以萬物互聯(lián),、高效清潔能源、綠色智能個性化出行為代表的低碳化,、數(shù)字化長期發(fā)展趨勢是未來十年塑造世界的主要力量,,會逐漸滲透到各個行業(yè),推動著半導(dǎo)體需求的持續(xù)增長,。
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2022 年對于英飛凌來說是創(chuàng)紀(jì)錄的一年,。 由于敏銳地抓住了低碳化發(fā)展和數(shù)字化轉(zhuǎn)型的趨勢,,基于正確的戰(zhàn)略性定位,,英飛凌在過去幾年營收和利潤持續(xù)增長,2022 財年錄得營收142.18 億歐元,,同比增長29%,,創(chuàng)下了新高。
數(shù)字化,、低碳化的發(fā)展趨勢還在進一步加速,,所以,現(xiàn)在正是設(shè)定一個更具雄心的目標(biāo)運營模式的時機,。英飛凌上調(diào)了其長期財務(wù)目標(biāo),,預(yù)計2023 財年的總營收將達到155 億元左右,增長率約為10%,。
不僅如此,,英飛凌正在通過計劃投資建設(shè)新工廠,持續(xù)貫徹公司的戰(zhàn)略,,并前瞻性地為公司的持續(xù)盈利性增長夯實基礎(chǔ),。我們計劃繼續(xù)擴大其300 mm 晶圓制造能力,以滿足預(yù)期的模擬/ 混合信號和功率半導(dǎo)體加速增長的需求,。新工廠計劃落址于德國的德累斯頓,。該工廠計劃總投資50 億歐元,是英飛凌歷史上最大的單筆投資。這也將增強英飛凌作為一家全球功率系統(tǒng)半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)的地位,。
有鑒于2022 年的走勢,,供應(yīng)鏈在2023 年依然會面臨較大挑戰(zhàn),但主要呈現(xiàn)的是結(jié)構(gòu)性特點,。對于一些產(chǎn)品來說,,短缺仍然存在,這種緊缺狀況很可能持續(xù)到2023 年,。然而,,由于疫情導(dǎo)致的高需求產(chǎn)品的繁榮階段如消費電子、支持居家工作的設(shè)備等即將結(jié)束,,個人電腦,、消費電子和智能手機等市場的需求正在減弱。因此,,某些技術(shù)節(jié)點的產(chǎn)能預(yù)計會有一些緩解,,更多產(chǎn)能被重新分配給汽車和工業(yè)產(chǎn)品??偟膩碚f,,緊缺狀況在2022 年有所改善,并預(yù)計在2023 年有進一步的改善,。但仍然需要密切關(guān)注整個市場呈現(xiàn)出的結(jié)構(gòu)性異步波動的特點,,并對產(chǎn)能提前做出科學(xué)研判和精準(zhǔn)規(guī)劃。
在英飛凌的目標(biāo)市場上,,低碳化和數(shù)字化的趨勢越發(fā)強勁,。電動出行、可再生能源,、數(shù)據(jù)中心和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的應(yīng)用在未來幾年將繼續(xù)強勁和可持續(xù)地增長,,對半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)性需求正在增加。堅持英飛凌的戰(zhàn)略定位,,我們將在這一趨勢中取得長足的發(fā)展,。
以“讓生活更便利、更安全,、更環(huán)?!睘槭姑w凌的氣候戰(zhàn)略建立在兩個支柱之上:一方面,,我們通過提高能源利用率實現(xiàn)低碳制造,,使用清潔能源,減少直接碳排放,,并促進資源循環(huán)利用,。我們目標(biāo)是到2025年,,將二氧化碳排放量較2019 年減少70%,到2030 年實現(xiàn)碳中和,;另一方面,,我們通過提供更高能效的產(chǎn)品和解決方案,幫助整個社會實現(xiàn)節(jié)能減排,。經(jīng)統(tǒng)計,,英飛凌的高能效產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源發(fā)電等各類應(yīng)用中,在2022 財年為整個社會帶來的二氧化碳減排量達1 億 t,。而英飛凌在2022 財年的二氧化碳排放量僅為300 萬 t,,比率為33:1,這意味著英飛凌每1 t 的碳排放,,能夠撬動起33 t 的碳減排,。
英飛凌在SiC方面的競爭優(yōu)勢
SiC 是新材料,新技術(shù),,所以從材料,、供應(yīng)鏈到應(yīng)用的成熟需要一個過程。英飛凌花了30 年時間不斷進行技術(shù)打磨和沉淀,,而且取得了重大突破,。
英飛凌自1998 年開始在2 英寸晶圓上制造碳化硅二極管,2010 年采用4 英寸,,2015 年跨入6 英寸量產(chǎn),,今天我們已經(jīng)走向8 英寸。我們在芯片,、器件和應(yīng)用上都積累了豐富經(jīng)驗,,在創(chuàng)新的技術(shù)的基礎(chǔ)上,2017 年推出了溝槽柵SiC MOSFET,。
1)英飛凌是第1 個采用溝槽柵做SiC MOSFET 的企業(yè),這一創(chuàng)新的技術(shù)很好地解決了柵極氧化層的可靠性問題,,也提高了SiC MOSFET 的性能,,而且每個晶圓可以比平面柵多產(chǎn)出30% 芯片。
2)英飛凌還在積極投資一些創(chuàng)新的技術(shù),,從而能夠更好的成就我們的生產(chǎn)效率和良率的提升,。 2018 年我們收購了一家擁有碳化硅冷切割技術(shù)的高科技公司Siltectra。這種冷切割的芯片切割技術(shù),,對于碳化硅來說,,非常高的價值在于它可以大大的減少對硅錠的原材料的浪費,所以我們可以用同樣數(shù)量的原材料切割成加倍的晶圓來供生產(chǎn),,也降低晶圓生產(chǎn)過程中的單位能耗,,這一技術(shù)可以切割成遠薄于350 μm 的晶圓。有了冷切割技術(shù),我們8 英寸SiC 的產(chǎn)量大大提高,。
3)我們在有非常高效散熱,,高功率密度的封裝,寄生電感非常低的模塊封裝,,我們基于增強型SiCMOSFET 芯片技術(shù)單管,,采用.XT 技術(shù)的單管,最大規(guī)格低至7 mΩ,;也有低至2 mΩ 的Easy3B 半橋模塊,;1.7 kV 和2 kV 芯片技術(shù)及其產(chǎn)品。
4)我們產(chǎn)品定義與開發(fā),,需要對應(yīng)用的需要和客戶的需求非常了解,。英飛凌功率半導(dǎo)體在工業(yè)和汽車應(yīng)用中已經(jīng)積累了幾十年的經(jīng)驗,我們已經(jīng)建立起豐富的標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品,,也有為客戶為應(yīng)用定制的產(chǎn)品,。
碳化硅市場的增長是強勁的。最初,,需求主要由工業(yè)應(yīng)用驅(qū)動,,例如太陽能和電動汽車充電等,到現(xiàn)在,,這一需求正日益被汽車應(yīng)用的高需求所超越,。例如,在新能源汽車相關(guān)領(lǐng)域,,續(xù)航里程和電池裝機量是關(guān)鍵,,SiC 技術(shù)能夠顯著的提升續(xù)航里程,或者相同續(xù)航里程下,,降低電池裝機量和成本,。因此,SiC 正在越來越多地被采用,,特別是在牽引主逆變器,、車載充電機OBC以及高低壓DC-DC 轉(zhuǎn)換器中。
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