《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 模擬設(shè)計 > 業(yè)界動態(tài) > 三星電子宣布2027年量產(chǎn)1.4納米

三星電子宣布2027年量產(chǎn)1.4納米

2022-10-06
來源:EETOP
關(guān)鍵詞: 三星電子 1.4納米 芯片

三星本周概述了其涵蓋下一代制造工藝以及擴(kuò)大生產(chǎn)能力的長期路線圖,。路線圖表明該公司沒有放緩開發(fā)和部署新制造技術(shù)以及擴(kuò)大制造能力以滿足未來對先進(jìn)芯片的需求的計劃,。 

據(jù)日經(jīng)新聞報道, 三星代工計劃到2025 年開始使用其下一代 2nm 制造工藝制造芯片,,到 2027 年開始使用其 1.4nm 生產(chǎn)節(jié)點,。今年早些時候,三星開始使用其第一代 3nm 制造技術(shù)(也稱為3GAE或 gate-all-around early)制造半導(dǎo)體,。2024 年,,該公司將采用其第二代 3nm 節(jié)點(也稱為 3GAP,或gate-all-around plus),。 

由于開發(fā)新的制造工藝并將其用于量產(chǎn)變得越來越困難,,三星的 2nm(或 20 埃)節(jié)點將在大約兩年內(nèi)準(zhǔn)備就緒也就不足為奇了。根據(jù)目前的路線圖,,當(dāng)三星準(zhǔn)備好其 2nm 技術(shù)時,,其競爭對手英特爾將在 2024 年中期開始使用其 20A 節(jié)點,并在 2025 年中期開始使用 18A 節(jié)點,。與此同時,,臺積電計劃在 2025 年下半年開始使用其 2nm 節(jié)點進(jìn)行大批量生產(chǎn),并在 2026 年初交付第一批芯片,。 

近年來,,三星在新晶圓廠投入巨資,旨在為其三星代工客戶生產(chǎn)更先進(jìn)的片上系統(tǒng)以及復(fù)雜的 3D NAND 和 DRAM 芯片,。幾年來,,該公司在先進(jìn)的半導(dǎo)體生產(chǎn)能力上花費的資金幾乎比業(yè)內(nèi)任何公司都多——而且它顯然沒有放緩?fù)顿Y的計劃。 

據(jù)路透社援引該公司官員的報道稱,,三星計劃到 2027 年將其先進(jìn)芯片的產(chǎn)能增加兩倍 ,。三星沒有透露確切的目標(biāo)以及它認(rèn)為的先進(jìn)產(chǎn)能,但可以肯定的是,,該公司將繼續(xù)投資于新的半導(dǎo)體產(chǎn)能,。 

三星不僅需要為無晶圓廠客戶制造領(lǐng)先的芯片,還需要為自己的產(chǎn)品制造領(lǐng)先的芯片,,包括消費電子汽車應(yīng)用,、5G 和 6G 連接以及其他產(chǎn)品。  

為了滿足對其自有和第三方芯片的需求,,三星正在德克薩斯州泰勒附近建造全新的全新晶圓廠,,并計劃擴(kuò)大其在韓國的生產(chǎn)能力。據(jù)彭博社援引該公司官員的一份報告稱,,德克薩斯州的工廠預(yù)計將于 2024 年開始使用該公司的 3nm 級節(jié)點之一進(jìn)行大批量生產(chǎn) ,。



更多信息可以來這里獲取==>>電子技術(shù)應(yīng)用-AET<<

本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點,。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片,、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有,。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者,。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題,,請及時通過電子郵件或電話通知我們,,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失,。聯(lián)系電話:010-82306118,;郵箱:[email protected]