《電子技術(shù)應(yīng)用》
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英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25V和30V功率MOSFET,樹(shù)立技術(shù)新標(biāo)準(zhǔn)

2022-03-15
來(lái)源:電子產(chǎn)品世界

  英飛凌科技股份公司近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列,,旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹(shù)立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),。這些新器件采用薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝,尺寸極小,,卻具有顯著的性能優(yōu)勢(shì)。OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列已針對(duì)服務(wù)器、通訊,、便攜式充電器和無(wú)線(xiàn)充電等SMPS應(yīng)用中的同步整流進(jìn)行了優(yōu)化。這些功率MOSFET還可在無(wú)人機(jī)中,,應(yīng)用于小型無(wú)刷電機(jī)的ESC(電子速度控制)模塊,。眾所周知,無(wú)人機(jī)通常需要尺寸小,、重量輕的元器件,。

  本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202203/431983.htm

  這些領(lǐng)先的功率MOSFET器件采用PQFN 2x2封裝,具備更高的功率密度、小巧的外形尺寸以及業(yè)界極低的導(dǎo)通電阻,,能夠進(jìn)一步降低能耗,。2 x 2 mm2的小尺寸封裝,為PCB布局布線(xiàn)提供了更高的靈活性,。此外,,該解決方案還具有出色的電氣性能,可進(jìn)一步提高終端應(yīng)用的功率密度,,縮小外形尺寸,。同時(shí),系統(tǒng)溫度的降低,、性能的提升,,也讓熱管理變得更加輕松。這些特性有助于實(shí)現(xiàn)更小巧的客戶(hù)應(yīng)用,,充分節(jié)省空間,、降低系統(tǒng)成本,打造易于設(shè)計(jì)的產(chǎn)品,。

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  供貨情況

  采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列現(xiàn)已上市:

  ●   PQFN 2x2 25 V: 2 x 2 mm2, RDS(on) 2.4 m? (ISK024NE2LM5)

  ●   PQFN 2x2 30 V: 2 x 2 mm2, RDS(on) 3.6 m? (ISK036N03LM5)




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