12月15日消息,，據(jù)報(bào)導(dǎo),，韓國本土的半導(dǎo)體和顯示材料開發(fā)商——石墨烯實(shí)驗(yàn)室 (Graphene Lab) 開發(fā)出了基于石墨烯制造的EUV光罩保護(hù)膜 (Pellicle) ,，有望顯著提高ASML的極紫外光 (EUV) 系統(tǒng)生產(chǎn)芯片的良率,。
據(jù)了解,，光罩保護(hù)膜是一種薄膜,，可保護(hù)光罩表面免受空氣中微分子或污染物的影響,，這對于 5nm或以下節(jié)點(diǎn)制程的先進(jìn)制程技術(shù)的良率表現(xiàn)至關(guān)重要,。
另外，光罩保護(hù)膜也是一種需要定期更換的消耗品,，而由于EUV光刻設(shè)備的光源波長較短,，因此護(hù)膜需要較薄厚度來增加透光率。
之前,，硅已被用于制造光罩護(hù)膜,，但石墨烯會(huì)是一種更好的材料，因?yàn)槭┲圃斓墓庹直Ｗo(hù)膜比硅更薄,、更透明,。
報(bào)導(dǎo)還強(qiáng)調(diào)，EUV光罩護(hù)膜必須能夠承受曝光過程中發(fā)生的 800 度或更高的高溫,，而基于石墨烯材料的光罩保護(hù)膜在高溫下的硬化特性要好,，相比之下硅制產(chǎn)品非常容易破裂。
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