《電子技術(shù)應(yīng)用》
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PCB的DDR4布線指南和PCB的架構(gòu)改進(jìn)

2022-01-24
來源:電子創(chuàng)新網(wǎng)
關(guān)鍵詞: PCB DDR4 RAM

  計(jì)算機(jī)領(lǐng)域總是在持續(xù)不斷地進(jìn)步,,始終有發(fā)展變化和更新迭代等待著我們?nèi)ンw驗(yàn)和探索。從頭開始打造一臺新的 PC 是一種令人愉悅的體驗(yàn),有新一代標(biāo)準(zhǔn)時更是如此,。說到這里,,我們不得不提到有關(guān)隨機(jī)存取存儲器 (RAM) 的話題,。具體來說是 DDR4 RAM,,這恰好是市場上目前的標(biāo)準(zhǔn)。RAM 的重要性眾所周知,,如果我們問到任何計(jì)算機(jī)或網(wǎng)絡(luò)工程師,,他們都會表示擁有再多的 RAM 也不為過。

  

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  基于 DDR4 實(shí)現(xiàn)的 PCB 架構(gòu)改進(jìn)

  如上所述,,計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域的格局不斷發(fā)展變化,。隨著新標(biāo)準(zhǔn)的出現(xiàn),設(shè)備架構(gòu)需要作出相應(yīng)調(diào)整,。這一表述同樣適用于從 DDR3 到 DDR4 的代際標(biāo)準(zhǔn)變化,。

  隨機(jī)存取存儲器的這些進(jìn)步也顯著提升了整體性能。因此,,想要利用最新的 RAM,,就需要改變 PCB 設(shè)計(jì),;正如 USB 標(biāo)準(zhǔn)從 USB 2.0 發(fā)展到 USB 3.0 時一樣,。隨著市場對更強(qiáng)處理能力、更佳性能和更高級功能的需求不斷推動行業(yè)的發(fā)展,這些類型的改變是持續(xù)且必要的,。

  盡管大多數(shù)人不會注意到或看到 PCB 設(shè)計(jì)所需的架構(gòu)變化,,但這并沒有降低這些關(guān)鍵變化的重要性。

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  實(shí)現(xiàn) DDR4,,PCB Layout 需要作出什么改變,?

  雙倍數(shù)據(jù)速率 4 (Double Data Rate 4)簡稱 DDR4,有兩種不同的模塊類型,。其中一種模塊類型是小型雙列直插式內(nèi)存模塊(260 個引腳),,簡稱 So-DIMM,用于筆記本電腦等便攜式計(jì)算設(shè)備,。另一種模塊類型是雙列直插式內(nèi)存模塊(288 個引腳),,簡稱 DIMM,用于臺式機(jī)和服務(wù)器等設(shè)備,。

  因此,,架構(gòu)的第一個變化當(dāng)然是引腳數(shù)所致。上一迭代 (DDR3) 的 DIMM 使用 240 個引腳,,So-DIMM 為 204 個引腳,。而前文提到的 DDR4 的 DIMM 使用 288 個引腳。隨著引腳或觸點(diǎn)的增加,,DDR4 提供更大的 DIMM 容量,、更好的數(shù)據(jù)完整性、更快的下載速度和更高的能效,。

  

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  各種類型的 DDR RAM 芯片,。

  與這種整體性能改進(jìn)一同出現(xiàn)的還有一種彎曲設(shè)計(jì)(底部),可以實(shí)現(xiàn)更好,、更安全的連接,,并提高安裝過程中的穩(wěn)定性和強(qiáng)度。此外,,臺架測試證明,,DDR4 使性能提升了 50%,最高可達(dá) 3,200 MTs(每秒兆傳輸率),。

  而且,,這些性能提升是在降低功耗的情況下實(shí)現(xiàn)的:每個 DIMM僅耗費(fèi)1.2 伏,而不是上一代標(biāo)準(zhǔn)要求的 1.5 至 1.35 伏,。所有這些變化意味著 PCB 設(shè)計(jì)人員必須重新評估設(shè)計(jì)方法來實(shí)現(xiàn) DDR4,。

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  PCB DDR4 設(shè)計(jì)指南

  如果我們希望電子設(shè)備或元件以最佳水平運(yùn)行,則需要精準(zhǔn)的 PCB 設(shè)計(jì),,其中包括 DDR4 的實(shí)現(xiàn),。這一點(diǎn)很好理解,。除了需要設(shè)計(jì)精度之外,還必須符合當(dāng)今的內(nèi)存,。

  PCB 設(shè)計(jì)人員也必須考慮各種其他因素,,例如空間分配和關(guān)鍵連接。還需要管理初始設(shè)計(jì)階段,,因?yàn)橄胍晒?shí)施,,設(shè)計(jì)必須滿足布線拓?fù)浜驮O(shè)計(jì)規(guī)范。

  為了有效管理數(shù)據(jù),,PCB 應(yīng)遵循布線和最佳實(shí)踐 (PCB),,否則會導(dǎo)致若干問題,包括易感性和輻射發(fā)射,。PCB 設(shè)計(jì)人員還應(yīng)該利用適當(dāng)?shù)募夹g(shù)來實(shí)現(xiàn)大規(guī)模扇出和高邊緣速率,,以保持低誤碼率和 1.6 至 3.2 Gbps 的數(shù)據(jù)范圍。同樣,,如果沒有適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)技術(shù),,我們的 PCB 將遇到信號完整性問題并導(dǎo)致串?dāng)_和由此產(chǎn)生的(過度)抖動。

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  DDR4 布線指南以及長度和間距規(guī)則

  在 PCB 設(shè)計(jì)中,,想要實(shí)現(xiàn)最佳布線路徑,,需要正確放置 DIMM 連接器和正確使用內(nèi)存芯片。一般來說,,DDR4 SDRAM 需要更短的布線和適當(dāng)?shù)拈g距,,以實(shí)現(xiàn)峰值時序和最佳信號完整性。PCB 設(shè)計(jì)人員還應(yīng)在相關(guān)信號組中進(jìn)行引腳交換,。此外,,在實(shí)現(xiàn)過程中,應(yīng)避免信號布線位于空隙處,、信號層布線彼此相鄰以及參考平面分割,。

  同時,如果可以的話,,我們還應(yīng)該在電源層或適當(dāng)?shù)慕拥?(GND) 之間進(jìn)行存儲器接口信號布線,。此外,可以通過在同一層的同一字節(jié)通道組中進(jìn)行 DQ(輸入/輸出數(shù)據(jù)),、DQS(數(shù)據(jù)選通)和 DM(數(shù)據(jù)掩碼)信號布線來幫助減少或消除傳輸速度差異,。與 DQS 信號相比,時鐘信號的傳播延遲更長,,因此時鐘信號的走線長度通常需要比雙列直插式內(nèi)存模塊中最長的 DQS 走線更長,。

  最后,我們必須牢記,,每個電路板堆疊都是不同的,,間距要求也是如此,。因此,必須利用場求解器 (如Cadence Clarity? 3D Solver) 在臨界信號之間建立低于 -50dB 的串?dāng)_,。請注意:從時鐘到 DQS 沒有長度要求,但是從時鐘到命令/控制/地址有長度要求,。長度要求取決于材料的 Dk(介電常數(shù))和每個 SDRAM 的負(fù)載,。

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  DDR4 層分配和數(shù)據(jù)通道參考

  可以將 DQS、DQ 和 DM 網(wǎng)絡(luò)分配給堆疊中任何可用的內(nèi)部帶狀線層,。而地址/命令/控制和時鐘應(yīng)在更靠近 SDRAM 的層上進(jìn)行布線,,以最大限度地減少過孔耦合。

  地址/命令/控制 SDRAM 過孔應(yīng)該在每個 SDRAM 處添加連接到接地的過孔(陰影過孔),,以減少過孔耦合,。

  此外,地址和控制參考電源層或接地取決于控制器,。需要注意的是,,DIMM 有地址和控制參考電源層,而板載 BGA(球柵陣列)很少有地址和控制參考電源層,。

  

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  DDR4 會給設(shè)計(jì)增添大量的復(fù)雜性,,但遵守指南可以緩解這種情況。

  DDR4 與上一代標(biāo)準(zhǔn) (DDR3) 一樣,,在實(shí)現(xiàn)時需要新的設(shè)計(jì)方法,。顯然,為了適應(yīng)升級后的性能,,設(shè)計(jì)要求有所變動,,這是創(chuàng)新的副作用。然而,,遵循正確的設(shè)計(jì)和拓?fù)浼夹g(shù)可以最大程度地利用這一當(dāng)代的新標(biāo)準(zhǔn)來提升性能,。

  無論是要實(shí)現(xiàn)任何形式的 DDR 內(nèi)存,還是從事于對信號要求特別高的設(shè)計(jì),,Cadence 的設(shè)計(jì)和分析工具套件都能助您一臂之力,。Allegro? PCB Designer 不僅可以為您提供對元件進(jìn)行恰當(dāng)放置和布線的布局解決方案,而且還能提供一整套工具來加強(qiáng)分析和生產(chǎn),,確保設(shè)計(jì)比您預(yù)期的“雙倍數(shù)據(jù)速率”更快,。





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