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Rambus發(fā)布業(yè)界首款5600 MT/s DDR5寄存時鐘驅(qū)動器(RCD), 進一步提升服務(wù)器存儲性能

2021-11-18
來源:Rambus
關(guān)鍵詞: Rambus IP核 DDR5

中國北京,,2021年11月17日 —— 作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和IP核供應(yīng)商,,致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全,Rambus Inc.(納斯達克股票代碼:RMBS)今日宣布已開始向主要的DDR5內(nèi)存模塊(RDIMM)供應(yīng)商提供數(shù)據(jù)傳輸速率可達5600MT/s的第二代RCD芯片樣品,。第二代RCD芯片性能更強,較第一代4800MT/s的Rambus DDR5 RCD的數(shù)據(jù)傳輸速率提高了17%。通過關(guān)鍵創(chuàng)新,,Rambus能夠以更低的延遲和能耗提供5600 MT/s的性能,同時優(yōu)化定時參數(shù),,提升RDIMM的裕量,。

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Rambus 5600 MT/s DDR5 RCD眼圖

IDC計算半導(dǎo)體研究部門副總裁Shane Rau表示:“高階工作負載正在持續(xù)推動對更大內(nèi)存帶寬的需求。以Rambus為代表的DDR5生態(tài)系統(tǒng)參與者必須不斷提高性能標準,,以滿足數(shù)據(jù)中心應(yīng)用迅速增長的需求,。”

Rambus首席運營官范賢志(Sean Fan)表示:“RCD是DDR5服務(wù)器DIMM的關(guān)鍵賦能部件,,提供了下一代數(shù)據(jù)中心所需的帶寬和容量,。實現(xiàn)5600MT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率是Rambus在DDR5內(nèi)存接口產(chǎn)品領(lǐng)域保持領(lǐng)先的最新力證?!?/p>

與DDR4相比,,DDR5內(nèi)存在DIMM中內(nèi)置更多智能功能,可將數(shù)據(jù)傳輸速率提高一倍,,容量提升至四倍,,同時還降低了功耗、提高了內(nèi)存效率,。Rambus內(nèi)存接口芯片是下一代服務(wù)器實現(xiàn)全新性能水平的關(guān)鍵,。

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