眾所周知,,光刻機(jī)是當(dāng)前晶圓廠商們制造芯片不可缺少的產(chǎn)品,而EUV光刻機(jī),,則用于7nm及以下的芯片制造,更是核心中的核心,。
不過(guò)EUV光刻機(jī),,只有一家廠商能夠制造,那就是荷蘭的ASML,。所以EUV光刻機(jī),,是被監(jiān)管的,比如中國(guó)大陸,、俄羅斯等國(guó)家,,有錢也是買不到的,美國(guó)不準(zhǔn)賣,,美國(guó)不允許中國(guó)大陸,、俄羅斯等國(guó)家,能自己制造出7nm及以下的芯片,,搶自己的飯碗,。
所以在當(dāng)前情況下,不管是中國(guó),,還是俄羅斯等國(guó)家,,要想生產(chǎn)7nm及以下的芯片,EUV光刻機(jī)是必須自己研發(fā)并生產(chǎn)了來(lái),。
當(dāng)然,,如果有其它技術(shù)方案,不用EUV光刻機(jī),,也能夠制造出7nm及以下的芯片,,那當(dāng)然更好,但顯然目前還沒(méi)有,。
之前俄羅斯計(jì)劃,,采用X射線,進(jìn)行無(wú)掩膜式光刻,,來(lái)繞開EUV光刻機(jī),,實(shí)現(xiàn)7nm及以下芯片的制造。
這個(gè)技術(shù)采用的是波長(zhǎng)介于0.01nm至10nm之間的X射線,然后直接在晶圓上進(jìn)行光刻,,由于X射線比13.5nm的極紫外線波長(zhǎng)更小,,從而精度更高,理論上可以搞定7nm,,甚至5n,、3nm、2nm芯片光刻,,但目前并沒(méi)有實(shí)現(xiàn),。
而近日,,俄羅斯又提出了另外一種技術(shù)方案,,來(lái)搞定7nm芯片的光刻,并計(jì)劃在2028年實(shí)現(xiàn),。
這項(xiàng)技術(shù)采用的是微影光刻技術(shù),,計(jì)劃使用大于600W的光源、曝光波長(zhǎng)為 11.3nm(EUV 波長(zhǎng)為13.5nm)的光線來(lái)進(jìn)行光刻,,
俄羅斯計(jì)劃是2024年推出首次產(chǎn)品,,然后2026年可以量產(chǎn)芯片,到2028年推出終極版,,然后可以用于大規(guī)模芯片制造,。
按照業(yè)內(nèi)人士的說(shuō)法,如果俄羅斯的這種產(chǎn)品研發(fā)成功,,是可以取代EUV光刻機(jī)的,,不過(guò)缺點(diǎn)是產(chǎn)能會(huì)低于EUV光刻機(jī),畢竟功率會(huì)小一些,,但也因?yàn)楣β市?,所以工具成本?huì)更低一點(diǎn)。
那么就看2024年俄羅斯能不能率先推出這種設(shè)備了,,如果能,,那么2028年有望成功,如果2024年推不出來(lái),,那么更遠(yuǎn)一點(diǎn)的目標(biāo)肯定也完不成,。
說(shuō)真的,我們還是蠻希望俄羅斯成功的,,雖然感覺上也不太靠譜,,畢竟一旦俄羅斯成功了,我們應(yīng)該可以共享這項(xiàng)技術(shù),。
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