眾所周知，目前中國(guó)芯受到了美國(guó)的全方面打壓,，涉及到技術(shù)、設(shè)備,、材料,、資金、人才等等方面,。

在這樣的情況之下,，先進(jìn)工藝的進(jìn)展非常受限，畢竟先進(jìn)工藝高度依賴國(guó)外的設(shè)備,、技術(shù)等,，比如EUV光刻機(jī)等等。

在當(dāng)前的情況之下,，要實(shí)現(xiàn)先進(jìn)工藝的突破,，必須等國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的突破，比如有國(guó)產(chǎn)EUV光刻機(jī)等全套國(guó)產(chǎn)設(shè)備,，這樣才能夠助力中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)破除或者緩解“卡脖子”難題,。

在這樣情況之下，很多人表示,，那么我們可以利用小芯片技術(shù),、芯片堆疊等的技術(shù)，將不那么先進(jìn)的芯片,，通過(guò)多顆整合,，最終實(shí)現(xiàn)先進(jìn)工藝的性能，從而解決先進(jìn)工藝難題,。

理論上來(lái)看,，確實(shí)是這樣，比如我用2顆14nm的芯片堆疊,，也許確實(shí)能夠媲美7nm的芯片,，用2顆7nm的芯片，也許能夠媲美5nm,，甚至3nm的芯片（不一定準(zhǔn)確,，隨便說(shuō)的）,。

當(dāng)然小芯片技術(shù)，就更加厲害了,，通過(guò)封裝技術(shù),，將不同工藝，不同類型的芯片封裝成一顆芯片,，實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)的功能,，更高的性能。

但是,，大家想過(guò)沒(méi)有,，就算2顆7nm的芯片封裝在一起，達(dá)到了3nm芯片的性能,，功耗怎么辦,？發(fā)熱怎么辦？2顆7nm的芯片,，功耗和發(fā)熱,，可能是一顆3nm芯片的N倍。

更重要的是,，你用2顆7nm的芯片來(lái)堆疊，別人不會(huì)用2顆3nm的芯片來(lái)堆疊么,？堆疊的芯片工藝越先進(jìn),，那么性能也就更高，那么堆疊后的性能差距就更大了,。

當(dāng)你還在用14nm工藝來(lái)堆疊,，別人用3nm芯片來(lái)堆疊了，性能差距就是幾何倍數(shù)增長(zhǎng)了,，拉得更大了,。

所以先進(jìn)工藝終究是繞不過(guò)的坎，不可能通過(guò)什么小芯片技術(shù),、堆疊技術(shù),，就可以繞開(kāi)的，也不可能通過(guò)這些技術(shù),，就可以彌補(bǔ)先進(jìn)工藝的,。

只能說(shuō)，在當(dāng)前先進(jìn)工藝受阻時(shí),，可以用小芯片,、堆疊的技術(shù)，暫時(shí)提升芯片的性能,，最終還是要回歸到先進(jìn)工藝的研發(fā)上來(lái),，不存在換道超車,，或者彎道超車一說(shuō)。

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