不久前，Omdia發(fā)布了2021年全球功率半導(dǎo)體十強榜單。

　　從榜單看,，全球功率半導(dǎo)體十強中有一半為日本企業(yè)，包括三菱電機（第4）、富士電機（第5）、東芝（第6）,、瑞薩（第9）、ROHM（第10）,。五家企業(yè)的營收在過去三年內(nèi)大體保持在榜單總營收的三分之一左右,。

　　可見，日本廠商在功率半導(dǎo)體行業(yè)的地位舉足輕重,。

　　作為電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,，功率半導(dǎo)體通過利用半導(dǎo)體的單向?qū)щ娦詫崿F(xiàn)電源開關(guān)和電力轉(zhuǎn)換的功能，包括變頻,、變相,、變壓、逆變,、整流,、增幅、開關(guān)等,。功率半導(dǎo)體分為功率分立器件和功率IC兩大類,，功率分立器件主要包括二極管、晶閘管,、晶體管等產(chǎn)品,，功率IC主要有AC/DC,、DC/DC、電源管理IC,、驅(qū)動IC等。

　　近年來,，幾大因素點燃了市場對功率半導(dǎo)體的需求,，包括新冠疫情刺激的家用電子產(chǎn)品消費熱潮，以及更具持續(xù)性的電動汽車,、新能源,、5G通信、乃至云計算的加速普及,?？梢哉f，未來數(shù)字時代的幾乎每一個具象場景,，都需要數(shù)量更多,、價值量更高的功率半導(dǎo)體支撐。

　　Omida數(shù)據(jù)顯示,，2021年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為462億美元,，至2025年，全球市場空間有望達到548億美元,，年復(fù)合增速為5.92%,。

　　全球和中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模

　　（圖源：Omdia）

　　巨大的潛力背后,，市場云詭波譎,。面對來自歐美以及中國廠商的多面競爭和壓力，日本功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨的問題是,，他們能否保住自己的利基市場,。

　　歐美大廠“重拳出擊”

　　如同過去的十幾年一樣，全球功率半導(dǎo)體市場依舊被美日歐把控,。前十名中,，排名第一的德國英飛凌和第二名的美國安森美半導(dǎo)體地位十分穩(wěn)固。英飛凌更是坐擁21%的全球市場份額,，相當(dāng)于日本前五名廠商的總和,。

　　然而，除了領(lǐng)先的市場份額外,，歐美大廠快速的擴產(chǎn)節(jié)奏和產(chǎn)線轉(zhuǎn)移步伐更是給日本功率半導(dǎo)體市場帶來了壓力,。

　　英飛凌：12英寸晶圓制造領(lǐng)域新標桿

　　今年2月，英飛凌宣布將斥資逾20億歐元,，擴大寬禁帶（碳化硅和氮化鎵）半導(dǎo)體產(chǎn)能,，進一步鞏固和增強其在功率半導(dǎo)體市場的領(lǐng)導(dǎo)地位,。英飛凌將在馬來西亞居林工廠建造第三個廠區(qū)，新廠區(qū)預(yù)計在2024年夏季進行設(shè)備安裝,，首批晶圓將于2024年下半年開始出貨,。

　　英飛凌目前有2座300mm（12英寸）晶圓廠，一個在德國德累斯頓,，一個在奧地利菲拉赫,。其中菲拉赫是英飛凌的功率半導(dǎo)體專業(yè)中心，使英飛凌能夠服務(wù)于電動汽車,、數(shù)據(jù)中心以及太陽能和風(fēng)能中不斷增長的功率半導(dǎo)體市場,，并將為英飛凌帶來每年約 20 億歐元的額外銷售潛力。

　　英飛凌兩個300mm晶圓廠都基于相同的標準化生產(chǎn)和數(shù)字化概念,。憑借虛擬超級工廠,，英飛凌在 300mm制造領(lǐng)域樹立了新標桿。這使得進一步提高資源和能源效率成為可能,。

　　此外,，英飛凌還將持續(xù)為其第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)注資，計劃在未來幾年把奧地利菲拉赫的6英寸,、8英寸硅基半導(dǎo)體生產(chǎn)線改造為第三代半導(dǎo)體生產(chǎn)線,。據(jù)透露，英飛凌計劃到本世紀20年代中期,，將碳化硅功率半導(dǎo)體的銷售額提升至10億美元,。

　　安森美：聚焦300mm晶圓產(chǎn)能

　　據(jù)財報信息，2022財年第一季度,，安森美預(yù)計資本支出約為1.5-1.7億美元,，主要用于擴產(chǎn)12寸硅產(chǎn)線產(chǎn)能，以及用于在2022年將碳化硅產(chǎn)能擴充4倍,。去年10月,，安森美以約26.87億人民幣正式收購SiC襯底廠商GTAT。據(jù)安森美此前說法,，2022年和2023年的SiC資本支出預(yù)計將占總收入的12%左右,。

　　安森美在East Fishkill有一家12英寸晶圓廠，2019年安森美又收購了格芯位于紐約東菲什基爾的300mm晶圓廠Fab 10,，2023年才能獲得該工廠的全面運營控制權(quán),。安森美當(dāng)前正在提高其East Fishkill的晶圓廠的產(chǎn)能。安森美表示,，未來兩年將加大投資力度,，由6%增加到12%，其中就包括用于擴產(chǎn)300mm晶圓廠的產(chǎn)能。

　　2021年,，安森美開始由傳統(tǒng)IDM模式向更加靈活的Fab-Liter模式轉(zhuǎn)型,，將采取更加靈活的制造路線和策略，逐漸拋棄6英寸晶圓廠,，聚焦300mm晶圓產(chǎn)能,，并將提高通用封裝后端廠的靈活性。

　　意法半導(dǎo)體：投資擴產(chǎn)12英寸產(chǎn)能是主旋律

　　意法半導(dǎo)體（ST）表示,，2021年資本支出達到約21億美元,，其中14億美元將投入全球產(chǎn)能擴建，7億美元將用于戰(zhàn)略計劃,，包括在建的意大利Agrate 300mm晶圓新廠、意大利Catania的碳化硅工廠和法國Tours的氮化鎵工廠,。據(jù)悉,，ST將在未來4年內(nèi)大幅提高晶圓產(chǎn)能，計劃在2020年至2025年期間將歐洲工廠300mm整體產(chǎn)能提高一倍,。

　　ST還有一個300mm晶圓廠Crolles,，主要負責(zé)投產(chǎn)28納米傳統(tǒng)CMOS制程和28納米FD-SOI制程技術(shù)。

　　此外,，ST也在繼續(xù)投資擴建在意大利Catania和新加坡的SiC產(chǎn)能,，以及投資供應(yīng)鏈的垂直化整合。計劃到 2024年將SiC晶圓產(chǎn)能提高到2017年的10倍,，以支持眾多汽車和工業(yè)客戶的業(yè)務(wù)增長計劃,。

　　綜合來看，12英寸產(chǎn)線是歐美大廠接下來的布局重心,，以此來進一步提升資源和產(chǎn)能效率,。在第三代半導(dǎo)體方面，由于市場需求的快速爆發(fā),，預(yù)計在未來一到兩年碳化硅市場供應(yīng)鏈仍會處于供需失衡的狀態(tài),。因此，也有了上述以及更多的半導(dǎo)體公司積極布局第三代半導(dǎo)體研發(fā),、推廣新產(chǎn)品以及擴產(chǎn)的行為,，釋放出強化競爭優(yōu)勢以搶奪日漸增長的市場份額的信號。

　　日本功率半導(dǎo)體“日漸式微”,？

　　面對歐美大廠的進擊,，日本功率半導(dǎo)體企業(yè)也正在迅速加大布局力度，試圖挽救市場地位被逐漸壓縮的現(xiàn)實窘境,。

　　三菱電機

　　2021年11月,，三菱電機宣布將在未來五年內(nèi)向功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)投資1300億日元，計劃在福山工廠新建一條 8 英寸（200mm）和 12英寸（300mm）晶圓生產(chǎn)線,，并計劃到2025年將其產(chǎn)能比2020年翻一番,。8英寸生產(chǎn)線計劃于2022年春季開始量產(chǎn),，12英寸線的量產(chǎn)目標是2024年。

　　值得一提的是,，三菱電機已經(jīng)在意大利米蘭附近建成了一座專用于功率和模擬半導(dǎo)體的300mm晶圓工廠,，預(yù)計將于2022年下半年投產(chǎn)。

　　三菱電機同時還在加強對SiC的布局,，它具有從大型電動汽車擴展到中型電動汽車的潛力,。除了將獨特的制造工藝應(yīng)用于溝槽MOSFET以進一步提高性能和生產(chǎn)力之外，還考慮制造8英寸Si晶圓,。

　　三菱電機功率器件業(yè)務(wù)2025年銷售額計劃超過2400億日元,，營業(yè)利潤率10%以上。為實現(xiàn)目標,，三菱電機將重點關(guān)注增長預(yù)期較高的汽車領(lǐng)域和公司市場占有率較高的消費領(lǐng)域,，兩個領(lǐng)域按領(lǐng)域銷售的比例將從2020年的50%提升到到2025年的65% 。

　　富士電機

　　在產(chǎn)能方面,，富士電機目前沒有300mm晶圓廠的增產(chǎn)計劃,，專注于200mm的增產(chǎn)。2021年8月,，富士電機宣布計劃追加投資400億日元(3.65億美元)擴充功率半導(dǎo)體產(chǎn)能,。其中，大約250億日元會投入公司在馬來西亞的晶圓廠,，生產(chǎn)8英寸硅晶圓,，改善生產(chǎn)效率。馬來西亞廠預(yù)定2023會計年度開始生產(chǎn)功率半導(dǎo)體,。其余150億日元則會分配到包括日本松本廠在內(nèi)的其他地方,。

　　此外，富士電機還曾表示,，在電動汽車和可再生能源需求增加的背景下,，決定將功率半導(dǎo)體的資本支出(包括對SiC功率半導(dǎo)體的投資)增加到1900億日元。富士電機表示,，它不追逐市場份額,，而是嚴格控制其資本投資。據(jù)日經(jīng)報道,，富士電機正準備開發(fā)一個300mm的產(chǎn)線,，但沒有詳細說明時間框架。

　　2022年1月,，富士電機表示將增產(chǎn)功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地富士電機津輕半導(dǎo)體（青森縣五所川原市/以下簡稱津輕工廠）的SiC產(chǎn)能,，計劃在截至2025年3月的財政年度開始量產(chǎn)。

　　東芝

　　今年2月，東芝宣布將在日本石川縣的主要分立器件生產(chǎn)基地打造一座新的12英寸晶圓制造設(shè)施,，該晶圓制造工廠的建造將分兩個階段進行,，第一階段生產(chǎn)計劃將于2024財年內(nèi)啟動。當(dāng)?shù)谝浑A段產(chǎn)能滿負荷時,，東芝的功率半導(dǎo)體產(chǎn)能將達到2021年度的2.5倍,。

　　截至目前，東芝通過提高8英寸芯片生產(chǎn)線產(chǎn)能并將12英寸芯片制造設(shè)施生產(chǎn)線投產(chǎn)時間自2023年度上半年提前至2022年度下半年,，滿足持續(xù)擴張需求,。其產(chǎn)能擴張將不僅涵蓋由硅片制成的功率器件，還包括以碳化硅和氮化鎵為晶圓的下一代芯片,。

　　瑞薩電子

　　5月17日,，瑞薩電子宣布將對其位于日本甲府市的甲府工廠進行價值 900 億日元的投資。該工廠于2014年10月關(guān)閉,，但瑞薩電子計劃在2024年重新開放該工廠,，該工廠此前經(jīng)營150mm和200mm晶圓制造線。為了提高產(chǎn)能,，瑞薩決定利用工廠的剩余建筑，將其恢復(fù)為專用于功率半導(dǎo)體的300mm晶圓廠,。

　　羅姆

　　2021年5月,，羅姆提出要搶占全球30% SiC市場的目標。為了滿足日益擴大的SiC產(chǎn)品需求,，羅姆相繼加大投資力度,，在日本阿波羅筑后和宮崎新工廠將于2022年投入運營，計劃器件產(chǎn)能提高5倍以上,；此外,，羅姆還將把在馬來西亞的半導(dǎo)體工廠產(chǎn)能擴大到1.5倍，計劃到2023年8月建成,。

　　除此之外,，羅姆于2022年1月開始著手建設(shè)新廠房，投資額為82億日元,，計劃到2023年8月建成,。羅姆將增產(chǎn)占全球份額過半的“絕緣柵驅(qū)動器”，這是用于驅(qū)動功率半導(dǎo)體的大規(guī)模集成電路（LSI）,，預(yù)計面向汽車和工業(yè)設(shè)備市場需求,。

　　從廠商經(jīng)營動向看，日本的確在加速對功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局,。但相較之下,，英飛凌、意法半導(dǎo)體、安森美半導(dǎo)體等歐美功率半導(dǎo)體廠商擴產(chǎn)速度較快,，且正快速向12英寸工藝遷移,。相比之下，日本廠商雖也有動作,，但無論是擴產(chǎn)幅度,，還是從8英寸向12英寸的遷移速度均較為緩慢，時間上存在滯后,。

　　另外,，在傳統(tǒng)功率廠商進展較慢的情況下，日本芯片制造商規(guī)模也相對較小,，難以擴大生產(chǎn)和營銷規(guī)模,。日本制造商對進行大筆投資持謹慎態(tài)度，擔(dān)憂導(dǎo)致供過于求的現(xiàn)象發(fā)生,。

　　因此,，為應(yīng)對市場需求，產(chǎn)業(yè)鏈其他環(huán)節(jié)廠商加大布局力度,。日本汽車零部件制造商電裝（DENSO）計劃與聯(lián)電日本子公司USJC合作建立一個主要的功率芯片生產(chǎn)工廠,，合作車用功率半導(dǎo)體制造，預(yù)計在2023年上半年達成IGBT制程在12英寸晶圓的量產(chǎn),。

　　一家日本投資公司Sangyo Sosei Advisory也正尋求自建晶圓代工產(chǎn)能,，面向日本功率半導(dǎo)體廠商提供服務(wù)。該公司創(chuàng)始人Fumiaki Sato表示,，晶圓廠投資巨大,，日本廠商由于市場份額有限，因此對大筆資本支出態(tài)度謹慎,，唯恐供給過剩,，這也進一步拖累了日本廠商發(fā)展，而代工模式有望解決這一困局,。Sato正在考慮從安森美半導(dǎo)體手中收購位于日本新瀉縣的一家晶圓廠,，不過目前尚未實質(zhì)性推進。

　　有觀點表示,，阻礙產(chǎn)能擴張的一個因素是功率半導(dǎo)體本身的性質(zhì),，其通常是根據(jù)個別產(chǎn)品規(guī)格制造，而不是批量生產(chǎn)的,。但富士通半導(dǎo)體業(yè)務(wù)前負責(zé)人Masao Taguchi表示,，隨著電動汽車的大規(guī)模起量，該行業(yè)可能會發(fā)生根本性轉(zhuǎn)變,，功率半導(dǎo)體可能會變得更加標準化,，從而使能夠擴大生產(chǎn)規(guī)模的公司主導(dǎo)市場,。

　　這就是DRAM市場曾發(fā)生的情況，也是日本芯片制造商在存儲芯片市場上輸給了韓國競爭對手的重要原因,。

　　國內(nèi)企業(yè)“乘勝追擊”

　　除了歐美廠商的“壓迫”,，日本功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)還面臨著來自中國企業(yè)的沖擊。

　　雖然在上文榜單中僅有安世半導(dǎo)體一家中國企業(yè)入選,，但其他眾多廠商的快速布局以及下游巨大的市場加持,，使得中國功率半導(dǎo)體廠商成為一股不可忽視的力量。

　　安世半導(dǎo)體曾為荷蘭企業(yè),，于2019年被聞泰科技收購,。據(jù)了解，安世半導(dǎo)體是全球分立器件IDM龍頭廠商之一,，在中國功率分立器件公司中排名第一,，其產(chǎn)品線中二極管晶體管產(chǎn)品居于全球排名第一，標準邏輯器件產(chǎn)品居于全球排名第二,，小型號MOSFET居于全球排名第二,，車規(guī)MOS全球市場排名第二，更是僅次于英飛凌,。

　　目前,，安世半導(dǎo)體建立了兩個新的半導(dǎo)體全球研發(fā)中心，一個在馬來西亞檳城,，另一個位于上海,，專注于功率MOSFET?？梢哉f，安世半導(dǎo)體已成為我國在功率半導(dǎo)體產(chǎn)品布局最完善的廠商,。

　　安世半導(dǎo)體之外,，還有很多國內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商在加速布局之中。據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報道,，SEMI Japan根據(jù)對半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)調(diào)研了解,，梳理出22家目前已發(fā)出采購訂單的大陸新增晶圓廠項目，其中12家將被用于功率半導(dǎo)體生產(chǎn),。

　　圖源：日經(jīng)中文網(wǎng)

　　如圖所示,，其中潤西微電子、杭州富芯半導(dǎo)體將分別在重慶和杭州市建設(shè)300mm（12英寸）晶圓的功率半導(dǎo)體工廠,。

　　潤西微電子由華微控股,、大基金二期和重慶西永共同發(fā)起設(shè)立。據(jù)公告披露,，12英寸功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線項目的計劃投資總額為75.5億元,，建成后預(yù)計將形成月產(chǎn)3萬片12英寸中高端功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)能力,，并配套建設(shè)12英寸外延及薄片工藝能力，預(yù)計從2022年開始逐步貢獻產(chǎn)能,。

　　杭州富芯半導(dǎo)體為浙江省首條12英寸晶圓生產(chǎn)線,，定位于高端模擬芯片IDM模式，致力于12英寸高端模擬芯片研發(fā)和制造,，對標國際一流的模擬芯片公司,。富芯項目總投資達400億元，分兩期進行,。項目一期投資180億元,，建設(shè)12英寸高性能模擬芯片生產(chǎn)線，規(guī)劃產(chǎn)能為5萬片/月,，主要產(chǎn)品是面向汽車電子,、5G通信、云計算,、人工智能的高性能模擬芯片,。

　　今年4月，江蘇捷捷微電子宣布6.5 億元加碼高端功率半導(dǎo)體,，建設(shè)“高端功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項目（二期）”,，項目將在“高端功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項目”的基礎(chǔ)設(shè)施及配套的基礎(chǔ)上，擬采用芯片線寬0.13 微米工藝制程,。據(jù)悉,，“高端功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項目”于2021 年3月在南通蘇錫通園區(qū)正式開工，計劃2022年二季度末或第三季度開始試生產(chǎn),，該項目將有助于推動高端功率半導(dǎo)體發(fā)展,，滿足下游市場需求，擴大市場占有率,，緩解MOSFET產(chǎn)能緊張的問題,。

　　近一年來，捷捷微電頻頻融資擴產(chǎn),。此前2021 年6 月公司累計募集11.95 億元,，主要用于功率半導(dǎo)體“ 車規(guī)級” 封測產(chǎn)業(yè)化項目。項目達產(chǎn)后,，公司將新增車規(guī)級大功率器件和電源器件封測產(chǎn)能 16.28 億只,。

　　此外，為了盡快占有更多的市場,，國內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商擴產(chǎn)動作頻繁,。

　　2020年12月，士蘭微與廈門半導(dǎo)體投資集團共同投資的第一條12英寸生產(chǎn)線正式投產(chǎn),，預(yù)計今年Q4將實現(xiàn)月產(chǎn)3萬片的目標,；2021年2月,，安世半導(dǎo)體位于上海臨港的12英寸晶圓廠已于今年1月破土動工，將于2022年7月投產(chǎn),，預(yù)計達產(chǎn)后產(chǎn)能為 3 萬片/月,，主產(chǎn)功率半導(dǎo)體。

　　Fabless模式的公司也開始投資自有產(chǎn)線,，如斯達半導(dǎo)就于去年3月發(fā)布非公開發(fā)行A股股票預(yù)案,，募資中20億元用于高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，7億元用于功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動化改造項目,；

　　鴻海集團近日也啟動半導(dǎo)體大投資,，將攜手大馬合作伙伴DNex在馬來西亞合資興建月產(chǎn)能4萬片的12英寸晶圓廠，鎖定28與40納米成熟制程,，目標生產(chǎn)功率元件,、射頻（RF）元件與COMS影像感測器（CIS）等產(chǎn)品。該公司去年還收購了芯片制造商 Macronix 在中國臺灣北部城市新竹的芯片工廠,，以開發(fā)用于汽車的碳化硅芯片,。

　　甚至一些原本主營其他半導(dǎo)體品類的上市公司，去年也加大了在功率器件領(lǐng)域的投入,，將之視為擴展業(yè)務(wù)線的潛力方向,，如上海貝嶺就選擇切入工業(yè)控制用功率器件，已陸續(xù)進入功率電源,、電機控制和鋰電保護等市場,。

　　可見，中國正在大幅增產(chǎn)控制電力和電壓的功率半導(dǎo)體,，廠商已紛紛開始布局 12 英寸晶圓產(chǎn)線,，產(chǎn)能有望在 2022 年逐步開出， 進一步帶動廠商營收增長和產(chǎn)品性能提升,。日經(jīng)表示,，中國企業(yè)新建產(chǎn)能陸續(xù)開出后，將對功率半導(dǎo)體市場上的日本企業(yè)形成明顯沖擊,，因后者仍采用更陳舊的8英寸產(chǎn)線，生產(chǎn)效率不及12英寸產(chǎn)線,。

　　雖然日本功率半導(dǎo)體廠商仍有國際競爭力,，但大多用200mm晶圓生產(chǎn)。簡單計算,，中國企業(yè)增產(chǎn)的主力300mm晶圓一張可以生產(chǎn)2.25倍的芯片,。相較于小尺寸晶圓，大尺寸晶圓在代工成本,、產(chǎn)品性能等方面更具備優(yōu)勢,。

　　中國正在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域構(gòu)筑新的競爭力,。

　　此外，在當(dāng)前火熱的第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,，國內(nèi)廠商也有前瞻布局,。筆者在前面文章《SiC/GaN，海外巨頭瘋狂擴產(chǎn),！》中對國內(nèi)廠商在第三代半導(dǎo)體布局的情況進行過梳理,，在全球第三代半導(dǎo)體競爭趨于白熱化的情況下，為了滿足市場需求,，搶灘市場份額,，國內(nèi)半導(dǎo)體公司紛紛加大資本投入，不斷跑馬圈地,、投資擴產(chǎn),，持續(xù)完善第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。

　　面對差距以及行業(yè)巨頭的大舉進攻,，本土供應(yīng)商需要以技術(shù)創(chuàng)新為驅(qū)動,，注重推動第三代半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)和應(yīng)用，同時聚焦下游市場,，通過綁定家電,、新能源汽車企業(yè)等行業(yè)客戶，加速科研成果轉(zhuǎn)化和技術(shù)應(yīng)用落地,。

　　本土功率產(chǎn)業(yè)的雙重驅(qū)動力

　　除了上述原因之外,，中國市場的巨大需求和“國產(chǎn)替代”趨勢也將是日本產(chǎn)業(yè)遭受沖擊的重要因素。

　　東莞證券指出,，我國是全球最大功率半導(dǎo)體消費國,，行業(yè)產(chǎn)業(yè)規(guī)模增速快于全球，疫情的發(fā)展,，居家辦公帶來的遠程服務(wù)器的巨量需求,，加之雙碳政策推動下，國內(nèi)應(yīng)用市場的高速發(fā)展都在進一步刺激對功率半導(dǎo)體的需求,。

　　但我國功率半導(dǎo)體器件自給率較低,，國產(chǎn)化率不足30%，在器件的生產(chǎn)制造和自身消費之間存在巨大供需缺口,。從產(chǎn)品品類看,，TrandForce表示，目前二極管,、三極管,、晶閘管、低壓MOSFET等大部分已實現(xiàn)國產(chǎn)化,，而高壓MOSFET,、IGBT等由于技術(shù)工藝壁壘,，仍被海外大廠高度壟斷。

　　當(dāng)前全球大功率器件需求快速上升,，全球供給相對不足,，而國產(chǎn)廠商技術(shù)快速跟進，客戶認可度持續(xù)提升,，當(dāng)前時點是功率器件國產(chǎn)替代的重要窗口期,，在行業(yè)快速發(fā)展、產(chǎn)業(yè)技術(shù)升級和國家產(chǎn)業(yè)政策扶持等多重利好加持下,，國產(chǎn)廠商未來有望在大功率MOSFET,、IGBT、SiC等器件獲得更高的國產(chǎn)化率,。

　　2016-2021年中國功率器件市場空間及國產(chǎn)化率（億元,，%）

　　資料來源：HIS Markit

　　同時，得益于下游白色家電,、新能源汽車,、充電樁、5G,、光伏逆變器及工業(yè)控制等終端市場的快速發(fā)展，對于功率半導(dǎo)體,，尤其是MOSFET ,、IGBT 產(chǎn)品的需求持續(xù)提升。

　　中國作為最大的下游應(yīng)用市場,，是功率器件廠商競爭的核心戰(zhàn)場,。目前國內(nèi)廠商憑借熟悉市場需求、更加靠近客戶,，能夠快速響應(yīng)等便利,，正在加速多領(lǐng)域的產(chǎn)品研發(fā)和驗證節(jié)奏，有望進一步帶動廠商營收增速和利潤率的提升,。

　　從2022年一季度情況來看,，海外龍頭廠商先后發(fā)布漲價函，且貨期環(huán)比普遍增加10-20周以上,，最高貨期達到52周,，平均貨期為疫情以來最高水平。從2022全年來看,，國內(nèi)新能源汽車,、光伏等領(lǐng)域功率器件需求仍處于供不應(yīng)求的狀態(tài),，行業(yè)景氣度仍有望維持高位,。

　　可見,，近期全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)能緊缺，目前海外進口缺貨漲價,，市場供不應(yīng)求,，國內(nèi)供需矛盾日益凸顯。產(chǎn)業(yè)鏈下游相關(guān)行業(yè)客戶進口替代意愿強烈,，因此,，具備核心技術(shù)實力、產(chǎn)品質(zhì)量,、性價比優(yōu)勢以及產(chǎn)能的國內(nèi)龍頭迎來絕佳的客戶導(dǎo)入窗口期,，產(chǎn)品導(dǎo)入進度加快，國產(chǎn)替代的進程有望加速,。

　　綜合多項因素不難看到,，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)政策的支持提供了良好的政策環(huán)境，產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移為國產(chǎn)化提供了機遇,，下游需求發(fā)展帶來了直接支撐,。本土功率器件廠商正在實實在在把握住這樣的發(fā)展機遇。

　　寫在最后

　　回顧產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程,，日本廠商之所以能夠在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域取得成功,，一方面在于日本以產(chǎn)業(yè)用途少量多品種定制需求為主，沒有卷入大尺寸晶圓演進帶來的設(shè)備投資競爭,，可以靈活利用現(xiàn)有工廠來滿足需求,。

　　另一方面也離不開下游龐大的市場需求支撐。早在1980年代,，功率半導(dǎo)體初問世的時候,，較多用于工廠和成套設(shè)備，后續(xù)隨著混合動力車的增加,，功率半導(dǎo)體開始不斷應(yīng)用于汽車市場,，而日本作為當(dāng)時世界最大的汽車生產(chǎn)國和出口國，功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自然也加速發(fā)展,。

　　而如今,，時過境遷。固守原有模式的日本功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),，似乎正目睹著自身優(yōu)勢隨市場和行業(yè)的變遷在一同遠去，近期開始加快擴產(chǎn)增速的步伐,。如筆者此前所言,，面對市場和技術(shù)的更迭，優(yōu)劣往往只在瞬息之間，取決于關(guān)鍵幾步,。誰能率先看清時代的趨勢,，誰就能走的更快，誰能持續(xù)看清時代的趨勢,，誰就能走的更遠,。

　　曾經(jīng)在功率市場先下一城的日本企業(yè)，處在如今“不快不慢,，不遠不近”的節(jié)點,，思索著未來命運的走向，腦子里或閃過DRAM市場曾經(jīng)的榮光,。