列驗證方法,，應(yīng)用于5G通訊等領(lǐng)域自主可控芯片的研制,，攻克了晶圓級扇出封裝新工藝，突破了7nm CPU芯片封裝核心技術(shù),。

此次獲獎項目解決了電子封裝行業(yè)知識產(chǎn)權(quán)“空心化”和“卡脖子”難題,，占領(lǐng)了行業(yè)技術(shù)制高點(diǎn)，實現(xiàn)了高密度高可靠電子封裝從無到有,、由傳統(tǒng)封裝向先進(jìn)封裝的轉(zhuǎn)變,。

此外，項目完成單位與國內(nèi)企業(yè)合作研制了系列封裝及檢測設(shè)備,，建立了多條封裝柔性產(chǎn)線,；300多類產(chǎn)品覆蓋通訊、汽車,、國防等12個行業(yè),。

“固態(tài)存儲控制器芯片關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化”項目

據(jù)悉，“固態(tài)存儲控制器芯片關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化”項目榮獲國家科技進(jìn)步二等獎,，由杭州電子科技大學(xué),，華瀾微電子，中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所,，清華大學(xué),，西安奇維科技，西京學(xué)院主要完成,。該項技術(shù)是新一代電腦硬盤,、大數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)的芯片級硬科技，已經(jīng)得到了國產(chǎn)化推廣應(yīng)用,。

過去,，電腦硬盤領(lǐng)域被美國、日本公司壟斷,，尤其是西部數(shù)據(jù)（WD）和希捷（Seagate）牢牢占據(jù)著全球第一,、第二硬盤公司的地位,。最近十年，固態(tài)存儲技術(shù)（即半導(dǎo)體存儲技術(shù)）發(fā)展迅猛,，產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)到了千億美元,。數(shù)碼相機(jī)替代膠卷、U盤替代磁盤,，到最近的固態(tài)硬盤（半導(dǎo)體芯片為存儲媒介）替代傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤（以磁盤為存儲媒介）,，全球數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)業(yè)正在一波波地更新?lián)Q代。

據(jù)華瀾微官微介紹,，“固態(tài)存儲控制器芯片關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化”項目從2005年開始,，歷時十多年研制成功我國第一顆固態(tài)硬盤控制器芯片，并進(jìn)一步實現(xiàn)了系列固態(tài)存儲產(chǎn)品的國產(chǎn)化,。項目團(tuán)隊解決了高速計算機(jī)接口核心技術(shù)的國產(chǎn)化問題,；突破了固態(tài)硬盤容量的瓶頸、達(dá)到業(yè)內(nèi)最高容量,；提出了高速、無損的物理層數(shù)據(jù)加密關(guān)鍵技術(shù),，為我國的信息安全提供了芯片級安全保障,。

“高壓智能功率驅(qū)動芯片設(shè)計及制備的關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用”項目

“高壓智能功率驅(qū)動芯片設(shè)計及制備的關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用”項目獲得技術(shù)發(fā)明二等獎。該項目由東南大學(xué),，無錫華潤上華,、無錫芯朋微電子、無錫新潔能股份參與完成,，致力于解決高壓智能功率驅(qū)動芯片設(shè)計與制備的核心技術(shù)難題,。

功率芯片是功率電子系統(tǒng)的“核芯”，廣泛應(yīng)用于智能制造,、新能源交通,、電力裝備、智能家居等領(lǐng)域,，是國家新基建部署和實施的底層保障與基礎(chǔ)支撐,。當(dāng)前全球功率半導(dǎo)體芯片市場規(guī)模超400億美元，其中中國占比超1/3,。

據(jù)東南大學(xué)介紹,，項目參與方設(shè)計并制備了80余款高壓智能功率驅(qū)動芯片，被100余家國內(nèi)外公司采用,。目前,，研制的芯片已應(yīng)用于“世界首條350公里時速智能高鐵—京張高鐵”空調(diào)系統(tǒng)，支持了我國自主知識產(chǎn)權(quán)的高鐵發(fā)展,。

東南大學(xué)表示,，項目的成功推動了我國高壓智能功率驅(qū)動芯片的發(fā)展,，實現(xiàn)了從依賴進(jìn)口到自主可控并服務(wù)全球的重要轉(zhuǎn)變。同時,，在項目研發(fā)過程中,，為國家培養(yǎng)了一批高層次集成電路專門人才，踐行了“政產(chǎn)學(xué)研用”發(fā)展模式,。該項目成果實現(xiàn)了我國高壓智能功率驅(qū)動芯片從依賴進(jìn)口到自主可控并服務(wù)全球的重要轉(zhuǎn)變,。

“超高純鋁鈦銅鉭金屬濺射靶材制備技術(shù)及應(yīng)用項目”

“超高純鋁鈦銅鉭金屬濺射靶材制備技術(shù)及應(yīng)用項目”榮獲國家技術(shù)發(fā)明二等獎，由江豐電子和重慶大學(xué)完成,。

在與重慶大學(xué)合作下,，江豐電子攻克了芯片制造所需的關(guān)鍵材料——超高純金屬濺射靶材在形變熱加工過程中的精細(xì)調(diào)控、異種金屬高結(jié)合率焊接,、金屬熔煉提純以及靶材的精密機(jī)加工等多項關(guān)鍵核心技術(shù),，開發(fā)出用于芯片制造的超高純金屬濺射靶材的全套生產(chǎn)工藝。

該項目創(chuàng)新了超高純金屬濺射靶材晶粒尺寸及織構(gòu)控制技術(shù),、異種金屬大面積焊接技術(shù),、精密機(jī)加工及表面處理術(shù)、全系列分析檢測與評價技術(shù),，成功制備出超高純金屬濺射靶材,，產(chǎn)品具有良好的穩(wěn)定性和一致性，建成了年產(chǎn)五萬枚靶材的生產(chǎn)基地,，具有顯著的經(jīng)濟(jì)效益,。同時，該項目填補(bǔ)了國內(nèi)靶材產(chǎn)業(yè)空白,，該項目對提升我國集成電路,、平板顯示工藝及材料技術(shù)的自主創(chuàng)新能力，推動和發(fā)展我國電子信息產(chǎn)品的技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)安全起到了重要作用,。