《電子技術(shù)應(yīng)用》
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思特威成功開發(fā)國產(chǎn)自研高端BSI工藝平臺,,以優(yōu)異暗光成像性能賦能智視應(yīng)用

2022-04-29
來源:思特威
關(guān)鍵詞: 思特威 BSI工藝平臺

2022年4月28日,中國上海 — 技術(shù)先進(jìn)的CMOS圖像傳感器供應(yīng)商思特威(SmartSens)與合肥晶合集成電路股份有限公司(以下簡稱“晶合集成”)合作推出了國產(chǎn)自研高端BSI工藝平臺,,作為國內(nèi)自主技術(shù)能夠突破關(guān)鍵工藝難點(diǎn)的高度客制化BSI工藝平臺,將以性能比肩國際一流水準(zhǔn)的全國產(chǎn)化高端工藝平臺賦能智能安防,、機(jī)器視覺,、車載電子以及智能手機(jī)等四大應(yīng)用領(lǐng)域,并進(jìn)一步推動本土高端CIS技術(shù)的升級發(fā)展,。

近年來,,隨著智能安防、機(jī)器視覺以及車載電子等應(yīng)用端對圖像傳感器的要求逐步提升,,為了保證優(yōu)異的暗光成像性能,,CMOS圖像傳感器的設(shè)計(jì)生產(chǎn)工藝也從FSI工藝(前照式工藝)朝著BSI工藝(背照式工藝)遞進(jìn),用以提升CMOS圖像傳感器的暗光成像品質(zhì),。

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突破技術(shù)壁壘打造國產(chǎn)高端BSI工藝平臺

在CMOS圖像傳感器小像素尺寸與高分辨率的市場趨勢下,,BSI(Back SideIllumination)即背照式入射受到市場的重視和需求。相較于前照式入射方案,,BSI將光線入射方向改至光電二極管的背面,,可大幅提升CMOS圖像傳感器的量子效率,降低電路光學(xué)串?dāng)_,,同時解決了像素尺寸微小化和擴(kuò)大光學(xué)視角響應(yīng)方面的重要難題,,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)極佳的暗光成像品質(zhì)。

縱觀當(dāng)下主流市場,,傳統(tǒng)前照式CIS只要保證受光面平整即可,,對背面的均一性并無特殊要求。而背照式則必須嚴(yán)格保證正反兩面的平整性,,這對微薄的背照式CIS帶來了非常大的技術(shù)難度,,同時BSI工藝平臺屬于高度客制化工藝技術(shù),,在晶圓鍵合、減薄以及硅表面鈍化等關(guān)鍵技術(shù)工藝方面存在技術(shù)壁壘,,需要極強(qiáng)的自主技術(shù)實(shí)力,,因此產(chǎn)能仍大多依賴于國外BSI工藝平臺。

早在2020年,,思特威就已與晶合集成攜手成功推出了DSI工藝平臺并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),,以優(yōu)異的性能取得市場的一致好評。為了繼續(xù)提升產(chǎn)品性能,,2021年思特威開始進(jìn)行本土BSI背照式先進(jìn)工藝平臺的研發(fā),,在多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)工藝上取得突破性成果,創(chuàng)新推出了國產(chǎn)高端BSI工藝平臺,,可實(shí)現(xiàn)媲美國際一流水準(zhǔn)的優(yōu)異暗光成像性能,。

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三大先進(jìn)工藝技術(shù)鑄就優(yōu)異成像性能

此次思特威攜手晶合集成推出的國產(chǎn)自研高端BSI平臺通過晶圓鍵合技術(shù)、晶圓減薄技術(shù)以及硅表面鈍化技術(shù)等三大關(guān)鍵工藝,,可為當(dāng)下智視應(yīng)用提供一流的暗光成像性能,。

該BSI高端工藝平臺搭載晶圓鍵合技術(shù),采用直接鍵合方式降低鍵合過程中晶圓畸變的產(chǎn)生,,大幅提升其鍵合力,,實(shí)現(xiàn)高像素性能;同時,,為實(shí)現(xiàn)更好的BSI光電二極管結(jié)構(gòu),,藉由思特威開發(fā)優(yōu)化的晶圓減薄技術(shù),可在晶圓研磨減薄中最大程度減少硅的損耗,,保障超高精度并將硅襯底厚度成功減薄,,而且對于850nm與940nm的近紅外增強(qiáng)也做了工藝優(yōu)化,保障了晶圓強(qiáng)度并實(shí)現(xiàn)出色的感光性能,;此外,該平臺還采用了業(yè)內(nèi)前沿工藝材料打造硅表面鈍化技術(shù),,避免了晶片拋光后對光電二極管的損壞,,進(jìn)一步減少白點(diǎn)與暗電流的產(chǎn)生,提升CIS的暗光成像表現(xiàn),。


以高端BSI工藝平臺賦能四大應(yīng)用領(lǐng)域

此次推出的高端BSI工藝平臺產(chǎn)品在感光度,、噪聲控制、色彩表現(xiàn)以及高溫性能等方面都實(shí)現(xiàn)了進(jìn)一步的提升,,相較傳統(tǒng)前照式工藝,,其QE(量子效率)與感光度分別大幅提升了40%與55%,且暗電流降低了40%,,在低光照環(huán)境中擁有更優(yōu)異的感光性能,。同時此次發(fā)布的高端BSI平臺的滿阱電子增加了40%,,進(jìn)而其動態(tài)范圍與最大信噪比有效提升了3.5dB與2dB,得以呈現(xiàn)細(xì)膩的明暗細(xì)節(jié)與影像質(zhì)感,。此外,,為呈現(xiàn)更佳的色彩表現(xiàn),該BSI工藝的Chroma相較前照式增加了30%,。思特威新高端BSI工藝平臺將以全方位的性能提升力求賦能智能安防,、車載電子、機(jī)器視覺以及智能手機(jī)等四大應(yīng)用領(lǐng)域,。

在安防應(yīng)用中,,傳統(tǒng)攝像頭在夜間拍攝中場景依舊是漆黑一片,且只能展現(xiàn)物體輪廓,,而憑借高端BSI工藝的加持,,攝像頭不僅能實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的夜視全彩影像,還能捕捉諸如畫面中的人物臉部細(xì)節(jié),,甚至在近紅外補(bǔ)光等超低照場景中也能實(shí)現(xiàn)清晰影像,;而面向夜間行車環(huán)境,BSI產(chǎn)品在保障汽車拍攝清晰影像畫面的基礎(chǔ)上,,還可進(jìn)一步捕捉清晰的車牌等細(xì)節(jié)信息進(jìn)行有效識別,,從而提升行車安全性。

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思特威技術(shù)副總裁新居英明先生表示:“此次推出的國產(chǎn)自研高端BSI工藝平臺是思特威在CIS工藝層面的又一創(chuàng)新突破成果,,目前該平臺已成功進(jìn)入量產(chǎn)階段,,可實(shí)現(xiàn)極佳的暗光成像性能。作為中國本土為數(shù)不多擁有自主技術(shù)創(chuàng)新能力的CMOS圖像傳感器芯片企業(yè),,思特威始終持續(xù)在圖像傳感器工藝層面進(jìn)行創(chuàng)新研發(fā),,并以此來提升我們自身產(chǎn)品的成像性能,全新國產(chǎn)化高端BSI工藝平臺將以國際一流成像水平賦能諸如智能安防,、機(jī)器視覺以及車載電子等更多智視終端,,推動本土高端CIS技術(shù)的國產(chǎn)化替代。(譯文)”

晶合集成業(yè)務(wù)副總經(jīng)理周義亮先生表示:“晶合集成與思特威都是將創(chuàng)新作為研發(fā)源動力的國內(nèi)高科技企業(yè),,此次我們很高興能與思特威合作推出國產(chǎn)自研高端BSI工藝平臺,,并在晶圓鍵合、減薄工序以及特定工藝應(yīng)用等方面實(shí)現(xiàn)新的突破,。相信未來雙方的創(chuàng)新基因?qū)⒉粩嗟貏?chuàng)造更高價值曲線,,并進(jìn)一步助推中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在高端CIS技術(shù)領(lǐng)域的國產(chǎn)化替代?!?br/>

目前,,思特威國產(chǎn)自研高端BSI工藝平臺已完成首顆項(xiàng)目流片,預(yù)計(jì)將在2022年Q2進(jìn)入量產(chǎn)階段,。

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