SiC 器件正在取代現(xiàn)有 Si 器件的高影響力應(yīng)用機(jī)會(huì)已經(jīng)出現(xiàn)，包括 xEV 和鐵路電力電子設(shè)備,，具有更低的損耗和更低的冷卻要求;具有降低冷卻負(fù)荷和更高效率的新型數(shù)據(jù)中心拓?fù)浣Y(jié)構(gòu);用于高效大功率電動(dòng)機(jī)的變頻驅(qū)動(dòng)器,，可降低整體系統(tǒng)成本;更高效、靈活和可靠的網(wǎng)格應(yīng)用程序,，減少系統(tǒng)占用空間;以及“更多電動(dòng)航空航天”,，重量、體積和冷卻系統(tǒng)的減少有助于節(jié)能,。就電動(dòng)汽車而言,，目前大多數(shù)使用 400V 總線架構(gòu)，因此 650V SiC 器件與成熟且堅(jiān)固的硅 IGBT 競(jìng)爭(zhēng),，而 GaN 則在利潤(rùn)豐厚的牽引逆變器,、DC/DC 轉(zhuǎn)換器和車載充電器中競(jìng)爭(zhēng)市場(chǎng)。

因此,，650-V 范圍是一個(gè)“戰(zhàn)場(chǎng)”,，其中每種材料器件都帶來(lái)獨(dú)特且引人注目的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。應(yīng)該注意的是,，為了提高效率——相同電池的續(xù)航里程更長(zhǎng)或較小電池的續(xù)航里程相同——以及快速充電,，電動(dòng)汽車正在迅速過(guò)渡到 800V 總線架構(gòu)。在此電壓下,，1,200-V SiC MOSFET 具有整體優(yōu)勢(shì),，因?yàn)樗鼈冇?2011 年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化并經(jīng)過(guò)幾代優(yōu)化。現(xiàn)在正在發(fā)生的電動(dòng)汽車中的 SiC 插入是一個(gè)批量應(yīng)用機(jī)會(huì),，可以進(jìn)一步刺激 SiC 制造的規(guī)模經(jīng)濟(jì)和降低系統(tǒng)成本,。應(yīng)該注意的是，為了提高效率——相同電池的續(xù)航里程更長(zhǎng)或較小電池的續(xù)航里程相同——以及快速充電,，電動(dòng)汽車正在迅速過(guò)渡到 800V 總線架構(gòu),。在此電壓下,，1,200-V SiC MOSFET 具有整體優(yōu)勢(shì)，因?yàn)樗鼈冇?2011 年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化并經(jīng)過(guò)幾代優(yōu)化?，F(xiàn)在正在發(fā)生的電動(dòng)汽車中的 SiC 插入是一個(gè)批量應(yīng)用機(jī)會(huì),，可以進(jìn)一步刺激 SiC 制造的規(guī)模經(jīng)濟(jì)和降低系統(tǒng)成本。應(yīng)該注意的是,，為了提高效率——相同電池的續(xù)航里程更長(zhǎng)或較小電池的續(xù)航里程相同——以及快速充電,，電動(dòng)汽車正在迅速過(guò)渡到 800V 總線架構(gòu)。在此電壓下,，1,200-V SiC MOSFET 具有整體優(yōu)勢(shì),，因?yàn)樗鼈冇?2011 年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化并經(jīng)過(guò)幾代優(yōu)化。現(xiàn)在正在發(fā)生的電動(dòng)汽車中的 SiC 插入是一個(gè)批量應(yīng)用機(jī)會(huì),，可以進(jìn)一步刺激 SiC 制造的規(guī)模經(jīng)濟(jì)和降低系統(tǒng)成本,。

隨著 SiC 的持續(xù)增長(zhǎng)，該行業(yè)正在消除大規(guī)模商業(yè)化的最后障礙,，包括高于 Si 的器件成本,、基面位錯(cuò) (BPD) 的存在、可靠性和堅(jiān)固性問(wèn)題以及對(duì)熟練掌握 SiC 的勞動(dòng)力的需求電源技術(shù)跟上不斷增長(zhǎng)的需求,。目前,，SiC 晶圓占 SiC 器件總成本的 55% 至 70%，這是其獨(dú)特的復(fù)雜制造細(xì)節(jié)的結(jié)果,。傳統(tǒng)的 SiC 襯底主要通過(guò)種子升華技術(shù)在約 2,500?C 的溫度下生長(zhǎng),，這給過(guò)程控制帶來(lái)了挑戰(zhàn)。晶體膨脹有限,，需要使用大的優(yōu)質(zhì)晶種,，升華生長(zhǎng)速率可能相對(duì)較低，約為 0.5 至 2 mm/h,。位錯(cuò)通過(guò)晶錠傳播并存在于器件晶圓中。此外,，與金剛石相當(dāng)?shù)?SiC 材料硬度使得 SiC 襯底的鋸切和拋光相對(duì)于 Si 來(lái)說(shuō)速度慢且成本高,。然而，在許多應(yīng)用中,，與 Si 相比,，插入 SiC 可降低整體系統(tǒng)成本，盡管 SiC 器件的成本可能比其對(duì)應(yīng)的 Si 器件高 2 至 3 倍,。這是由于高效高頻 SiC 操作實(shí)現(xiàn)了無(wú)源元件小型化和冷卻系統(tǒng)簡(jiǎn)化,。

大多數(shù)“致命”缺陷在現(xiàn)代 SiC 晶圓中幾乎已被消除。BPD 是主要的殘留缺陷,，會(huì)降低器件性能并影響良率,。BPD 可以從晶圓襯底傳播到制造器件的外延層厚度,。BPD 也可以在高溫離子注入制造過(guò)程中產(chǎn)生。在商用晶圓中,，超過(guò) 95% 的襯底 BPD 在通過(guò) CVD 離軸生長(zhǎng)的外延層中傳播為相對(duì)“良性”的螺紋邊緣位錯(cuò),。閾值電壓不穩(wěn)定性是 SiC MOSFET 中主要的可靠性問(wèn)題，它主導(dǎo)著基于 SiC 的電力電子應(yīng)用,。這主要是由于 SiC/柵極氧化物界面處的氧化物陷阱,。SiC MOSFET 閾值電壓的正向偏移具有增加傳導(dǎo)損耗的有害影響，而負(fù)向偏移則不可取,，因?yàn)樗梢宰园l(fā)地開(kāi)啟晶體管,。通過(guò)利用設(shè)計(jì)權(quán)衡，可以使 SiC 器件更加堅(jiān)固耐用,。這與智能柵極驅(qū)動(dòng)相結(jié)合,，可以提供足夠的短路保護(hù)。

為了培訓(xùn)寬帶隙 (WBG) 勞動(dòng)力并加速清潔能源制造,、創(chuàng)造就業(yè)機(jī)會(huì)和節(jié)能,，美國(guó)能源部創(chuàng)建了 PowerAmerica 聯(lián)盟。今天,，PowerAmerica 由會(huì)員支持/驅(qū)動(dòng),，致力于解決 WBG 功率半導(dǎo)體技術(shù)方面的差距，以促進(jìn)其發(fā)展,。

PowerAmerica 是一個(gè)成員支持/驅(qū)動(dòng)的聯(lián)盟,，旨在解決 WBG 半導(dǎo)體電力技術(shù)方面的差距，以加速清潔能源制造,、創(chuàng)造就業(yè)機(jī)會(huì)和節(jié)能,。

在過(guò)去六年中，PowerAmerica 在 200 多個(gè)功率 SiC/GaN 大學(xué)/行業(yè)合作項(xiàng)目中投資了 1.47 億美元,，涉及所有主要應(yīng)用,，包括汽車和鐵路牽引、車載充電器,、航空航天,、光伏、靈活的交流輸電系統(tǒng),、高壓直流系統(tǒng),、微電網(wǎng)、儲(chǔ)能,、電機(jī)驅(qū)動(dòng),、UPS 和數(shù)據(jù)中心。其教育活動(dòng)已在應(yīng)用 WBG 項(xiàng)目中培訓(xùn)了 410 名大學(xué)生,，并吸引了超過(guò) 3,700 名參與者參加教程,、短期課程和網(wǎng)絡(luò)研討會(huì),。這有助于培養(yǎng)一支經(jīng)驗(yàn)豐富的員工隊(duì)伍，他們能夠熟練地充分發(fā)揮 WBG 系統(tǒng)的插入潛力,。

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