2022年12月19日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia宣布Nexperia TrEOS產品組合再添新產品,，即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM極低鉗位電壓ESD保護二極管,。這些器件兼具高浪涌耐受性,、非常低的觸發(fā)電壓和極低的鉗位電壓以及寬通帶，浪涌抗擾度出眾，出眾的IEC61000-4-5浪涌等級,。

Nexperia高級產品經理Stefan Seider表示：“Nexperia開發(fā)了TrEOS產品組合,，專門用于為我們的客戶提供一系列適用于USB3.2、USB4?,、Thunderbolt?,、HDMI 2.1和通用閃存等應用的高性能ESD保護解決方案,。PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM的快速開關速度可為高速數(shù)據(jù)線提供極為有效的ESD峰值抑制性能,，而其低觸發(fā)電壓有助于顯著降低IEC61000-4-5 8/20 μs浪涌脈沖所含的能量?！?/p>

單數(shù)據(jù)線PESD4V0Y1BBSF采用低電感DSN0603-2封裝,，觸發(fā)電壓為6.3 V TLP，典型器件魯棒性和電容分別為25 A 8/20 μs和0.7 pF,。PESD4V0Y1BBSF提供的鉗位電壓在16 A 100 ns TLP時僅為2.4 V,，在20 A 8/20 μs浪涌時僅為3.4 V。雙數(shù)據(jù)線PESD4V0X2UM采用緊湊型DFN1006-3封裝,，觸發(fā)電壓為8 V,，典型器件魯棒性超過14 A 8/20 μs，典型器件電容為0.82 pF,。

雖然這兩種器件都可為USB2.0 D+/D-線路提供出色的保護作用,，但PESD4V0Y1BBSF的S21通帶超過7.5 GHz，因此適用于5 Gbps時的USB3.x,。這兩種器件都可提供高水平的抗浪涌性能,，出眾的IEC61000-4-5浪涌等級。

關于新款器件的更多信息,，包括產品規(guī)范和數(shù)據(jù)手冊,，請訪問：nexperia.com/pip/PESD4V0Y1BBSF以及nexperia.com/pip/PESD4V0X2UM。關于Nexperia完整的Nexperia TrEOS產品組合,，請訪問nexperia.com/xx,。

關于Nexperia

Nexperia，作為生產大批量基礎半導體二極管件的專家,，其產品廣泛應用于全球各類電子設計,。公司豐富的產品組合包括二極管、雙極性晶體管,、ESD保護二極管件,、MOSFET二極管件、氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC,。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨,，每年可交付1000多億件產品，產品符合汽車行業(yè)的嚴苛標準,。其產品在效率（如工藝,、尺寸,、功率及性能）方面獲得行業(yè)廣泛認可，擁有先進的小尺寸封裝技術,，可有效節(jié)省功耗及空間,。