近年來(lái)國(guó)內(nèi)科技迎來(lái)飛速發(fā)展，但看似繁榮昌盛的背后，也隱藏了諸多的隱患,，困擾我們?cè)S久的“缺芯少魂”問(wèn)題,，至今都未能很好的解決，和老美之間的科技競(jìng)爭(zhēng),，已經(jīng)被擺上了臺(tái)面,。

中國(guó)工業(yè)起步較晚,，也導(dǎo)致了在半導(dǎo)體領(lǐng)域基礎(chǔ)不穩(wěn)固，導(dǎo)致最先進(jìn)的制程工藝卡在了14nm上,，而且還要高度依賴于海外的技術(shù),，而華為之前就是太過(guò)于相信“科技無(wú)國(guó)界”，導(dǎo)致吃了大虧,。

華為有能力設(shè)計(jì)出尖端的5nm芯片,，但憑借著國(guó)內(nèi)工藝根本制造不出來(lái)，未能展開(kāi)全產(chǎn)業(yè)鏈的布局,，也導(dǎo)致先進(jìn)的技術(shù)無(wú)用武之地,，好在華為已經(jīng)習(xí)慣了“技術(shù)創(chuàng)新”，并沒(méi)有因此而陷入困境當(dāng)中,。

說(shuō)白了現(xiàn)階段的科技競(jìng)爭(zhēng),，就是搭載在芯片工藝基礎(chǔ)上的，誰(shuí)能夠獲取更為先進(jìn)的芯片,，就能夠在未來(lái)掌控全局,，目前國(guó)內(nèi)的企業(yè)也在芯片領(lǐng)域，展開(kāi)了全面的沖刺,，好消息也不斷的傳了出來(lái),。

提到先進(jìn)的芯片制造，不得不提的就是EUV光刻機(jī)了,，ASML作為全球唯一的廠商,，在設(shè)備進(jìn)出口上，已經(jīng)遭到了老美的嚴(yán)格管控,，無(wú)法獲取先進(jìn)的光刻機(jī),，也讓國(guó)內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)停滯不前。

而如今老美意在重塑本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),，因此短期之內(nèi)放開(kāi)EUV光刻機(jī)供應(yīng),，基本上是不存在任何的可能性的，原因就在于ASML也只是組裝廠,，光刻機(jī)是集結(jié)了來(lái)自全球20多個(gè)國(guó)家的尖端產(chǎn)物,。

在老美的相關(guān)限制下，反而加速了華為的成長(zhǎng),，5G技術(shù)更加的精進(jìn),，坐穩(wěn)了領(lǐng)頭羊的位置，在技術(shù)上至少領(lǐng)先了歐美2-3年,，除了在5G領(lǐng)域的成就之外,，我國(guó)在航空航天等等領(lǐng)域上，也都實(shí)現(xiàn)了趕超,。

為了追趕臺(tái)積電,，很顯然三星也在努力的采購(gòu)ASML的最新一代光刻機(jī),，而花費(fèi)也是巨大的。

據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道稱,，三星電子和ASML就引進(jìn)今年生產(chǎn)的EUV光刻機(jī)和明年推出高數(shù)值孔徑極紫外光High-NA EUV光刻機(jī)達(dá)成采購(gòu)協(xié)議,。

High-NA EUV光刻機(jī)精密度更高、設(shè)計(jì)零件更多,，是延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵,，推動(dòng)2nm以下制程，估計(jì)每臺(tái)要價(jià)4億美元,。

ASML今年只能生產(chǎn)50臺(tái)EUV設(shè)備,，交貨周期為1年6個(gè)月，ASML有限的生產(chǎn)能力和較長(zhǎng)的交貨時(shí)間正加劇各大晶圓代工廠訂購(gòu) High-NA EUV光刻機(jī)的競(jìng)爭(zhēng),。

在這之前,， Intel已率先與ASML采購(gòu)5臺(tái)這款新設(shè)備，還宣稱2024年初就能生產(chǎn)2nm,、2024 年下半更能生產(chǎn)1.8nm,。臺(tái)積電稱會(huì)在2024年擁有ASML次世代最先進(jìn)的光刻機(jī)。

有消息人士透露,，三星電子已獲得ASML今年EUV光刻機(jī)產(chǎn)能中的18臺(tái),。這意味三星僅在EUV光刻機(jī)上就將投資超過(guò)4兆韓元。

新建光的刻機(jī)制造的車(chē)間,，ASML已正式做了決定

ASML是世界上最好的光刻機(jī)供應(yīng)商,，他們的DUV光刻機(jī)和EUV光刻機(jī)，已經(jīng)占據(jù)了中,、高端的市場(chǎng),。

而EUV光刻機(jī)的出現(xiàn)，讓臺(tái)積電,、三星、英特爾等公司,，都在采購(gòu)EUV光刻機(jī),，但因?yàn)楫a(chǎn)能的限制，三星等公司的EUV光刻機(jī),，也出現(xiàn)了嚴(yán)重的短缺,。

據(jù)報(bào)道，三星公司很早以前就表示,，希望ASML公司可以為其生產(chǎn)更多的EUV光刻機(jī)和其他設(shè)備,，同時(shí)也想要優(yōu)先采購(gòu)新一代的光刻機(jī)。

ASML公司在韓國(guó)建立了EUV光刻機(jī)的生產(chǎn)基地,，以滿足EUV光刻機(jī)的生產(chǎn)需求,，并將EUV光刻機(jī)交給三星等公司,。

緊接著ASML宣布，將擴(kuò)大EUV光刻機(jī)等設(shè)備的生產(chǎn)規(guī)模,，在2022年,、2023年完成115部EUV光刻機(jī)的生產(chǎn)，加快NAEUV光刻機(jī)的研發(fā),。

現(xiàn)在ASML已經(jīng)下定決心,，要建立一條新的光刻機(jī)生產(chǎn)線，讓光刻機(jī)的產(chǎn)能更上一層樓,。

ASML公司的官方信息顯示,，新加坡的第二個(gè)生產(chǎn)車(chē)間將會(huì)在2023年初投入生產(chǎn)。

擴(kuò)建后,，新加坡光刻機(jī)的產(chǎn)能將翻三番,，而全球產(chǎn)能也將翻一番。

ASML之所以會(huì)在新加坡擴(kuò)大產(chǎn)能,，建造新的光刻機(jī),，也是有原因的。

首先,，對(duì)光刻機(jī)的需求量,，已經(jīng)越來(lái)越大了。

由于全球缺芯,，各大晶圓廠紛紛加大產(chǎn)能,，三星將投入2000億美金擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，而臺(tái)積電,、英特爾等公司則打算投入1000億美金擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模,。

就連中芯國(guó)際、格芯,、聯(lián)電等芯片代工企業(yè),，也都開(kāi)始擴(kuò)充自己的芯片生產(chǎn)規(guī)模，而三星,、SK,、海力士、美光等公司,，都在不斷地提高自己的生產(chǎn)技術(shù),，對(duì)光刻機(jī)的需求量也越來(lái)越大。

此外,，ASML公司還透露,，由于全球缺芯，導(dǎo)致了各個(gè)大型晶圓廠的產(chǎn)能擴(kuò)張,，擴(kuò)大生產(chǎn)所需的光刻機(jī)和其他設(shè)備,，在接下來(lái)的兩年里,，都會(huì)有大量的缺貨。

這也是ASML公司不斷擴(kuò)充其能力的一個(gè)重要因素,。

其次,，亞洲是ASML最大的市場(chǎng)。

ASML公司的總部位于荷蘭,，但是ASML公司是一家全球性的公司,，它的研發(fā)和生產(chǎn)，涉及到了40多個(gè)國(guó)家和地區(qū),。

而ASML的生產(chǎn)基地遍布世界各地,，荷蘭，德國(guó),，美國(guó),，新加波，更是遍布世界各地,。

但從市場(chǎng)角度看,，ASML最大的市場(chǎng)是亞洲，它的主要依靠中國(guó),、韓國(guó),，單是中韓兩國(guó)的芯片公司每年就為ASML帶來(lái)超過(guò)130億歐元的收入。

用于生產(chǎn) 2nm 芯片的 ASML 新款光刻機(jī)預(yù)計(jì)在 2025 年首次投入使用,，對(duì)芯片廠商而言,，“2nm 工藝戰(zhàn)”已經(jīng)打響。

對(duì)于芯片廠商而言,，要想發(fā)展先進(jìn)制程,，光刻機(jī)是關(guān)鍵設(shè)備。而從工藝技術(shù)和制造成本綜合因素考量,，EUV 光刻機(jī)(極紫外光刻)被普遍認(rèn)為是 7nm 及以下工藝節(jié)點(diǎn)的最佳選擇,。目前，在全球范圍內(nèi)僅有荷蘭的 ASML 公司能供應(yīng) EUV 光刻機(jī),。

據(jù)介紹,，ASML 的 EUV 光刻技術(shù)使用 13.5 nm 的波長(zhǎng)(幾乎是 X 射線范圍)，在微芯片上形成精細(xì)的線條,。用于大批量制造，以創(chuàng)建先進(jìn)的微芯片(7 nm,、5 nm 和 3 nm 節(jié)點(diǎn))高度復(fù)雜的基礎(chǔ)層,，并支持新穎的晶體管設(shè)計(jì)和芯片架構(gòu)。

日前,，在 2022 SPIE 高級(jí)光刻會(huì)議上,，ASML 介紹了 EUV 的最新進(jìn)展,。

根據(jù) ASML 最新消息，新款 EUV 光刻機(jī)正在研發(fā)中,，NA 將從 0.33 增加到 0.55(NA 是光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑,，表示光線的入射角度)，2nm 工藝的芯片都將依賴其實(shí)現(xiàn),。

為什么要沖刺高 NA EUV 光刻機(jī)?

光刻系統(tǒng)所能達(dá)到的分辨率是光刻收縮的主要驅(qū)動(dòng)因素之一,，它主要由所用光的波長(zhǎng)和光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑?jīng)Q定。更短的波長(zhǎng)可以打印出更小的特征;更大的數(shù)值孔徑可以更緊密地聚焦光線,，也能夠帶來(lái)更好的分辨率,。

ASML 光刻系統(tǒng)的發(fā)展一直是通過(guò)減少波長(zhǎng)和增加數(shù)值孔徑來(lái)進(jìn)行演進(jìn)。

目前,，ASML 的主力產(chǎn)品是 0.33NA EUV 光刻機(jī),，并正在大批量生產(chǎn)中。對(duì)于 0.33 NA 系統(tǒng),，ASML 正致力于通過(guò)增加吞吐量和降低總能量來(lái)減少每次曝光所需的能量,。

在發(fā)力 0.33 NA EUV 光刻機(jī)的同時(shí)，ASML 也在沖刺研發(fā) 0.55 NA EUV 光刻機(jī),。