據(jù)業(yè)內(nèi)消息,，近日三星在一年一度的技術(shù)日研討會(huì)上公布了未來的3大規(guī)劃方向，其中包括1.4納米的代工制程工藝以及包括NAND,、DRAM在內(nèi)的各類內(nèi)存和無晶圓廠的整體解決方案,。

從5年前開始，三星都堅(jiān)持每年舉辦的技術(shù)日研討會(huì),，會(huì)上三星會(huì)討論些發(fā)布的新技術(shù),、半導(dǎo)體行業(yè)的趨勢(shì)和現(xiàn)狀以及未來的階段性規(guī)劃內(nèi)容。在本屆的會(huì)上,，在三星為其即將推出的 1.4納米制程工藝,、內(nèi)存路線圖以及擴(kuò)大其行業(yè)影響力的目標(biāo)制定了計(jì)劃,。

一直以來三星都和和臺(tái)積電一樣是行業(yè)內(nèi)代工工藝的最前沿，三星代工業(yè)務(wù)總裁兼負(fù)責(zé)人Siyoung·Choi博士談到了三星芯片生產(chǎn)的未來規(guī)劃,，以及全球短缺對(duì)其代工廠業(yè)務(wù)的影響,。其表示，三星目前需要提高整體產(chǎn)能并引領(lǐng)最先進(jìn)的技術(shù),，同時(shí)進(jìn)一步擴(kuò)大硅片規(guī)模并通過應(yīng)用繼續(xù)進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新,。

在今年的早些時(shí)候，三星就開始開始為客戶生產(chǎn)首批基于3nm的芯片,，由于采用了3nm全環(huán)柵(GAA)技術(shù),，這些新芯片的性能提高大約30%，而且功耗會(huì)大幅減少,，而該芯片比5nm芯片占用的空間最大減少35%,。

目前三星一斤剛開始規(guī)劃在2025年開始量產(chǎn)采用2納米工藝的芯片，而在當(dāng)前這個(gè)時(shí)間點(diǎn),，消費(fèi)市場(chǎng)的大多數(shù)高級(jí)別的產(chǎn)品還在由基于5nm工藝構(gòu)建的SoC提供支持。而且按照三星的規(guī)劃,，預(yù)計(jì)在2027年左右達(dá)到1.4納米工藝節(jié)點(diǎn),，并計(jì)劃在同年將其先進(jìn)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)量提高兩倍。

除此之外三星還推出了其第8代和第9代的V-NAND產(chǎn)品以及第5代DRAM產(chǎn)品,。三星目前為V-NAND提供512 Gb TLC產(chǎn)品,，而按照之前的規(guī)劃，今年的后半年會(huì)發(fā)布1 TB的TLC 版本,。

目前三星的第5代DRAM產(chǎn)品10nm (1b)器件按照計(jì)劃將會(huì)在后面進(jìn)入量產(chǎn)階段,，至于未來的其他DRAM解決方案，包括32 Gb DDR5解決方案,、8.5 Gbps LPDDR5X DRAM以及36 Gbps GDDR7 DRAM都在按照規(guī)劃進(jìn)行中,。

三星表示需要大約8年的時(shí)間就能實(shí)現(xiàn)1000層的V-NAND，而目前就此計(jì)劃正在進(jìn)行架構(gòu)過渡,，也就睡從其當(dāng)前的TLC架構(gòu)過渡到QLC架構(gòu),，因?yàn)楹笳呖梢栽黾用芏炔?shí)現(xiàn)更多的層數(shù)。

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