《電子技術(shù)應(yīng)用》
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2022年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)預(yù)測(cè)分析

2022-01-11
來(lái)源:維科網(wǎng)顯示
關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體

  中商情報(bào)網(wǎng)訊:半導(dǎo)體分立器件主要用于各類電子設(shè)備的整流,、穩(wěn)壓、開(kāi)關(guān),、混頻,、放大等,具有廣泛的應(yīng)用范圍和不可替代性,。目前半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)通常沿著功率,、頻率和微型化等方向發(fā)展,形成了新的器件理論和新的封裝結(jié)構(gòu),,各種新型半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品不斷上市,,促進(jìn)著電子信息技術(shù)的快速發(fā)展。

  市場(chǎng)規(guī)模

  目前,,我國(guó)已經(jīng)成為全球重要的半導(dǎo)體分立器件制造基地和全球最大的半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng),,根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù),2020年我國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)規(guī)模已達(dá)到2763.4億元,。就國(guó)內(nèi)市場(chǎng)而言,,二極管、三極管,、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化,,而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其技術(shù)及工藝的先進(jìn)性,,還較大程度上依賴進(jìn)口,未來(lái)進(jìn)口替代空間較大,,預(yù)計(jì)2022年我國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)3180.3億元,。

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  數(shù)據(jù)來(lái)源:中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì),、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

  產(chǎn)量

  從中長(zhǎng)期看,國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長(zhǎng),。近年來(lái)物聯(lián)網(wǎng),、可穿戴設(shè)備、云計(jì)算,、大數(shù)據(jù),、新能源、醫(yī)療電子,、VR/AR,、安防電子等新興應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒊蔀閲?guó)內(nèi)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)的持續(xù)增長(zhǎng)點(diǎn)。2020年受疫情影響及出口市場(chǎng)的下滑,,我國(guó)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量達(dá)7317.7億只,,同比下降4.3%,預(yù)計(jì)2022年我國(guó)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量可達(dá)8079.2億只,。

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  數(shù)據(jù)來(lái)源:中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì),、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

  行業(yè)技術(shù)特點(diǎn)

  隨著終端產(chǎn)品的整體技術(shù)水平要求越來(lái)越高,功率半導(dǎo)體分立器件技術(shù)也在市場(chǎng)的推動(dòng)下不斷向前發(fā)展,,CAD設(shè)計(jì),、離子注入、濺射,、多層金屬化,、亞微米光刻等先進(jìn)工藝技術(shù)已應(yīng)用到分立器件生產(chǎn)中,行業(yè)內(nèi)產(chǎn)品的技術(shù)含量日益提高,、制造難度也相應(yīng)增大,。

  目前日本和美國(guó)等發(fā)達(dá)國(guó)家的功率器件領(lǐng)域,很多VDMOS(功率場(chǎng)效應(yīng)管),、IGBT產(chǎn)品已采用VLSI(超大規(guī)模集成電路)的微細(xì)加工工藝進(jìn)行制作,,生產(chǎn)線已大量采用8英寸、0.18微米工藝技術(shù),,大大提高了功率半導(dǎo)體分立器件的性能,。

  未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

  1.新產(chǎn)品、新材料不斷涌現(xiàn),,不斷拓展新的應(yīng)用領(lǐng)域

  當(dāng)前半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)正在發(fā)生深刻的變革,,其中新材料成為產(chǎn)業(yè)新的發(fā)展重心。以碳化硅(SiC),、氮化鎵(GaN)等材料為代表的新材料半導(dǎo)體因其寬禁帶,、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等優(yōu)異的性能而受到行業(yè)關(guān)注,,有望成為新型的半導(dǎo)體材料,。

  SiC,、GaN等半導(dǎo)體材料屬于新興領(lǐng)域,具有極強(qiáng)的應(yīng)用戰(zhàn)略性和前瞻性,。目前美歐,、日韓及臺(tái)灣等地區(qū)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)SiC、GaN等新材料半導(dǎo)體功率器件的量產(chǎn),。新材料半導(dǎo)體的涌現(xiàn)將不斷提升半導(dǎo)體器件的性能,,使得產(chǎn)品能夠滿足更多應(yīng)用領(lǐng)域的需求。

  2.小型化,、模塊化,、系統(tǒng)化程度不斷提升

  未來(lái)伴隨著移動(dòng)智能終端、5G網(wǎng)絡(luò),、物聯(lián)網(wǎng),、新能源、AR/VR等新興行業(yè)的發(fā)展,,新型半導(dǎo)體分立器件將不斷涌現(xiàn),,在替代原有市場(chǎng)應(yīng)用的同時(shí),將持續(xù)開(kāi)拓新興應(yīng)用領(lǐng)域,。同時(shí),,為了使現(xiàn)有半導(dǎo)體分立器件能適應(yīng)市場(chǎng)需求的快速變化,需要采用新技術(shù),、開(kāi)發(fā)新的應(yīng)用材料,、繼續(xù)優(yōu)化完善結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、制造工藝和封裝技術(shù)等,,提高器件的性能,。

  此外,下游電子信息產(chǎn)品小型化,、智能化發(fā)展趨勢(shì),,必然要求內(nèi)嵌其中的半導(dǎo)體分立器件等關(guān)鍵零部件盡可能小型化、微型化以及多功能化,。為適應(yīng)整機(jī)裝配效率和提高整機(jī)性能可靠性,、穩(wěn)定性的要求,半導(dǎo)體分立器件將趨于體積小型化,、組裝模塊化,、功能系統(tǒng)化。

  3.產(chǎn)業(yè)鏈屬性決定IDM將成為主流發(fā)展模式

  由于分立器件在投資規(guī)模方面采用IDM模式具備經(jīng)濟(jì)效益上的較強(qiáng)可行性,,同時(shí)半導(dǎo)體分立器件的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和生產(chǎn)工藝都對(duì)產(chǎn)品性能產(chǎn)生較大影響,,對(duì)企業(yè)設(shè)計(jì)與工藝結(jié)合能力要求較高,業(yè)內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)一般沿著原有業(yè)務(wù)進(jìn)行產(chǎn)業(yè)鏈延伸,,逐步完善IDM模式發(fā)展,。

  分立器件行業(yè)發(fā)展IDM模式有兩種典型路徑:一類是以芯片技術(shù)為基礎(chǔ)的公司,,該類企業(yè)通常在特定品種的分立器件擁有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),為客戶提供自主芯片對(duì)應(yīng)的分立器件,,在發(fā)展過(guò)程中逐步補(bǔ)強(qiáng)封測(cè)技術(shù)和產(chǎn)能。另一類是以封測(cè)技術(shù)為基礎(chǔ)的公司,,該類企業(yè)具備“多品種,、多規(guī)格”的產(chǎn)品系列,可以為客戶提供“一站式”采購(gòu)服務(wù),,在發(fā)展過(guò)程中不斷發(fā)展芯片技術(shù)和產(chǎn)能,。

  

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