今天,三星電子在官網(wǎng)宣布,,公司位于韓國(guó)的華城工廠(chǎng)已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)3nm制程半導(dǎo)體芯片,是全球首家量產(chǎn)3nm芯片的公司,。
這意味著,,在新一代芯片工藝的節(jié)點(diǎn)上,三星成功實(shí)現(xiàn)了對(duì)臺(tái)積電的彎道超車(chē),,搶先拿下了3nm芯片市場(chǎng),。
根據(jù)三星官方介紹,在3nm芯片上,,其放棄了之前的FinFET架構(gòu),,采用了新的GAA晶體管架構(gòu),大幅改善了芯片的功耗表現(xiàn),。
與5nm相比,,新開(kāi)發(fā)的3nm工藝能夠降低45%的功耗,,減少16%的面積,,并同時(shí)提升23%的性能。
不過(guò),,雖然在3nm工藝上三星拔得頭籌,,但這并不代表三星在芯片代工市場(chǎng)上就能夠一帆風(fēng)順。
一方面,,臺(tái)積電正在計(jì)劃于2025年實(shí)現(xiàn)2nm芯片的量產(chǎn),,這意味著三星方面需要加緊新技術(shù)的研發(fā)工作,以防在下一代新技術(shù)上被臺(tái)積電反超,。
另一方面,,由于4nm制程芯片的功耗問(wèn)題,高通等重要客戶(hù)對(duì)三星的3nm制程工藝目前都保持觀(guān)望態(tài)度,,不敢隨意進(jìn)行嘗試,。
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