氮化鎵化學(xué)式為GaN,，由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表, 研制微電子器件,、光電子器件的新型材料,。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成，相關(guān)器件快速發(fā)展,。第三代半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)業(yè)范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底,、半導(dǎo)體器件芯片設(shè)計(jì)、制造,、封測(cè)以及芯片等主要應(yīng)用場(chǎng)景,。成為高溫、高頻,、大功率微波器件的首選材料之一,，其高熱導(dǎo)率和基本不會(huì)被腐蝕的極強(qiáng)化學(xué)穩(wěn)定性，被廣泛運(yùn)用于持續(xù)高溫大功率器件上,。

圖片資料來(lái)源：品利基金

　GaN半導(dǎo)體材料有二種基本結(jié)構(gòu):纖鋅礦(Wurtzite, WZ)和閃鋅礦(Zinc blende, ZB),。常溫常壓下惟有纖鋅礦結(jié)構(gòu)為穩(wěn)定相。纖鋅礦結(jié)構(gòu)由兩套六角密堆積子格子沿c軸方向平移3c/8 套構(gòu)而形成，所屬空間群為或P63mc,。

　　作為第三代半導(dǎo)體材料的杰出代表,，氮化鎵技術(shù)一時(shí)間在快充產(chǎn)品中更是被廣泛應(yīng)用，快充市場(chǎng)日益成為氮化鎵應(yīng)用最大的推動(dòng)力,；如今,，氮化鎵材料已不僅僅應(yīng)用于消費(fèi)電子電源適配器領(lǐng)域，日前這一產(chǎn)品在手機(jī)端亦在加速滲透,。

圖片資料來(lái)源：品利基金

　氮化鎵有三大應(yīng)用領(lǐng)域：

　第一是光電子領(lǐng)域,，當(dāng)中包括較低端的LED以及高端激光應(yīng)用；

　第二是射頻領(lǐng)域,，主要應(yīng)用于5G基站中的射頻放大器,，但目前推廣似乎陷入了產(chǎn)業(yè)上的停滯；

　第三則是在電力電子即功率器件方面的應(yīng)用,，最火的當(dāng)屬以手機(jī)為代表的消費(fèi)類(lèi)電子應(yīng)用,。

　在工業(yè)用電領(lǐng)域，相比硅基,、CoolMOS和碳化硅,，氮化鎵器件能實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的性?xún)r(jià)比,，并滿(mǎn)足高端電源對(duì)應(yīng)用環(huán)境和產(chǎn)品規(guī)格的需求,；工業(yè)上采用MOCVD和HVPE設(shè)備來(lái)外延生長(zhǎng)。

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?。?）650V, 6.5A, RDS (on)(typ.)= 250mΩ@VGS = 8V

?。?）非常低的QRR

　（3）減少交叉損失

?。?）符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)和無(wú)鹵素要求的包裝

貼片封裝采用銅夾片封裝技術(shù)來(lái)代替內(nèi)部的封裝引線,；可以減少寄生損耗，優(yōu)化電氣和熱性能,，并提高可靠性,；封裝的氮化鎵器件提供頂部或底部散熱兩種配置，使其更通用,，并有助于進(jìn)一步改善散熱,。

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