《電子技術(shù)應(yīng)用》
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中國信科成功研制國內(nèi)首款1.6Tb/s硅光互連芯片

2021-12-31
來源:電子創(chuàng)新網(wǎng)
關(guān)鍵詞: 中國信科 1.6Tbs NOEIC

  近日,中國信息通信科技集團光纖通信技術(shù)和網(wǎng)絡(luò)國家重點實驗室聯(lián)合國家信息光電子創(chuàng)新中心(NOEIC)、鵬城實驗室,,在國內(nèi)率先完成1.6Tb/s硅基光收發(fā)芯片的研制和功能驗證,實現(xiàn)了我國硅光芯片技術(shù)向Tb/s級的首次跨越,,為我國下一代數(shù)據(jù)中心內(nèi)的寬帶互連提供了可靠的光芯片解決方案。

  光芯片是光通信系統(tǒng)中的關(guān)鍵核心器件,,硅光芯片作為采用硅光子技術(shù)的光芯片,,是將硅光材料和器件通過特色工藝制造的新型集成電路,。相對于傳統(tǒng)三五族材料光芯片,因使用硅作為集成芯片襯底,,硅光芯片具有集成度高,、成本低、光波導(dǎo)傳輸性能好等特點,。目前,,國際上400G光模塊已進入商用部署階段,800G光模塊樣機研制和技術(shù)標準正在推進中,,而1.6Tb/s光模塊將成為下一步全球競相追逐的熱點,。

  

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  在本次1.6Tb/s硅基光收發(fā)芯片的聯(lián)合研制和功能驗證中,研究人員分別在單顆硅基光發(fā)射芯片和硅基光接收芯片上集成了8個通道高速電光調(diào)制器和高速光電探測器,,每個通道可實現(xiàn)200Gb/s PAM4高速信號的光電和電光轉(zhuǎn)換,,最終經(jīng)過芯片封裝和系統(tǒng)傳輸測試,完成了單片容量高達8 * 200Gb/s光互連技術(shù)驗證,。該工作刷新了國內(nèi)此前單片光互連速率和互連密度的最好水平紀錄,,展現(xiàn)出硅光技術(shù)的超高速、超高密度,、高可擴展性等突出優(yōu)勢,,為下一代數(shù)據(jù)中心內(nèi)的寬帶互連提供了可靠的光芯片解決方案,將為超級計算,、人工智能等新技術(shù),、新產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展提供有力支撐。





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