IT之家 11 月 7 日消息,，雖然還沒有發(fā)布任何實(shí)際產(chǎn)品,，但三星電子現(xiàn)宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)其 236 層 3D NAND 閃存芯片,，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND,。

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新一代存儲(chǔ)芯片可帶來 2400MTps 的傳輸速度,，當(dāng)搭配高端主控使用時(shí)，它可使得消費(fèi)級(jí) SSD 的傳輸速度輕松超過 12GBps,。

據(jù)介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案,，三星電子沒有公開 IC 的大小和實(shí)際密度,，不過他們稱之為業(yè)界最高的比特密度。

三星聲稱,，與現(xiàn)有相同容量的閃存芯片相比,，其新一代 3D NAND 閃存可提高 20% 的單晶生產(chǎn)率，從而進(jìn)一步降低了成本（在良率相同的情況下）,，這可能意味著大家有望買到同容量更便宜的固態(tài)硬盤,。

該公司沒有透露新品架構(gòu)，但根據(jù)提供的圖像,，我們可以假設(shè)這是一種雙平面 3D NAND 芯片,。

三星電子閃存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁 SungHoi Hur 表示:“由于市場(chǎng)對(duì)更密集、更大容量存儲(chǔ)的需求推動(dòng)了更高的 V-NAND 層數(shù),，三星采用了先進(jìn)的 3D 壓縮技術(shù),，以減少表面積和高度，同時(shí)避免通常在壓縮時(shí)出現(xiàn)的單元間干擾,?！薄拔覀兊?8 代 V-NAND 將有助于滿足快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，并使我們更好地提供更多差異化的產(chǎn)品和解決方案,，這將是未來存儲(chǔ)創(chuàng)新的基礎(chǔ),?！?/p>

今年年中，三星推出了其第八代和第九代 V-NAND 產(chǎn)品以及第五代 DRAM 產(chǎn)品,。在此之前,，該公司目前為 V-NAND 提供 512 Gb 三級(jí)單元 (TLC) 產(chǎn)品。

此外,，第五代 DRAM 產(chǎn)品將是 10nm (1b) 器件,，將于 2023 年進(jìn)入量產(chǎn)階段。IT之家了解到,，三星即將推出的其它 DRAM 解決方案還包括 32 Gb DDR5 解決方案,、8.5 Gbps LPDDR5X DRAM 和 36 Gbps GDDR7 DRAM。

三星對(duì)其 V-NAND 聲稱,，到 2030 年,，它將打造出 1000 層的 V-NAND。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),，三星正在從其當(dāng)前的 TLC 架構(gòu)過渡到四級(jí)單元 (QLC) 架構(gòu),，以提高密度并啟用更多層。

三星還將在 DRAM 研發(fā)上投入更多資源,，研究新的架構(gòu)和材料,，例如 High-K，以幫助將 DRAM 擴(kuò)展到 10nm 以上,。該公司打算進(jìn)一步開發(fā)其它 DRAM 解決方案,，例如內(nèi)存處理 (PIM)。

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