4月20日，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商拓荊科技股份有限公司(以下簡稱“拓荊科技”)正式登陸上海證券交易所科創(chuàng)板,。

發(fā)行價格為71.88元/股,，發(fā)行數(shù)量為3,161.9800萬股，成功募資約22.73億元(扣除發(fā)行費用后募集資金凈額約為21.28億元),，相比之前的計劃超募了12億元,。

根據(jù)此前的招股計劃，拓荊科技擬募資月10億元,，主要用于先進半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)研發(fā)與改進項目,、ALD設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目、高端半導(dǎo)體設(shè)備擴產(chǎn)項目及補充流動資金,。

拓荊科技今日開盤后,，股價一度大漲46%，漲至104.96元/股,，截至收盤股價回落至92.30元/股,，漲幅28.41%，市值116.74億元,。

助力半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備國產(chǎn)化

據(jù)招股書顯示,，拓荊科技成立于2010年4月,，主要從事高端半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn),、銷售和技術(shù)服務(wù),。公司聚焦的半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備與光刻機、刻蝕機共同構(gòu)成晶圓制造三大核心設(shè)備,，也是目前國內(nèi)唯一一家產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的集成電路PECVD,、SACVD設(shè)備廠商。

拓荊科技主要產(chǎn)品包括等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設(shè)備,、原子層沉積(ALD)設(shè)備和次常壓化學氣相沉積(SACVD)設(shè)備三個產(chǎn)品系列,，并已廣泛應(yīng)用于中芯國際、華虹集團,、長江存儲,、長鑫存儲、廈門聯(lián)芯,、燕東微電子等國內(nèi)晶圓廠14nm及以上制程集成電路制造產(chǎn)線,，在不同種類芯片制造產(chǎn)線的多道工藝中得到商業(yè)化應(yīng)用，同時公司已展開10nm及以下制程產(chǎn)品驗證測試,，公司在研產(chǎn)品已發(fā)往國際領(lǐng)先晶圓廠參與其先進制程工藝研發(fā),。

憑借長期的技術(shù)研發(fā)和工藝積累，拓荊科技成為較早打破國際巨頭技術(shù)壟斷局面的企業(yè),。公司100%自主知識產(chǎn)權(quán)研制的PECVD設(shè)備,，是國內(nèi)唯一能夠應(yīng)用于大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線的12英寸全自動PEVCD設(shè)備，已用于28nm的集成電路的批量生產(chǎn),，同時具有14-10nm的技術(shù)的延展性,，產(chǎn)品性能指標表現(xiàn)達到了世界先進水平。

此外,，拓荊科技還建成了我國首個半導(dǎo)體薄膜設(shè)備生產(chǎn)基地,，總建筑面積40,000平方米，包括研發(fā)及生產(chǎn)用十級,，百級和千級無塵潔凈間,。按照發(fā)展規(guī)劃，公司將開展配適10nm以下制程的PECVD產(chǎn)品研發(fā);開發(fā)Thermal ALD 和大腔室PE ALD;同時升級SACVD設(shè)備,，研發(fā)12英寸滿足28nm以下制程工藝需要的SACVD設(shè)備,。

不過，需要指出的是,，與中國大陸半導(dǎo)體專用設(shè)備企業(yè)相比,，國際巨頭企業(yè)擁有客戶端先發(fā)優(yōu)勢，產(chǎn)品線豐富、技術(shù)儲備深厚,、研發(fā)團隊成熟,、資金實力較強等優(yōu)勢，國際巨頭還能為同時購買多種產(chǎn)品的客戶提供捆綁折扣,。

從全球市場份額來看,，薄膜沉積設(shè)備行業(yè)呈現(xiàn)出高度壟斷的競爭局面，行業(yè) 基本由應(yīng)用材料(AMAT),、ASMI,、泛林半導(dǎo)體(Lam)、東京電子(TEL)等國際巨頭壟斷,。2019 年,，ALD 設(shè)備龍頭東京電子(TEL)和先晶半導(dǎo)體(ASMI) 分別占據(jù)了 31%和 29%的市場份額，剩下 40%的份額由其他廠商占據(jù);而應(yīng)用 材料(AMAT)則基本壟斷了 PVD 市場,，占 85%的比重,，處于絕對龍頭地位;在 CVD 市場中，應(yīng)用材料(AMAT)全球占比約為 30%,，連同泛林半導(dǎo)體(Lam) 的 21%和 TEL 的 19%,，三大廠商占據(jù)了全球 70%的市場份額。