目前,，全球進(jìn)及10nm及以下的芯片廠商就三家，分別是臺(tái)積電,、三星,、intel。

其中臺(tái)積電,、三星以晶圓代工為主,，而intel是IDM廠商，之前主要為自己造芯,。不過去年intel換了CEO后,，提出了一個(gè)IDM2．0計(jì)劃，那就是也對(duì)外代工,，與三星,、intel爭市場。

不過從現(xiàn)在的情況來看,，intel的這個(gè)IDM2．0計(jì)劃,，那是雷聲大，雨點(diǎn)小,，看起來就像是“紙老虎”,。

intel的雷聲有多大？英特爾目前僅能生產(chǎn)7nm芯片，并且這個(gè)產(chǎn)能還很小,，但表示要3年搞出4代工藝革新,。

intel到2023年要實(shí)現(xiàn)intel3工藝，相當(dāng)于臺(tái)積電的3nm,，到2024年要實(shí)現(xiàn)intel20A工藝,，相當(dāng)于臺(tái)積電、三星的2nm,，這是直接就超過臺(tái)積電,、三星了。

而到2024年,，intel還要搞定intel18A工藝,，也就是18埃米，1．8nm,，比三星,、臺(tái)積電還要領(lǐng)先了。

除了工藝制程外,，從Intel 3nm開始,，intel還要采用全新的RibbonFET晶體管取代當(dāng)前的FiFET,，引入革命性的PowerVias背面供電技術(shù),。

而這個(gè)所謂的RibbonFET其實(shí)是對(duì)GAAFET（環(huán)繞柵極）晶體管的改進(jìn)，后者已被三星3nm首發(fā),，intel意思是,，我在3nm時(shí)，技術(shù)比三星的這個(gè)還要更牛,。

口號(hào)是這樣喊出去了,，但是，目前intel的代工業(yè)務(wù),，表現(xiàn)卻不那么給力,，進(jìn)展也不那么順利，intel4都不知道什么時(shí)候能夠?qū)崿F(xiàn),。

至于明年搞定intel3工藝,，業(yè)內(nèi)基本上沒什么人看好，要知道英特爾當(dāng)年的14nm工藝都打磨了5年,，才進(jìn)入10nm,，而7nm一再跳票，也折騰了兩年,。

現(xiàn)在說3年要搞出4代工藝革新,，率先進(jìn)入2nm、1．8nm，很多人認(rèn)為不可能,，甚至有人認(rèn)為在代工領(lǐng)域,，intel就是個(gè)“紙老虎”，不可能與臺(tái)積電,、三星等去PK,。

不過也有人說了，intel之前工藝進(jìn)展慢,，是因?yàn)閕ntel工藝不造假,，一切按照摩爾定律來，晶體管密度,，遠(yuǎn)比臺(tái)積電,、三星更高。如果intel也學(xué)臺(tái)積電,、三星一樣,，開始工藝摻水，那還是很容易搞定的,，不就是虛標(biāo)數(shù)字嘛,。

那么問題來了，intel在2024年能實(shí)現(xiàn)20A,、18A工藝么,？估計(jì)臺(tái)積電、三星也都在等這個(gè)答案,。

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