毋庸置疑,，碳化硅已經(jīng)成為了半導體行業(yè)，特別是功率半導體細分市場的那個“遠方”,。行業(yè)老對手和新玩家紛紛涌入,，加倍下注（double down）這個新興市場,。其中不但有射頻大廠Qorvo跨界收購UnitedSiC，還有三安,、露笑等投資百億試圖趕超,。如火如荼的場景不禁讓人聯(lián)想到百年前列強簽訂《五國關于限制海軍軍備條約》前的場景。
前有美英法意日五大強國的海軍博弈,，今有意（法半導體 STMicroelectronics）,、英（飛凌科技 Infineon）、美（國Wolfspeed）,、日（本羅姆 Rohm）和安（森美 onsemi）在碳化硅市場爭奪戰(zhàn)中完成歷史的輪回——這五家供應商占據(jù)了2021年碳化硅功率器件市場份額的88%,。
然而五巨頭對現(xiàn)狀依然充滿敬畏，在這個逆水行舟的市場中,，分別祭出了各自的“Z計劃”和“八八艦隊規(guī)劃”,，嘗試在已有項目、客戶資源,、產(chǎn)品技術和制造產(chǎn)能等多方面超越競爭對手,，下面就讓我們盤點這五巨頭的籌碼和底牌。
2021年碳化硅功率器件市場市占率分布情況
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意法半導體 STMicroelectronics
根據(jù)意法半導體在近期財報中透露的最新數(shù)據(jù)，截止2022財年第1季度,，公司碳化硅產(chǎn)品已經(jīng)在75個客戶的98個項目中送樣測試,，其中工業(yè)應用和電動汽車應用各占一半。同時意法宣布在這個季度獲得了多個Design-win, 包括與德國模塊大廠賽米控（Semikron）簽署了一項為期4年的技術合作,，由意法提供碳化硅芯片,，賽米控提供封裝技術，共同開發(fā)針對電動汽車的eMPACK功率模塊,。該模塊已被一家德國整車廠選用,，預計2025年開始大規(guī)模采購，合同金額在10億歐元左右,。
賽米控eMPACK功率模塊由三塊半橋通用構建塊組成,，已與意法達成協(xié)議采用其碳化硅MOSFET芯片 （來源：Semikron）
根據(jù)當前的項目和訂單儲備，意法預計2022年來自碳化硅產(chǎn)品的營收在7億美元左右,，而這一數(shù)字在2024年將達到10億美元,。目前采用意法碳化硅產(chǎn)品的整車廠客戶首推特斯拉，自Model 3車型以來就開始采用意法提供的TPAK碳化硅模塊,，這也成為碳化硅上車并實現(xiàn)規(guī)?；\用的標志性事件。另外，去年底開始交付的豪華電動車Lucid Air也是采用意法的碳化硅模塊,。
考慮到意法在碳化硅市場的地位,，筆者認為意法對未來業(yè)務增長的預期略顯保守，與其他幾個碳化硅主要供應商相比增幅并不大,。猜測主要原因是意法現(xiàn)有碳化硅產(chǎn)能已經(jīng)綁定了頭號客戶特斯拉,，因此在新產(chǎn)能上線前，意法能做的事并不多,。
針對這一狀況,，意法計劃在2022財年投入21億美元的資本金，主要目的之一便是增加碳化硅產(chǎn)能——一方面繼續(xù)擴容意大利西西里島卡塔尼亞的6寸碳化硅晶圓廠,，另一方面投入到2022年開始運營的,，位于新加坡的第二座6寸碳化硅晶圓廠。公司另將9億美元戰(zhàn)略投資中的一部分投入到碳化硅襯底的生產(chǎn)上,，用于產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合,，在2025年實現(xiàn)40%的襯底需求內部供應。
同時,，公司也在碳化硅研發(fā)上繼續(xù)投入相當資源,。在生產(chǎn)技術上，意法于2021年年中宣布其挪威分部STMicroelectronics Silicon Carbide A.B. （前身為2019年收購的Norstel A.B.）開始進行8寸碳化硅材料的實驗室制造,，預計相應技術將在2025年前后成熟,，并應用到規(guī)劃中的新加坡8寸碳化硅生產(chǎn)線中。
在芯片設計上意法繼續(xù)深挖平面設計碳化硅MOSFET的技術潛力,，推出了第4代平面柵碳化硅,，預計在今年第二季度量產(chǎn),。而之前規(guī)劃的溝槽柵設計產(chǎn)品則順延成為意法的第5代碳化硅MOSFET,，目前應該在工程樣品測試階段，量產(chǎn)時間待定,。
意法碳化硅MOSFET的產(chǎn)品路線圖新舊版本略有區(qū)別
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相比上一代產(chǎn)品，第4代平面柵碳化硅的性能有所進步,，包括導通電阻減少15%,，工作頻率增加一倍至1MHz。碳化硅芯片技術的進展再搭配意法開發(fā)的先進封裝,，例如STPAK,，ACEPACK SMIT/DRIVE等，為意法保持其碳化硅產(chǎn)品核心供應商的地位提供了重要支柱,。再加上意法碳化硅TPAK在特斯拉電動車中近5年的大規(guī)模應用積累下來的海量數(shù)據(jù),，讓意法的產(chǎn)品在多個維度都領先眾多競爭對手——Yole Developpment的數(shù)據(jù)顯示意法2021年的市占率為37%，即便未來群雄割據(jù),，管理層也表示有信心占有30%的碳化硅功率器件市場份額,。
英飛凌 Infineon
這個季度英飛凌宣布碳化硅產(chǎn)品線再獲Design-win, 分別為中國整車廠的電動汽車逆變器和車載充電機應用提供產(chǎn)品,，合同總金額達到上億歐元。即使這兩個項目不能在今年貢獻顯著的營收,，目前已有的碳化硅訂單也使得2022財年來自碳化硅產(chǎn)品的收入超過去年近一倍,，沖擊3億歐元。
綜合現(xiàn)有Design-in和Design-win項目,，公司管理層預測到2025年前后碳化硅功率器件產(chǎn)品線可以為公司帶來10億美元左右的營收,。目前已經(jīng)開始英飛凌貢獻碳化硅產(chǎn)品營收的客戶包括現(xiàn)代集團，其Ioniq 5電動緊湊型休旅車采用緯湃科技Vitesco提供的800V逆變器,，內部使用的碳化硅模塊即來自英飛凌,。與此同時，英飛凌還是小鵬汽車的碳化硅模塊的主要提供商,，用于旗艦SUV車型G9中,，預計今年第3季度起正式交付。
英飛凌對碳化硅功率器件業(yè)務的財務預期
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雖然英飛凌的碳化硅營收增長迅猛,，但是英飛凌并非通過薄利多銷的方式來擴大其碳化硅市場份額。CEO Jochen Hanebeck表示碳化硅帶來的毛利潤率反而高于車規(guī)產(chǎn)品事業(yè)部和工業(yè)產(chǎn)品事業(yè)部的平均值,。這一點對英飛凌尤為重要：與德州儀器和NXP等競爭對手相比,，目前英飛凌在模擬和功率半導體公司中運營利潤率處于墊底的位置，急需改變所銷售的產(chǎn)品構成來提供利潤率,，鞏固其功率細分市場一哥的位置,。
英飛凌碳化硅產(chǎn)品能夠定位高質高價，其原因在于起采用的溝槽碳化硅MOSFET技術的先進和成熟,。雖然平面結構碳化硅MOSFET生產(chǎn)工藝較為簡單,，柵極氧化物可靠性更高，但是在與性能相關的單位面積導通電阻和寄生電容,，以及成本相關的單位電流芯片尺寸上不能比肩溝柵設計,。
而英飛凌的半包溝槽結構是業(yè)界不多的幾個能夠量產(chǎn)上車的碳化硅溝槽結構設計（其他還包括羅姆的雙溝槽和住友的接地雙掩埋結構等）——按照公眾號“碳化硅芯片學習筆記”作者的說法，“溝槽MOS成套工藝及結構IP,，是未來十年碳化硅競爭的入場券,！”
平面碳化硅MOSFET的品質因素FOM遜于溝槽柵設計
（來源：SystemPlus Consulting）
英飛凌的溝槽結構碳化硅以CoolSiC作為商品名,，目前已推出了兩代產(chǎn)品,。第一代以1200V為主，目前處于量產(chǎn)階段,。而第二代產(chǎn)品包括1200V和750V兩個電壓規(guī)格,，相較上一代增加了25-30%的載電流能力。
在針對電動汽車開發(fā)的碳化硅模塊產(chǎn)品上，英飛凌著重擴充HybridPACK Drive系列產(chǎn)品,，推出了尺寸和管腳兼容的的HybridPACK Drive CoolSiC,。目的是充分利用前期HybridPACK Drive建立的業(yè)內知名度和客戶資源，減少市場推廣成本,，降低客戶切入的壁壘,。
不過為了獲得更好的性能和更緊湊的方案尺寸，第二代CoolSiC也采用了業(yè)內逐漸流行的雙面水冷封裝HybridPACK DSC,，推出了全新的碳化硅塑封模塊,。
英飛凌CoolSiC技術的迭代，以及對應的電壓規(guī)格和功率模塊封裝
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與同處歐洲的競爭對手意法半導體類似,，英飛凌的碳化硅營收也受制于產(chǎn)能。因此,，公司一方面從技術要產(chǎn)能,，通過開發(fā)冷裂（Cold Split）技術減少晶錠（boule）切割過程中的材料損失，從相同的晶錠中獲得多一倍的碳化硅襯底,。目前這一技術處于小批量試產(chǎn)中,，預計2024年完全成熟。
另一方面,，公司也在年初宣布斥資逾20億歐元在馬來西亞建設第三期Kulim晶圓廠,，專門用于寬禁帶半導體包括碳化硅的前道生產(chǎn)。新廠區(qū)計劃在今年6月開始施工,，2024年夏季進行設備安裝,，首批晶圓于2024年下半年開始出貨。
英飛凌的冷裂技術可使碳化硅襯底產(chǎn)能翻倍
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Wolfspeed
Wolfspeed這個季度（2022財年第3季度）最大的新聞就是其位于紐約州莫霍克谷（MVF）的8寸碳化硅晶圓廠正式開始運營,，預計在2023年上半年貢獻顯著營收。這座晶圓廠占地6.3萬平方米,，耗資10億美元,，是目前世界上最大的碳化硅生產(chǎn)線,。
根據(jù)公司在2021年投資者大會上公布的信息,，每片8寸晶圓上的碳化硅芯片數(shù)量將比現(xiàn)有的6寸晶圓增加了近90%，并且得益于先進的自動化生產(chǎn)設備,，良率也比Wolfspeed的6寸產(chǎn)線提高20%-30%,。
按照粗略的計算，MVF的8寸晶圓生產(chǎn)總成本（包括襯底和前道工藝）只要不超過Wolfspeed Durham晶圓廠6寸晶圓成本的2.5倍,，MVF晶圓廠生產(chǎn)的碳化硅芯片成本就可以低于目前水平,。而管理層對MVF晶圓廠帶來的成本優(yōu)化的預期更為樂觀，認為2024財年Wolfspeed單顆碳化硅芯片成本將僅為當前的37%。
Wolfspeed對MVF建成后碳化硅芯片成本變化的預期,，其中28%的降本來自良率提高,，25%來自規(guī)模效應，另有10%來自自動化減少的人工和生產(chǎn)周期
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MVF晶圓廠的運營也給Wolfspeed的產(chǎn)能帶來飛躍,。根據(jù)投資者日上間接透露的信息計算，2022財年和2024財年的公司碳化硅襯底總產(chǎn)能（以8寸晶圓計）分別為每周2千3百片和3千3百片,。假設這些襯底全部內部消化且只用來生產(chǎn)功率器件,，Wolfspeed碳化硅模塊的產(chǎn)能理論上可以滿足2022年170萬臺和2024年240萬臺電動汽車的需求。
本季度除了營收同比和環(huán)比繼續(xù)保持增長外,，Wolfspeed的Design-in項目金額也與上季度一樣保持高位,，達到16億美元。這使得本財年迄今為止的Design-in總金額增加到38億美元,，較去年同期增加一倍,。
這些新增的Design-in項目中，有大約70%來自電動汽車行業(yè),，包括明星電動車企Lucid的旗艦車型Lucid Air,。在意法的碳化硅模塊之外，這款高端電動汽車也將引入Wolfspeed的XM3碳化硅功率模塊,。預計2023年MVF 8寸線能夠穩(wěn)定量產(chǎn)后,，Lucid也將使用內含MVF碳化硅芯片的XM3模塊用于Lucid Air及后續(xù)車型。因此,，Lucid首席工程師,、產(chǎn)品資深副總Eric Bach在MVF晶圓廠開業(yè)典禮時作為客戶代表致辭，也是為了能夠盡快拿到MVF晶圓廠的量產(chǎn)芯片,。
Lucid Air的逆變器中用到了3塊Wolfspeed XM3碳化硅模塊
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如果將時間拉長到過去三年,，Wolfspeed累積的Design-in金額在87億美元這個驚人的水平,，其中包括大眾集團“未來汽車供應路線（FAST）”計劃和通用汽車奧騰能平臺項目。另外,，市場也傳言戴姆勒集團和奧迪的下一代E-tron車型也選擇了Wolfspeed的產(chǎn)品,。
本季度管理層表示已經(jīng)有45%的Design-in即40億美元轉化為Design-win，這意味著Design-win對應的客戶已經(jīng)開始實際批量采購Wolfspeed的碳化硅芯片,，且至少占預期第一年數(shù)量的20%,。
按照公司預估的2024財年15億美元營收目標，這也需要差不多3年時間才能滿足已有的客戶需求,，因此產(chǎn)能不足造成的訂單積壓仍然是一大挑戰(zhàn),?？紤]到這個情況，管理層把擴充碳化硅襯底和器件制造產(chǎn)能依舊作為公司的首要工作,。
舉措之一就是在本季度財報電話會議中,，Wolfspeed宣布公司已經(jīng)開始著手第二座8寸碳化硅晶圓廠的籌備工作，比之前的規(guī)劃大大提前,。CEO Gregg Lowe透露新晶圓廠較MVF規(guī)模更大,，并且美國聯(lián)邦和州政府依然將提供大力支持，更多信息會在今年底釋出,。另外,，第三座襯底工廠的建設也在考慮中，以滿足內部和外部襯底客戶的需求,。
Wolfspeed的碳化硅MOSFET采用平面設計,，目前處于第3代（Gen 3），涵蓋650V到1200V之間的多個電壓規(guī)格,。與之前兩代產(chǎn)品相比,，Gen 3 平面MOSFET采用六邊形晶胞微觀設計，650V Gen 3和1200V Gen 3+的單位面積導通電阻分別為2.3 m?·cm2和2.7 m?·cm2,，較上一代Strip Cell減少了16%,。
（一個有趣的對比是,，另一家碳化硅MOSFET大廠安森美的技術升級路線與Wolfspeed正好相反,，其第一代平面產(chǎn)品M1采用Hex Cell設計，但是在后面的M3中改為Strip Cell,，性能提高的幅度也是16%,，有待考證為何雙方矛盾的技術升級卻得到了相同的結果）
Wolfspeed Gen 3碳化硅MOSFET采用Hex Cell的平面技術
（來源：Wolfspeed）
一份較早的資料中Wolfspeed提到其Gen 3碳化硅MOSFET已經(jīng)到達了平面設計的實際性能極限,，下一代產(chǎn)品將是溝槽柵設計,。目前Wolfspeed的Gen 4 溝槽柵仍在開發(fā)中，具體量產(chǎn)時間還沒有透露,。
不過,，作為一家在碳化硅行業(yè)中浸淫了超過30年的企業(yè)，Wolfspeed及其前身Cree在1991年就推出了第一片量產(chǎn)碳化硅襯底,。深厚的經(jīng)驗積累和歷史沉淀讓Wolfspeed的碳化硅襯底性能和質量獨占鰲頭,，就連意法、英飛凌和安森美等同行業(yè)競爭對手不得不花費上億美元向其采購,。因此,，Wolfspeed的碳化硅產(chǎn)品獲得了至關重要的先發(fā)優(yōu)勢,，成為了整個碳化硅行業(yè)的風向標,。
Wolfspeed 8英寸碳化硅襯底的結構質量和化學機械拋光（CMP）工藝后的表面質量都表現(xiàn)出色
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羅姆 Rohm
羅姆作為一家在東京證卷交易所上市的科技企業(yè)，其投資者關系網(wǎng)站上提供的英文資料有限,。但是從能夠找到的資料中,，可以看到公司對其碳化硅業(yè)余也是極具信心——管理層預測2025財年碳化硅產(chǎn)品營收將超過1000億日元（7.7億美元），而目前已挖掘出來的市場機會則超過8400億日元（65億美元）,。
這些財務和業(yè)務目標來自羅姆積極的產(chǎn)業(yè)布局,。公司已經(jīng)與國際多家客戶建立了緊密的聯(lián)系，合作項目帶來的預期營收就占到總營收目標的20%-30%,。
僅在中國,，羅姆就與正海集團成立主營碳化硅功率模塊設計和制造業(yè)務的合資企業(yè)海姆希科,。同時,，與整車廠吉利汽車，以及國內汽車行業(yè)知名一級供應商聯(lián)合電子UAES分別成為戰(zhàn)略伙伴關系或首選供應商,。另外,，也與聯(lián)合電子和專注新能源汽車動力解決方案的初創(chuàng)企業(yè)臻驅Leadrive成立聯(lián)合實驗室或者聯(lián)合研發(fā)中心。
羅姆碳化硅營收增長目標（23-26財年,，對應日歷年2022年到2025年）,，以及目前已經(jīng)公布的產(chǎn)業(yè)合作
（來源：Rohm）
當然,，野望需要有匹配的實力才能實現(xiàn),。羅姆已經(jīng)規(guī)劃在2021年至2025年的5年間，投入1200億至1700億日元（10億-13億美元）的資金,，將碳化硅產(chǎn)能擴充至少6倍,。這些投資現(xiàn)在已看到部分成果，包括在今年初完成了日本筑后市 Apollo 工廠新大樓的建設,，從而提高了 SiC 芯片產(chǎn)能,。
大量投資也涌入了羅姆2010年收購的SiCrystal。這家碳化硅襯底供應商的中期目標是每年生產(chǎn)數(shù)十萬片碳化硅襯底,，實現(xiàn)上億美元的營收,。同時，SiCrystal也在探索8英寸襯底生產(chǎn)的可能性,，目前已經(jīng)開始驗證工作,，預計2023年批量生產(chǎn)。
在碳化硅器件技術方面羅姆也處于領先地位,。2010 年公司就開始量產(chǎn)首款碳化硅MOSFET,，與之后推出的第2代產(chǎn)品都采用平面柵極設計。2015年羅姆又領先競爭對手,，率先量產(chǎn)雙溝槽結構的第3代產(chǎn)品,。
羅姆的碳化硅MOSFET技術路線圖,，以及第4代產(chǎn)品的銷售占比變化
（來源：Rohm）
2020 年更進一步,，推出了針對電動汽車優(yōu)化的第 4 代 1200V碳化硅MOSFET,，在不降低短路耐受時間的情況下，通過改進雙溝槽結構設計,，比第3代產(chǎn)品降低了40%的導通電阻,。同時，通過降低柵漏電容（Cgd）,，使得開關損耗減少了至多50%,。綜合來看，第4代產(chǎn)品獲得了更好的FOM（品質因數(shù),，F(xiàn)igure of Merit）,。羅姆預測第4代碳化硅MOSFET從今年起在其銷售構成中的占比逐漸增加，直至2024-2025年成為銷售主力,。
與其他尚在挑戰(zhàn)首款量產(chǎn)溝槽柵產(chǎn)品的競爭對手相比,，羅姆已領先數(shù)個身位，第5代產(chǎn)品正在開發(fā)中,，預計比上一代產(chǎn)品減低30%的單位面積導通電阻,，計劃于2025年量產(chǎn)。不止于此,，第6代碳化硅MOSFET也出現(xiàn)在技術路線圖的遠景規(guī)劃中,，將于2028年量產(chǎn)。
安森美 onsemi
安森美在2022年第1季度繼續(xù)保持強勁增長,，毛利潤率也達到了近50%的歷史新高,，處于公司成立以來的高光時期。碳化硅產(chǎn)品的業(yè)績貢獻雖然占比還比較小,，但是增長動量十足——安森美與客戶簽訂的未來三年長期供應協(xié)議（LTSA）總金額已達到26億美元,，其中有超過20億美元來自電動汽車動力總成對碳化硅模塊的需求，包括蔚來汽車和特斯拉,。
蔚來汽車ET7將采用安森美900V碳化硅功率模塊驅動
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CEO Hassan El-Khoury表示這些承諾訂單將從2022年下半年起開始批量履約,，推動碳化硅產(chǎn)品線在2022年的營收較上一年增加超過一倍,，并在2023年為安森美貢獻10億美元的銷售額。
不過與英飛凌不同的是,，管理層透露2022年下半年至2023年上半年期間碳化硅產(chǎn)品的利潤率將低于公司平均水平,。這歸結于之前安森美尚未規(guī)模供應碳化硅模塊產(chǎn)品，今年下半年起的產(chǎn)能爬坡所需的啟動成本降低了毛利潤率,。
雖然安森美在五巨頭中排名末席,，但是其綜合實力不可小覷,，尤其是2021年第3季度通過收購襯底供應商GTAT，搭建了從碳化硅晶錠,、襯底,、器件生產(chǎn)到模塊封裝的垂直整合模式,。雖然其中一些項目的技術實力與各領域領先企業(yè)還有所差距,，但是整體實力卻更為均衡——與襯底龍頭Wolfspeed相比，安森美的模塊封測和量產(chǎn)經(jīng)驗略勝一籌,；與器件設計實力超群的英飛凌相比,，安森美又有來自GTAT碳化硅材料的加成。
安森美在碳化硅業(yè)務上的布局
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安森美也看到了自身在碳化硅方面的綜合實力,，把碳化硅確立為公司兩大資產(chǎn)投資方向之一，規(guī)劃在2022年將碳化硅襯底產(chǎn)能增加四倍,，意圖在未來能夠自產(chǎn)所需的全部碳化硅襯底和外延片,。
在碳化硅晶圓制造上，安森美已經(jīng)在6寸晶圓上實現(xiàn)量產(chǎn),，目前推出的絕大部分產(chǎn)品如碳化硅MOSFET單管,，光伏碳化硅模塊等均來自韓國Bucheon晶圓廠6寸線。與此同時,，安森美也跟隨Wolfspeed等行業(yè)領先者的步伐,，在材料方面和晶圓制造上均開始嘗試8寸碳化硅的生產(chǎn)。
得益于仙童半導體在碳化硅技術上的積累,，安森美在收購仙童后也獲得了開發(fā)各類碳化硅產(chǎn)品的堅實基礎,。
安森美的第1代碳化硅MOSFET技術（M1）采用平面設計，耐壓等級為1200V,。之后從中衍生出900V和750V耐壓的規(guī)格,，微觀結構也改為Hex Cell設計，這兩個改動相疊加使得碳化硅MOSFET的導通電阻降低了35%左右,。目前安森美推出的大部分碳化硅產(chǎn)品均基于M1與其衍生出的M2平臺,。
目前最新的一代碳化硅技術（M3）仍然采用平面技術，但是改為Strip Cell設計,，導通性能較上一代衍生版本再提高了16%,。這一代產(chǎn)品將逐漸成為公司的主力車規(guī)碳化硅平臺，在電壓規(guī)格上覆蓋電動汽車主流的400V和800V平臺,。
而安森美的下一代技術平臺M4則會從平面結構升級為溝槽結構,，目前已積累了大約20份相關專利。與初代碳化硅技術相比,，在相同載電流的要求下可以減少相當?shù)男酒娣e,。這意味著以前210kW輸出功率需要4片碳化硅芯片并聯(lián)才能實現(xiàn),，而M4平臺預計只需要其一半面積的芯片即可。如果再加上M4平臺可能采用8寸晶圓生產(chǎn),，預期M4的成本較之前將顯著降低,。
安森美的碳化硅技術持續(xù)進步，功率密度,、散熱能力和成本不斷優(yōu)化
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根據(jù)研究機構Yole Développement最近的一份研報，碳化硅器件的主要應用場合為電動汽車,，占到總營收的近80%,。而碳化硅功率模塊又是碳化硅芯片的主流封裝模式。因此,，高性能大功率模塊封裝是碳化硅應用,，特別是車規(guī)應用的關鍵研發(fā)領域之一。
通過IGBT模塊上的多年積累,，安森美在大功率車規(guī)模塊上早有布局,，其技術涵蓋了市場上主流的兩種大功率模塊類型，一是有凝膠灌封的框架式模塊,，二是整體覆蓋環(huán)氧樹脂材料的塑封式模塊,。前者即是被應用于蔚來汽車ET7的功率模塊，而后者更是安森美的研發(fā)重點,。
相較框架式模塊,，塑封模塊可以實現(xiàn)更高的功率密度。同時,，外形設計具有靈活性,，可以根據(jù)客戶的要求進行半定制或者完全定制。正是因為這些特點,，再加上公司在模塊設計和量產(chǎn)上的成功經(jīng)驗,，最終讓安森美從特斯拉初獲得了TPAK模塊新增供應商的門票。
小結
碳化硅功率器件五巨頭都對未來市場發(fā)展和各自公司碳化硅產(chǎn)品營收增長表達了樂觀的看法,，因此投入重金積極擴充碳化硅襯底和晶圓制造產(chǎn)能,。與此同時，這些公司也積極進行技術升級,，包括向8英寸制造演進,，以及開發(fā)溝槽結構MOSFET，以期獲得性能提升的同時,，獲得更多的單位產(chǎn)出和更低的成本,。
不止于此，五巨頭在各自擅長的領域建立了準入壁壘，包括意法的應用經(jīng)驗和封裝,，Wolfspeed的8寸制造能力,，英飛凌和羅姆的溝槽柵設計，以及安森美的垂直整合,，意圖在未來仍然維持起行業(yè)領導者的地位,。