12月8日消息，佛山市國星光電股份有限公司（以下簡稱“國星光電”或“公司”）發(fā)布公告表示,，于2020年4月29日公司披露《關(guān)于公司取得土地證的公告》（2020－028）,，公司于2020年4月已完成其中約60畝土地使用權(quán)（面積40，087．91平方米）的權(quán)屬登記手續(xù),。

因地塊分兩次競拍取得,，公司于近日完成全部約82畝地塊的土地權(quán)屬證書辦理工作，并取得了佛山市自然資源局頒發(fā)的《中華人民共和國不動產(chǎn)權(quán)證書》,。

國星光電表示,，本次取得的土地使用權(quán)主要是用于吉利產(chǎn)業(yè)園項目的建設(shè)，布局先進的LED封裝及應(yīng)用生產(chǎn)線,，重點擴充Mini LED,、小間距、TOP LED等產(chǎn)品的產(chǎn)能規(guī)模,，有助于持續(xù)提升公司綜合體量和競爭實力,，對公司的中長期發(fā)展帶來積極影響。

公開資料顯示,，國星光電成立于1969年,，注冊資本6．2億元，是廣東省屬國有獨資重點企業(yè)廣晟集團的控股上市公司,，專業(yè)從事研發(fā),、生產(chǎn)、銷售LED及LED應(yīng)用產(chǎn)品,，是國內(nèi)第一家以LED為主業(yè)首發(fā)上市的企業(yè),，也是最早生產(chǎn)LED的企業(yè)之一。

經(jīng)過52年的改革發(fā)展,，國星光電現(xiàn)已成為廣晟集團電子信息板塊的主力軍,、我國LED封裝行業(yè)的龍頭企業(yè)，在全球LED封裝行業(yè)占據(jù)重要地位,，顯示器件市場規(guī)模名列國內(nèi)前茅,，白光器件市場規(guī)模位居高端應(yīng)用領(lǐng)域國內(nèi)前列，組件產(chǎn)品為國際知名家電企業(yè)的核心戰(zhàn)略供貨商,。

維科網(wǎng)注意到,，國星光電在此前公布的投資者關(guān)系活動記錄表中提到，公司一直高度關(guān)注三代半領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展與技術(shù)研究,，致力于打造高可靠性、高品質(zhì)的功率器件封測業(yè)務(wù)。在上游芯片領(lǐng)域,，公司有布局硅基氮化鎵的外延芯片,；中游封裝領(lǐng)域，公司已建成第三代半導(dǎo)體功率器件實驗室及試產(chǎn)線,；下游應(yīng)用領(lǐng)域公司也在積極與相關(guān)企業(yè)洽談戰(zhàn)略性合作,，并針對客戶的應(yīng)用需求定制開發(fā)樣品等。

首先,，LED 封測轉(zhuǎn)向氮化鎵封測在技術(shù)上,、工藝上、可靠性,、能力上具有天然的優(yōu)勢,；其次，公司下游客戶也會用到第三代半導(dǎo)體相關(guān)功率器件,，具有客戶渠道協(xié)同的優(yōu)勢,；同時，國星光電還具有外延芯片上的技術(shù)積累優(yōu)勢,，子公司國星半導(dǎo)體有硅基氮化鎵芯片相關(guān)技術(shù)儲備,。

在Mini＆Micro領(lǐng)域的產(chǎn)品及技術(shù)布局方面，國星光電表示,，聚焦Mini＆ Micro LED超高清顯示領(lǐng)域,， 持續(xù)推出有核心競爭力的產(chǎn)品系列：Mini LED方面，公司研發(fā)覆蓋了Mini直顯P0．4到P0．9全系列產(chǎn)品,，其中Mini LED P0．4系列產(chǎn)品為全球首發(fā),，采用獨創(chuàng)20in1封裝方式，是目前全球封裝密度最高的Mini產(chǎn)品,；Mini背光方面,，公司儲備Mini POB、Mini COB,、Mini COG三大技術(shù)路線,，可滿足不同客戶定制化需求；Micro LED方面,，發(fā)揮子公司國星半導(dǎo)體與本部上下游聯(lián)動優(yōu)勢,，巨量轉(zhuǎn)移工藝取得突破性進展，產(chǎn)品良率高,，同時國星半導(dǎo)體已開發(fā)了面向于P0．3間距及面向P0．1間距的Micro LED芯片系列,，并實現(xiàn)小批量供貨給國星光電研究院。

值得注意的是,，國星光電經(jīng)過2020年下半年以來的戰(zhàn)略調(diào)整,，加上公司向全資子公司國星半導(dǎo)體2．2億元增資計劃的穩(wěn)步推進，其產(chǎn)品結(jié)構(gòu)得到進一步優(yōu)化：目前國星半導(dǎo)體以RGB 芯片、倒裝芯片,、紫光芯片等利基型產(chǎn)品為主,，同時研發(fā)布局Mini 和 Micro領(lǐng)域，形成了Mini背光和Mini顯示兩大系列的芯片產(chǎn)品,，同時發(fā)揮上下游垂直聯(lián)動的優(yōu)勢,，協(xié)同本部研究院進行Micro LED關(guān)鍵技術(shù)的攻關(guān)；在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,，聯(lián)合多所高校及研究所,，發(fā)揮產(chǎn)學(xué)研協(xié)同優(yōu)勢，展開GaN功率器件,、紫外探測器芯片,、深紫外UVC芯片等方向的研發(fā)工作，參與兩項第三代半導(dǎo)體方向的省級研發(fā)項目,。