為更好地滿足超大規(guī)模的數(shù)據(jù)應用,，憶聯(lián)發(fā)布數(shù)據(jù)中心級NVMe SSD -- UH711a以及UH711a E3.S形態(tài)。該系列產(chǎn)品使用自研控制器與長江存儲128L 3D NAND,，專為數(shù)據(jù)中心級業(yè)務場景而設計,。UH711a單盤容量最高達7.68TB，能為數(shù)據(jù)庫,、塊存儲,、虛擬化、云主機等應用提供高性能的存儲方案,，幫助用戶獲得更優(yōu)的TCO,。

1、性能全面調(diào)優(yōu),，業(yè)務應用顯著提速

UH711a支持高速PCIE Gen4接口,，針對數(shù)據(jù)中心級業(yè)務場景及負載Workload IO模型,，在各類場景可提供全面的性能優(yōu)化能力，產(chǎn)品順序讀寫性能高達7200/4500 MB/s,，隨機讀寫性能高達1700/230K IOPS,。

同時，針對互聯(lián)網(wǎng)典型應用場景,，采用軟化架構設計,，并優(yōu)化IO路徑DB、FSP,、HAS和LDPC等硬件資源配置,，提升后端NAND顆粒并發(fā)效率，保障互聯(lián)網(wǎng)典型應用場景盤片性能,。

2、SR-IOV with QoS 升級2.0,，助力虛擬化業(yè)務降本增效

UH711a 通過使能SR-IOV技術優(yōu)化云業(yè)務虛擬機場景,，相比SPDK方案優(yōu)勢顯著。SR-IOV2.0進一步優(yōu)化了Nand物理層隔離度,，VF間的性能隔離度更好,，隨著隔離度的提高在純讀寫及混合場景下分別優(yōu)化到了3%和5%，目前憶聯(lián)SR-IOV 性能及隔離度已達業(yè)界領先水平,。

3,、智能多流2.0，保障業(yè)務長期且穩(wěn)定運行

采用全新K-mean智能聚類算法,，提供更精細的數(shù)據(jù)類型識別顆粒度,，進一步提高GC時的效率，使SSD系統(tǒng)性能最大可提升20%,。通過在盤片內(nèi)部將2種數(shù)據(jù)寫入不同的流,，降低盤片的寫放大系數(shù)，提升全生命周期的穩(wěn)態(tài)性能以及保障產(chǎn)品生命周期后期階段的可靠性,。

此外,，UH711a還支持DIF、NS管理等OCP2.0規(guī)范,，不僅與系統(tǒng)配合實現(xiàn)端到端的保護,，也能在盤內(nèi)實現(xiàn)獨立的端到端的保護機制，確保盤內(nèi)整個通路的數(shù)據(jù)安全,，從而為數(shù)據(jù)中心在多種極端場景下的正常運維提供雙重保護,。

4、自封顆粒,，釋放介質(zhì)原生潛力

依托憶聯(lián)強大的自主封測技術,，UH711a通過使能自封TLC介質(zhì),，在不犧牲性能及可靠性的前提下大幅度降低介質(zhì)應用成本，充分挖掘介質(zhì)的原生潛力,，提供更好的IO性能,。

5、憶聯(lián)新一代EDSFF E3.S SSD揭曉

E3.S作為面向云服務,、企業(yè)數(shù)據(jù)中心的NVMe SSD新形態(tài)標準,，憑借擴展性更強，以及優(yōu)化了整體效能等優(yōu)勢,，已成為數(shù)據(jù)中心SSD未來發(fā)展方向,。憶聯(lián)推出的UH711a E3.S 形態(tài)，外形尺寸方面,，長112.75mm,、寬76mm、厚度為7.5mm,，單盤容量最高達15.36TB,，支持NVMe 1.4。使用新形態(tài)后,，產(chǎn)品順序讀寫性能高達7200/4400 MB/s,，隨機讀寫性能高達1700/240K IOPS。該系列產(chǎn)品將于2023年實現(xiàn)量產(chǎn),。

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