Intel日前一口氣官宣了未來四代酷睿處理器,，包括Raptor Lake 13代、Meteor Lake 14代,、Arrow Lake 15代,、Lunar Lake 16代，據(jù)說后邊是Nova Lake 17代,。
Intel同時(shí)也披露了一些初步細(xì)節(jié),，比如說Arrow Lake 15代酷睿，會(huì)繼續(xù)使用非單一芯片整合封裝,、Intel 4工藝,，首次加入Intel 20A工藝（大致等于2nm），首次加入外部代工,，來自臺(tái)積電3nm（可能對(duì)應(yīng)GPU部分）,，號(hào)稱擁有媲美獨(dú)立顯卡級(jí)性能的核顯。
其實(shí)早在去年8月，就有傳聞稱,，Alder Lake－P移動(dòng)版會(huì)采用最多6個(gè)Lion Cove架構(gòu)大核心,、8個(gè)Skymont架構(gòu)小核心的組合（桌面版8＋32），而最高級(jí)別的GT3核顯則有320個(gè)單元（2560個(gè)核心）,，目前的12代也不過96個(gè),。
最新泄露的一份內(nèi)部路線圖，詳細(xì)展示了Arrow Lake－P的時(shí)間進(jìn)程,，并確認(rèn)了一些關(guān)鍵規(guī)格,。
按照這份規(guī)劃，Arrow Lake－P會(huì)在今年第48周（11月21－25日）完成ES1第一版工程樣品,，明年第5周（1月23－27日）完成ES2第二版工程樣品,，第27周（6月26－30日）完成QS質(zhì)量樣品，33周（8月7－11日）完成投產(chǎn)準(zhǔn)備,，第四季度上市,。
這個(gè)時(shí)間進(jìn)度有點(diǎn)太緊了，畢竟12代剛剛布局完畢,，官方也說了今年下半年推出13代,，明年上14代，2024年才會(huì)有15代,。
不過路線圖上也承認(rèn),，臺(tái)積電3nm工藝存在不確定性，而且是第一次使用,，時(shí)間規(guī)劃上可能會(huì)有幾個(gè)星期的延遲變動(dòng),，而且Arrow Lake－P系列的優(yōu)先級(jí)高于桌面版Arrow Lake－S系列，自然會(huì)先行上市（現(xiàn)在是先出桌面版）,。
回到規(guī)格上,，Arrow Lake－P（代號(hào)Halo）確實(shí)會(huì)有Lion Cove（LNC）、Skymont（SKT）大小核架構(gòu),，分別最多6個(gè),、8個(gè)。
GT3核顯采用臺(tái)積電N3 3nm工藝,，集成320個(gè)EU單元,，面積初步估計(jì)80平方毫米左右，但根據(jù)臺(tái)積電晶圓工藝可能會(huì)更大一些,。
有趣的是,，路線圖上明確地寫著，Arrow Lake－P要競(jìng)爭(zhēng)蘋果的14寸高級(jí)筆記本,。
看起來，Intel被蘋果拋棄之后，始終是耿耿于懷,，即便不能奪回訂單,，也要在性能上超越之，尤其是蘋果強(qiáng)項(xiàng)的GPU水平,。
在新工藝上,，Intel、臺(tái)積電一路狂奔的時(shí)候,，三星出事兒了……
相比于臺(tái)積電,，三星的制造工藝一直差幾個(gè)檔次，其代工的NVIDIA RTX 30系列顯卡,、高通驍龍8系列處理器,，甚至是自家的Exynos 2200手機(jī)芯片，無論性能還是能效頗受詬病,。
據(jù)DigiTimes報(bào)道,，三星電子現(xiàn)在陷入了一樁丑聞，部分在職員工,、前員工涉嫌偽造和虛報(bào)5nm,、4nm、3nm工藝制程的良品率,。
據(jù)悉,，三星在批準(zhǔn)5nm、4nm工藝的量產(chǎn)計(jì)劃后,，無論是三星自己,，還是第三方芯片代工客戶，都發(fā)現(xiàn)良品率明顯低于預(yù)期,。
為此,，三星已經(jīng)開始對(duì)負(fù)責(zé)代工業(yè)務(wù)的三星設(shè)備解決方案（Samsung Device Solutions）事業(yè)部進(jìn)行初步調(diào)查，包括相關(guān)投資是否使用到位,。
不過三星強(qiáng)調(diào),，該問題影響并不嚴(yán)重，具體結(jié)果將在調(diào)查完成后公布,。
就在日前,，還有消息稱，臺(tái)積電3nm工藝的良品率也存在問題,，不得不多次修改路線圖,。
據(jù)稱，蘋果,、高通,、Intel,、AMD等都是臺(tái)積電3nm工藝的客戶，其中高通將拋棄三星代工,，全面轉(zhuǎn)向臺(tái)積電,，Intel則是首次引入臺(tái)積電代工服務(wù)。
現(xiàn)在高性能的處理器越來越復(fù)雜,，工藝也先進(jìn),，但在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，有些芯片需要更低的功耗,，IMEC比利時(shí)微電子中心今天宣布聯(lián)合多家合作伙伴造出了0．8um的IGZO銦鎵鋅氧化物晶體管技術(shù)的8位處理器,，功耗可低至0．01W。
與硅基CMOS工藝的芯片相比,，薄膜晶體管技術(shù)的芯片具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),，包括低成本、輕薄,、柔性,、可彎曲等等，更適合物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域,，比如RFID射頻標(biāo)簽,、健康傳感器等等，還可以作為顯示器的驅(qū)動(dòng)芯片,。
這些領(lǐng)域缺少的是一個(gè)靈活的處理器,，IMEC現(xiàn)在制造的就是全新的8位微處理器，可以執(zhí)行復(fù)雜的計(jì)算,。
具體來說,，這款8位處理器性能強(qiáng)，頻率可達(dá)71．4KHz（不是MHz,，在該領(lǐng)域是高頻了）,，功耗非常低，其中10KHz頻率下只有11．6mW,，最高速度下也只有134．9mW,，也就是0．01W到0．13W之間。
制造這款處理器使用的是0．8um IGZOO銦鎵鋅氧化物晶體管技術(shù),，集成了1．6萬個(gè)晶體管,，面積也只有24．9mm2，已經(jīng)是該技術(shù)中集成度,、良率都很高的水準(zhǔn)了
