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通過(guò)DDR5為數(shù)據(jù)中心帶來(lái)先進(jìn)的服務(wù)器性能

2022-11-03
作者:John Eble,Rambus產(chǎn)品營(yíng)銷副總裁
來(lái)源:Rambus
關(guān)鍵詞: Rambus DDR5 服務(wù)器

隨著服務(wù)器和個(gè)人電腦制造商相繼發(fā)布支持DDR5內(nèi)存的產(chǎn)品,,越來(lái)越多的系統(tǒng)正在轉(zhuǎn)向新一代內(nèi)存模塊,,2022年也成為了DDR5的啟用年。特別是在數(shù)據(jù)中心,,處理器內(nèi)核數(shù)量的增加所帶動(dòng)的內(nèi)存帶寬和容量需求正在推動(dòng)DDR5內(nèi)存的普及,。

【署名文章配圖】通過(guò)DDR5為數(shù)據(jù)中心帶來(lái)先進(jìn)的服務(wù)器性能.png

與DDR4相比,DDR5的主要變化包括:

數(shù)據(jù)傳輸速率提升至最高8.4GT/s:DDR4 DIMM在1.6 GHz時(shí)鐘頻率下的最高數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)到每秒3.2 GT/s,,而DDR5最初版本就將帶寬提高了50%,,達(dá)到4.8 GT/s,并且DDR5內(nèi)存的數(shù)據(jù)速傳輸率最終將提升至8.4 GT/s,。由于加入了判決反饋均衡器(DFE)等新功能,,DDR5的IO速度和數(shù)據(jù)速率也變得更高。

降低工作電壓(VDD):這將提高電源效率,。采用DDR5之后,,DRAM,、緩沖芯片寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(RCD)和數(shù)據(jù)緩沖器(DB)的電壓從1.2V下降到1.1V。

新的電源架構(gòu):DDR5 DIMM將電源管理從主板轉(zhuǎn)移到DIMM本身,。通過(guò)在DIMM上配備一個(gè)12V的電源管理集成電路(PMIC),,DDR5 DIMM能夠更好地細(xì)化系統(tǒng)電源負(fù)載,幫助改善信號(hào)完整性和噪聲管理,。

新的RDIMM通道架構(gòu):該架構(gòu)提高了內(nèi)存訪問(wèn)效率,,同時(shí)保持相同的訪問(wèn)粒度和RAS特征集。

更長(zhǎng)的突發(fā)長(zhǎng)度:DDR4突發(fā)斬波長(zhǎng)度為4,,突發(fā)長(zhǎng)度為8,。DDR5的突發(fā)斬波和突發(fā)長(zhǎng)度將擴(kuò)展到8和16,以增加突發(fā)有效載荷,。這顯著地改善了并發(fā)性,,并通過(guò)兩個(gè)通道提高了內(nèi)存效率。

支持更高容量的DRAM:DDR5支持更高容量的DRAM設(shè)備,。憑借DDR5緩沖芯片DIMM,,服務(wù)器或系統(tǒng)設(shè)計(jì)者將能夠在單芯片封裝(SDP)中支持密度高達(dá)64Gb的DRAM。DDR4 DIMM的容量可以達(dá)到64GB(使用SDP),,而基于DDR5 SDP的DIMM將容量增加了三倍,,達(dá)到256GB。

加載延遲:帶寬的大幅增加和新的通道架構(gòu)也對(duì)DDR5的加載延遲產(chǎn)生了積極影響,。雖然DDR5和DDR4之間的總體延遲差距不大,,但憑借極高的帶寬和通道效率,在產(chǎn)生大量?jī)?nèi)存流量的情況下,,DDR5內(nèi)存的延遲(例如加載延遲)遠(yuǎn)低于DDR4,。

這些變化將使DDR5成為十年內(nèi)服務(wù)器和PC的主要內(nèi)存。行業(yè)需要像Rambus這樣有良好的記錄在大批量生產(chǎn)中仍能夠保持芯片質(zhì)量的供應(yīng)商,。DDR5通過(guò)采用帶有擴(kuò)展芯片組的新模塊架構(gòu),,實(shí)現(xiàn)了更大的內(nèi)存帶寬和容量。

Rambus DDR5寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(RCD)專門用于DDR5 RDIMMs,,與無(wú)緩沖DIMM相比,,具有更高的帶寬、性能和容量,。RDIMMs降低了CPU的負(fù)載,,并改善了命令/地址總線的信號(hào)完整性。

DDR5服務(wù)器DIMM芯片組將在增加內(nèi)存容量的同時(shí),,保持DIMM的峰值性能,。這些收益對(duì)于未來(lái)最苛刻的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用是必不可少的。

Rambus最近還推出了串行檢測(cè)集線器(SPD Hub)和溫度傳感器,,為業(yè)界領(lǐng)先的Rambus DDR5 RCD提供補(bǔ)充,。串行檢測(cè)集線器和溫度傳感器改善了DDR5 DIMM的系統(tǒng)管理和熱控制,,可在服務(wù)器所需的功率范圍內(nèi)提供更高的性能。

作為Rambus服務(wù)器和客戶端DDR5內(nèi)存接口芯片組的一部分,,串行檢測(cè)集線器和溫度傳感器在與寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(RCD)結(jié)合后,,為DDR5計(jì)算系統(tǒng)帶來(lái)了高性能、高容量的內(nèi)存解決方案,。串行檢測(cè)集線器和溫度傳感器都是內(nèi)存模塊上的關(guān)鍵部件,,它們可以感知并報(bào)告系統(tǒng)配置和熱管理的重要數(shù)據(jù)。串行檢測(cè)集線器(每套1個(gè))用于服務(wù)器的DDR5 RDIMMs以及個(gè)人電腦的SODIMMs和UDIMMs,。而溫度傳感器(每套2個(gè))用于服務(wù)器的DDR5 RDIMMs,。

在各種大趨勢(shì)的推動(dòng)下,全球數(shù)據(jù)流量正以指數(shù)級(jí)的速度增長(zhǎng),。為了滿足這些數(shù)據(jù)需求,,數(shù)據(jù)中心需要升級(jí)DDR5 DRAM,,以便為新一代服務(wù)器系統(tǒng)提供所需的巨大算力,。Rambus擁有30多年的高性能內(nèi)存經(jīng)驗(yàn)并以信號(hào)完整性/電源完整性(SI/PI)專長(zhǎng)而聞名,Rambus將繼續(xù)以先進(jìn)的DDR5內(nèi)存解決方案和產(chǎn)品推動(dòng)行業(yè)的發(fā)展,。


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